Пороговое напряжение, когда полевой МОП-транзистор действует как усилитель Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Пороговое напряжение = Напряжение затвор-исток-Эффективное напряжение
Vth = Vgs-Veff
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.
Напряжение затвор-исток - (Измеряется в вольт) - Напряжение затвор-исток является критическим параметром, влияющим на работу полевого транзистора, и его часто используют для управления поведением устройства.
Эффективное напряжение - (Измеряется в вольт) - Эффективное напряжение в MOSFET (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник) — это напряжение, которое определяет поведение устройства. Оно также известно как напряжение затвор-исток.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Напряжение затвор-исток: 4 вольт --> 4 вольт Конверсия не требуется
Эффективное напряжение: 1.7 вольт --> 1.7 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Vth = Vgs-Veff --> 4-1.7
Оценка ... ...
Vth = 2.3
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
2.3 вольт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
2.3 вольт <-- Пороговое напряжение
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Сделано Паял Прия
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Проверено Прахалад Сингх
Джайпурский инженерный колледж и исследовательский центр (JECRC), Джайпур
Прахалад Сингх проверил этот калькулятор и еще 10+!

20 Напряжение Калькуляторы

Проводимость канала МОП-транзистора с использованием напряжения «затвор-источник»
Идти Проводимость канала = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*ширина канала/Длина канала*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)
Выходное напряжение общего затвора
Идти Выходное напряжение = -(крутизна*Критическое напряжение)*((Сопротивление нагрузки*Сопротивление ворот)/(Сопротивление ворот+Сопротивление нагрузки))
Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением
Идти Напряжение затвор-исток = Пороговое напряжение+sqrt((2*Ток смещения постоянного тока)/(Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон))
Входное напряжение источника
Идти Входное напряжение источника = Входное напряжение*(Сопротивление входного усилителя/(Сопротивление входного усилителя+Эквивалентное сопротивление источника))
Входное напряжение затвор-исток
Идти Критическое напряжение = (Сопротивление входного усилителя/(Сопротивление входного усилителя+Эквивалентное сопротивление источника)) *Входное напряжение
Выходное напряжение на стоке Q1 полевого МОП-транзистора при синфазном сигнале
Идти Напряжение стока Q1 = -Выходное сопротивление*(крутизна*Синфазный входной сигнал)/(1+(2*крутизна*Выходное сопротивление))
Выходное напряжение на стоке Q2 MOSFET при синфазном сигнале
Идти Напряжение стока Q2 = -(Выходное сопротивление/((1/крутизна)+2*Выходное сопротивление))*Синфазный входной сигнал
Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET
Идти Входной ток = Напряжение затвор-исток*(Угловая частота*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))
Напряжение на затворе и истоке MOSFET при заданном входном токе
Идти Напряжение затвор-исток = Входной ток/(Угловая частота*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))
Повышенное напряжение, когда полевой МОП-транзистор действует как усилитель с сопротивлением нагрузки
Идти крутизна = Общий ток/(Синфазный входной сигнал-(2*Общий ток*Выходное сопротивление))
Инкрементальный сигнал напряжения дифференциального усилителя
Идти Синфазный входной сигнал = (Общий ток/крутизна)+(2*Общий ток*Выходное сопротивление)
Напряжение на стоке Q2 в MOSFET
Идти Выходное напряжение = -(Общее сопротивление нагрузки MOSFET/(2*Выходное сопротивление))*Синфазный входной сигнал
Напряжение на стоке Q1 MOSFET
Идти Выходное напряжение = -(Общее сопротивление нагрузки MOSFET/(2*Выходное сопротивление))*Синфазный входной сигнал
Напряжение насыщения MOSFET
Идти Напряжение насыщения стока и истока = Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение
Напряжение между затвором и истоком полевого МОП-транзистора при дифференциальном входном напряжении при заданном напряжении перегрузки
Идти Напряжение затвор-исток = Пороговое напряжение+1.4*Эффективное напряжение
Пороговое напряжение, когда полевой МОП-транзистор действует как усилитель
Идти Пороговое напряжение = Напряжение затвор-исток-Эффективное напряжение
Пороговое напряжение MOSFET
Идти Пороговое напряжение = Напряжение затвор-исток-Эффективное напряжение
Выходное напряжение на стоке Q1 MOSFET
Идти Напряжение стока Q1 = -(Выходное сопротивление*Общий ток)
Выходное напряжение на стоке Q2 MOSFET
Идти Напряжение стока Q2 = -(Выходное сопротивление*Общий ток)
Напряжение перегрузки
Идти Повышенное напряжение = (2*Ток стока)/крутизна

Пороговое напряжение, когда полевой МОП-транзистор действует как усилитель формула

Пороговое напряжение = Напряжение затвор-исток-Эффективное напряжение
Vth = Vgs-Veff

Как МОП-транзистор действует как усилитель?

Небольшое изменение напряжения затвора вызывает большое изменение тока стока, как в JFET. Этот факт делает MOSFET способным повышать силу слабого сигнала; таким образом действуя как усилитель. Во время положительного полупериода сигнала положительное напряжение на затворе увеличивается и вызывает усиленный режим.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!