✖Площадь базового эмиттера определяется как площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер в усилителе.ⓘ Базовая область излучателя [Abe] | | | +10% -10% |
✖Диффузия электронов — это диффузионный ток — ток в полупроводнике, вызванный диффузией носителей заряда (дырок и/или электронов).ⓘ Электронная диффузия [Dn] | | | +10% -10% |
✖Тепловая равновесная концентрация определяется как концентрация носителей в усилителе.ⓘ Тепловая равновесная концентрация [npo] | | | +10% -10% |
✖Ток насыщения — это плотность тока утечки диода в отсутствие света. Это важный параметр, который отличает один диод от другого.ⓘ Ток насыщения [isat] | | | +10% -10% |