Corriente base utilizando corriente de saturación en CC Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
corriente básica = (Corriente de saturación/Ganancia de corriente de emisor común)*e^(Voltaje base-colector/Voltaje Térmico)+Presión de vapor de saturación*e^(Voltaje base-colector/Voltaje Térmico)
IB = (Isat/β)*e^(VBC/Vt)+es*e^(VBC/Vt)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 6 Variables
Constantes utilizadas
e - la constante de napier Valor tomado como 2.71828182845904523536028747135266249
Variables utilizadas
corriente básica - (Medido en Amperio) - La corriente base es una corriente crucial del transistor de unión bipolar. Sin la corriente base, el transistor no puede encenderse.
Corriente de saturación - (Medido en Amperio) - La corriente de saturación es la densidad de corriente de fuga del diodo en ausencia de luz. Es un parámetro importante que diferencia un diodo de otro.
Ganancia de corriente de emisor común - La ganancia de corriente del emisor común está influenciada por 2 factores: el ancho de la región base W y los dopajes relativos de la región base y la región del emisor. Su rango varía de 50 a 200.
Voltaje base-colector - (Medido en Voltio) - El voltaje base-colector es el potencial eléctrico entre la base y la región colectora de un transistor.
Voltaje Térmico - (Medido en Voltio) - El voltaje térmico es el voltaje producido dentro de la unión pn.
Presión de vapor de saturación - (Medido en Pascal) - La presión de vapor de saturación en la superficie del agua (mm de mercurio) se define como la presión ejercida por un vapor en equilibrio termodinámico con sus fases condensadas a una temperatura dada.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Corriente de saturación: 1.675 Miliamperio --> 0.001675 Amperio (Verifique la conversión ​aquí)
Ganancia de corriente de emisor común: 65 --> No se requiere conversión
Voltaje base-colector: 2 Voltio --> 2 Voltio No se requiere conversión
Voltaje Térmico: 4.7 Voltio --> 4.7 Voltio No se requiere conversión
Presión de vapor de saturación: 17.54 Mercurio milimétrico (0 °C) --> 2338.46788 Pascal (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
IB = (Isat/β)*e^(VBC/Vt)+es*e^(VBC/Vt) --> (0.001675/65)*e^(2/4.7)+2338.46788*e^(2/4.7)
Evaluar ... ...
IB = 3578.80121683189
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
3578.80121683189 Amperio -->3578801.21683189 Miliamperio (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
3578801.21683189 3.6E+6 Miliamperio <-- corriente básica
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

14 corriente básica Calculadoras

Corriente base utilizando corriente de saturación en CC
​ Vamos corriente básica = (Corriente de saturación/Ganancia de corriente de emisor común)*e^(Voltaje base-colector/Voltaje Térmico)+Presión de vapor de saturación*e^(Voltaje base-colector/Voltaje Térmico)
Corriente de saturación usando concentración de dopaje
​ Vamos Corriente de saturación = (Área de sección transversal de la unión base-emisor*[Charge-e]*Difusividad de electrones*(Concentración de portador intrínseco)^2)/(Ancho de la unión base*Dopaje Concentración de Base)
Ganancia de corriente de cortocircuito de BJT
​ Vamos Ganancia de corriente de cortocircuito = (Ganancia de corriente de emisor común a baja frecuencia)/(1+Variable de frecuencia compleja*(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector)*Resistencia de entrada)
Parámetro de dispositivo dado de corriente de drenaje
​ Vamos Corriente de drenaje = 1/2*Transconductancia*Relación de aspecto*(Voltaje efectivo-Voltaje de umbral)^2*(1+Parámetro del dispositivo*Voltaje entre drenaje y fuente)
Corriente base 2 de BJT
​ Vamos corriente básica = (Corriente de saturación/Ganancia de corriente de emisor común)*(e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico))
Corriente base del transistor PNP usando corriente de saturación
​ Vamos corriente básica = (Corriente de saturación/Ganancia de corriente de emisor común)*e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico)
Corriente de referencia del espejo BJT
​ Vamos Corriente de referencia = Colector de corriente+(2*Colector de corriente)/Ganancia de corriente de emisor común
Corriente de referencia del espejo de corriente BJT
​ Vamos Corriente de referencia = (Voltaje de suministro-Voltaje base-emisor)/Resistencia
Corriente de referencia del espejo BJT dada la corriente del colector
​ Vamos Corriente de referencia = Colector de corriente*(1+2/Ganancia de corriente de emisor común)
Corriente base del transistor PNP dada la corriente del emisor
​ Vamos corriente básica = Corriente del emisor/(Ganancia de corriente de emisor común+1)
Corriente de base del transistor PNP usando ganancia de corriente de base común
​ Vamos corriente básica = (1-Ganancia de corriente de base común)*Corriente del emisor
Corriente base del transistor PNP usando corriente de colector
​ Vamos corriente básica = Colector de corriente/Ganancia de corriente de emisor común
Corriente base 1 de BJT
​ Vamos corriente básica = Colector de corriente/Ganancia de corriente de emisor común
Corriente básica total
​ Vamos corriente básica = Corriente básica 1+Corriente base 2

Corriente base utilizando corriente de saturación en CC Fórmula

corriente básica = (Corriente de saturación/Ganancia de corriente de emisor común)*e^(Voltaje base-colector/Voltaje Térmico)+Presión de vapor de saturación*e^(Voltaje base-colector/Voltaje Térmico)
IB = (Isat/β)*e^(VBC/Vt)+es*e^(VBC/Vt)

¿Por qué la corriente de base en un transistor es muy pequeña?

La unión de base recolectada de un transistor tiene polarización inversa. Por tanto, más del 98% de la corriente del emisor llega al colector. Una cantidad muy pequeña de portadores de carga no llega al colector y fluye hacia el circuito base constituyendo la corriente base (menos del 2%).

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