Calculadora A a Z
🔍
Descargar PDF
Química
Ingenieria
Financiero
Salud
Mates
Física
Calculadora Corriente de entrada de señal pequeña
Ingenieria
Financiero
Física
Mates
Patio de recreo
Química
Salud
↳
Electrónica
Ciencia de los Materiales
Civil
Eléctrico
Electrónica e instrumentación
Ingeniería de Producción
Ingeniería Química
Mecánico
⤿
Electrónica analógica
Amplificadores
Antena
Circuitos integrados (CI)
Comunicación digital
Comunicación inalámbrica
Comunicación por satélite
Comunicaciones analógicas
Diseño de fibra óptica
Diseño y aplicaciones CMOS
Dispositivos de estado sólido
Dispositivos optoelectrónicos
EDC
Electrónica de potencia
Fabricación de VLSI
Ingeniería de Televisión
Línea de transmisión y antena
Microelectrónica de RF
Procesando imagen digital
Señal y Sistemas
Sistema de control
Sistema de radar
Sistema Integrado
Sistemas de conmutación de telecomunicaciones
Teoría de microondas
Teoría del campo electromagnético
Teoría y codificación de la información
Transmisión de fibra óptica
⤿
MOSFET
BJT
⤿
Análisis de señales pequeñas
Actual
Características del MOSFET
Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia
Factor de amplificación/ganancia
Mejora del canal N
Mejora del canal P
Relación de rechazo de modo común (CMRR)
Resistencia
sesgo
Transconductancia
Transistor MOS
Voltaje
✖
El voltaje crítico es la fase mínima del voltaje neutro que brilla y aparece a lo largo de todo el conductor de línea.
ⓘ
Voltaje crítico [V
c
]
Abvoltio
attovoltio
Centivoltios
decivoltio
Decavoltio
EMU de potencial eléctrico
ESU de potencial eléctrico
Femtovoltio
gigavoltio
hectovoltio
Kilovoltio
Megavoltio
Microvoltio
milivoltio
nanovoltios
petavoltio
Picovoltio
Voltaje de Planck
Statvoltio
Teravoltios
Voltio
Vatio/Amperio
Yoctovoltio
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.
ⓘ
Transconductancia [g
m
]
Abmho
Amperio/Voltio
Gemmho
Gigasiemens
kilosiemens
Megasiemens
Mho
Micromho
Microsiemens
milisiemens
Nanosiemens
Picosiemens
Conductancia Hall cuantificada
Siemens
Statmho
+10%
-10%
✖
La resistencia autoinducida es la resistencia interna que se produce debido a la presencia de los propios portadores de carga del FET (electrones o huecos).
ⓘ
Resistencia autoinducida [R
si
]
Abohm
EMU de Resistencia
ESU de Resistencia
Exaohm
gigaohmio
kilohmios
Megaohmio
Microhm
miliohmio
Nanohmios
Ohm
Petaohm
Impedancia de Planck
Resistencia Hall cuantificada
Siemens recíproco
Statohm
voltios por amperio
Yottaohm
Zettaohm
+10%
-10%
✖
La corriente de entrada de una señal pequeña se refiere a la cantidad de corriente que fluye a través de un circuito o dispositivo cuando se le aplica una señal pequeña.
ⓘ
Corriente de entrada de señal pequeña [i
in
]
Abampere
Amperio
Attoamperio
Biot
centiamperio
CGS EM
unidad CGS ES
deciamperio
Dekaamperio
EMU de corriente
ESU de corriente
Exaampere
Femtoamperio
gigaamperio
Gilbert
Hectoamperio
kiloamperio
megaamperio
Microamperio
Miliamperio
Nanoamperio
Petaampere
Picoamperio
Statampere
Teraamperio
Yoctoamperio
Yottaampere
Zeptoampere
Zettaampere
⎘ Copiar
Pasos
👎
Fórmula
✖
Corriente de entrada de señal pequeña
Fórmula
`"i"_{"in"} = ("V"_{"c"}*((1+"g"_{"m"}*"R"_{"si"})/"R"_{"si"}))`
Ejemplo
`"0.000162A"=("0.284V"*((1+"0.5mS"*"14.3kΩ")/"14.3kΩ"))`
Calculadora
LaTeX
Reiniciar
👍
Descargar MOSFET Fórmula PDF
Corriente de entrada de señal pequeña Solución
PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Corriente de entrada de señal pequeña
= (
Voltaje crítico
*((1+
Transconductancia
*
Resistencia autoinducida
)/
Resistencia autoinducida
))
i
in
= (
V
c
*((1+
g
m
*
R
si
)/
R
si
))
Esta fórmula usa
4
Variables
Variables utilizadas
Corriente de entrada de señal pequeña
-
(Medido en Amperio)
- La corriente de entrada de una señal pequeña se refiere a la cantidad de corriente que fluye a través de un circuito o dispositivo cuando se le aplica una señal pequeña.
Voltaje crítico
-
(Medido en Voltio)
- El voltaje crítico es la fase mínima del voltaje neutro que brilla y aparece a lo largo de todo el conductor de línea.
Transconductancia
-
(Medido en Siemens)
- La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.
Resistencia autoinducida
-
(Medido en Ohm)
- La resistencia autoinducida es la resistencia interna que se produce debido a la presencia de los propios portadores de carga del FET (electrones o huecos).
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Voltaje crítico:
0.284 Voltio --> 0.284 Voltio No se requiere conversión
Transconductancia:
0.5 milisiemens --> 0.0005 Siemens
(Verifique la conversión
aquí
)
Resistencia autoinducida:
14.3 kilohmios --> 14300 Ohm
(Verifique la conversión
aquí
)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
i
in
= (V
c
*((1+g
m
*R
si
)/R
si
)) -->
(0.284*((1+0.0005*14300)/14300))
Evaluar ... ...
i
in
= 0.00016186013986014
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.00016186013986014 Amperio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.00016186013986014
≈
0.000162 Amperio
<--
Corriente de entrada de señal pequeña
(Cálculo completado en 00.004 segundos)
Aquí estás
-
Inicio
»
Ingenieria
»
Electrónica
»
MOSFET
»
Electrónica analógica
»
Análisis de señales pequeñas
»
Corriente de entrada de señal pequeña
Créditos
Creado por
Ritwik Tripathi
Instituto de Tecnología de Vellore
(VIT Vellore)
,
Vellore
¡Ritwik Tripathi ha creado esta calculadora y 10+ más calculadoras!
Verificada por
parminder singh
Universidad de Chandigarh
(CU)
,
Punjab
¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 500+ más calculadoras!
<
15 Análisis de señales pequeñas Calculadoras
Pequeña ganancia de voltaje de señal con respecto a la resistencia de entrada
Vamos
Ganancia de voltaje
= (
Resistencia del amplificador de entrada
/(
Resistencia del amplificador de entrada
+
Resistencia autoinducida
))*((
Resistencia de la fuente
*
Resistencia de salida
)/(
Resistencia de la fuente
+
Resistencia de salida
))/(1/
Transconductancia
+((
Resistencia de la fuente
*
Resistencia de salida
)/(
Resistencia de la fuente
+
Resistencia de salida
)))
Voltaje de puerta a fuente con respecto a la resistencia de señal pequeña
Vamos
Voltaje crítico
=
Voltaje de entrada
*((1/
Transconductancia
)/((1/
Transconductancia
)*((
Resistencia de la fuente
*
Pequeña resistencia de señal
)/(
Resistencia de la fuente
+
Pequeña resistencia de señal
))))
Voltaje de salida de drenaje común en señal pequeña
Vamos
Tensión de salida
=
Transconductancia
*
Voltaje crítico
*((
Resistencia de la fuente
*
Pequeña resistencia de señal
)/(
Resistencia de la fuente
+
Pequeña resistencia de señal
))
Voltaje de salida del canal P de señal pequeña
Vamos
Tensión de salida
=
Transconductancia
*
Voltaje de fuente a puerta
*((
Resistencia de salida
*
Resistencia al drenaje
)/(
Resistencia al drenaje
+
Resistencia de salida
))
Ganancia de voltaje para señal pequeña
Vamos
Ganancia de voltaje
= (
Transconductancia
*(1/((1/
Resistencia de carga
)+(1/
Resistencia al drenaje
))))/(1+(
Transconductancia
*
Resistencia autoinducida
))
Ganancia de voltaje de señal pequeña con respecto a la resistencia de drenaje
Vamos
Ganancia de voltaje
= (
Transconductancia
*((
Resistencia de salida
*
Resistencia al drenaje
)/(
Resistencia de salida
+
Resistencia al drenaje
)))
Corriente de salida de señal pequeña
Vamos
Corriente de salida
= (
Transconductancia
*
Voltaje crítico
)*(
Resistencia al drenaje
/(
Resistencia de carga
+
Resistencia al drenaje
))
Factor de amplificación para el modelo MOSFET de pequeña señal
Vamos
Factor de amplificación
= 1/
Trayectoria libre media de electrones
*
sqrt
((2*
Parámetro de transconductancia del proceso
)/
Corriente de drenaje
)
Corriente de entrada de señal pequeña
Vamos
Corriente de entrada de señal pequeña
= (
Voltaje crítico
*((1+
Transconductancia
*
Resistencia autoinducida
)/
Resistencia autoinducida
))
Transconductancia dados parámetros de señal pequeños
Vamos
Transconductancia
= 2*
Parámetro de transconductancia
*(
Componente CC de la puerta a la fuente de voltaje
-
voltaje total
)
Ganancia de voltaje usando señal pequeña
Vamos
Ganancia de voltaje
=
Transconductancia
*1/(1/
Resistencia de carga
+1/
Resistencia finita
)
Voltaje de salida de señal pequeña
Vamos
Tensión de salida
=
Transconductancia
*
Voltaje de fuente a puerta
*
Resistencia de carga
Puerta a fuente de voltaje en señal pequeña
Vamos
Voltaje crítico
=
Voltaje de entrada
/(1+
Resistencia autoinducida
*
Transconductancia
)
Corriente de drenaje de señal pequeña MOSFET
Vamos
Corriente de drenaje
= 1/(
Trayectoria libre media de electrones
*
Resistencia de salida
)
Factor de amplificación en el modelo MOSFET de pequeña señal
Vamos
Factor de amplificación
=
Transconductancia
*
Resistencia de salida
Corriente de entrada de señal pequeña Fórmula
Corriente de entrada de señal pequeña
= (
Voltaje crítico
*((1+
Transconductancia
*
Resistencia autoinducida
)/
Resistencia autoinducida
))
i
in
= (
V
c
*((1+
g
m
*
R
si
)/
R
si
))
Inicio
GRATIS PDF
🔍
Búsqueda
Categorías
Compartir
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!