Calculadora Ganancia intrínseca del amplificador IC

✖El voltaje inicial depende completamente de la tecnología del proceso, con dimensiones de voltios por micra. Normalmente, Vⓘ Voltaje temprano [V_e]			+10% -10%
✖El voltaje de sobremarcha o voltaje de sobremarcha es el exceso de voltaje a través del óxido sobre el voltaje térmico.ⓘ Voltaje de sobremarcha [V_ov]			+10% -10%

✖La ganancia intrínseca se define como la ganancia máxima de un amplificador IC.ⓘ Ganancia intrínseca del amplificador IC [G_i]

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Fórmula

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Ganancia intrínseca del amplificador IC

Fórmula

`"G"_{"i"} = 2*"V"_{"e"}/"V"_{"ov"}`

Ejemplo

`"96"=2*"0.012V/μm"/"250V"`

Calculadora

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Ganancia intrínseca del amplificador IC Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Ganancia intrínseca = 2*Voltaje temprano/Voltaje de sobremarcha
G_i = 2*V_e/V_ov
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Ganancia intrínseca - La ganancia intrínseca se define como la ganancia máxima de un amplificador IC.
Voltaje temprano - (Medido en voltios por metro) - El voltaje inicial depende completamente de la tecnología del proceso, con dimensiones de voltios por micra. Normalmente, V
Voltaje de sobremarcha - (Medido en Voltio) - El voltaje de sobremarcha o voltaje de sobremarcha es el exceso de voltaje a través del óxido sobre el voltaje térmico.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Voltaje temprano: 0.012 Voltios por micrómetro --> 12000 voltios por metro (Verifique la conversión aquí)
Voltaje de sobremarcha: 250 Voltio --> 250 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

G_i = 2*V_e/V_ov --> 2*12000/250

Evaluar ... ...

G_i = 96

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

96 --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

96 <-- Ganancia intrínseca

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnología (LIENDRE), Hamirpur

¡Anshika Arya ha verificado esta calculadora y 2500+ más calculadoras!

< 10+ Amplificadores CI Calculadoras

Resistencia de salida de la fuente de corriente Widlar

Vamos Resistencia de salida de la fuente de corriente Widlar = (1+Transconductancia)*((1/Resistencia del emisor)+(1/Resistencia de entrada de señal pequeña b/n Base-emisor))*Resistencia de salida finita

Resistencia del emisor en fuente de corriente Widlar

Vamos Resistencia del emisor = (Voltaje umbral/Corriente de salida)*log10(Corriente de referencia/Corriente de salida)

Corriente de salida

Vamos Corriente de salida dada la corriente de referencia = Corriente de referencia*(Corriente en el transistor 2/Corriente en el transistor 1)

Resistencia de salida del espejo Wilson MOS

Vamos Resistencia de salida = (Transconductancia 3*Resistencia de salida finita 3)*Resistencia de salida finita 2

Resistencia de salida del espejo de corriente Wilson

Vamos Resistencia de salida del espejo actual de Wilson = (Ganancia de corriente del transistor 1*Resistencia de salida finita 3)/2

Corriente de referencia del amplificador IC

Vamos Corriente de referencia = Corriente de salida*(Relación de aspecto/Relación de aspecto 1)

Corriente de salida del espejo de corriente Wilson

Vamos Corriente de salida = Corriente de referencia*(1/(1+(2/Ganancia de corriente del transistor^2)))

Corriente de referencia del espejo de corriente de Wilson

Vamos Corriente de referencia = (1+2/Ganancia de corriente del transistor^2)*Corriente de salida

Resistencia de salida finita del amplificador IC

Vamos Resistencia de salida finita = Cambio en el voltaje de salida/Cambio en la corriente

Ganancia intrínseca del amplificador IC

Vamos Ganancia intrínseca = 2*Voltaje temprano/Voltaje de sobremarcha

Ganancia intrínseca del amplificador IC Fórmula

Ganancia intrínseca = 2*Voltaje temprano/Voltaje de sobremarcha
G_i = 2*V_e/V_ov

¿Qué transistor tiene mayor ganancia BJT o MOS y por qué?

BJT tiene más ganancia que MOSFET porque MOSFET muestra características IV cuadráticas y BJT muestra características IV exponenciales y el cambio en el comportamiento exponencial es mayor en comparación con el comportamiento cuadrático.

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