✖El parámetro de transconductancia de proceso en PMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.ⓘ Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS [k'p] | | | +10% -10% |
✖La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuenteⓘ Relación de aspecto [WL] | | | +10% -10% |
✖El voltaje entre la puerta y la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) se conoce como voltaje puerta-fuente (VGS). Es un parámetro importante que afecta el funcionamiento del FET.ⓘ Voltaje entre puerta y fuente [VGS] | | | +10% -10% |
✖El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.ⓘ Voltaje de umbral [VT] | | | +10% -10% |
✖El voltaje entre el drenaje y la fuente es un parámetro clave en el funcionamiento de un transistor de efecto de campo (FET) y, a menudo, se lo denomina "voltaje entre el drenaje y la fuente" o VDS.ⓘ Voltaje entre drenaje y fuente [VDS] | | | +10% -10% |
✖El voltaje inicial depende completamente de la tecnología del proceso, con las dimensiones de voltios por micrón.ⓘ Voltaje temprano [Va] | | | +10% -10% |