Resistencia térmica entre la unión y el ambiente Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Resistencia térmica entre unión y ambiente. = Transistores de diferencia de temperatura/Consumo de energía del chip
Θj = ΔT/Pchip
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Resistencia térmica entre unión y ambiente. - (Medido en kelvin/vatio) - La resistencia térmica entre la unión y el ambiente se define como el aumento de la resistencia debido al efecto de calentamiento en la unión.
Transistores de diferencia de temperatura - (Medido en Kelvin) - Los transistores de diferencia de temperatura se indican con el símbolo ΔT.
Consumo de energía del chip - (Medido en Vatio) - El consumo de energía del chip es la energía consumida por el chip integrado cuando la corriente fluye a través de él.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Transistores de diferencia de temperatura: 2.4 Kelvin --> 2.4 Kelvin No se requiere conversión
Consumo de energía del chip: 0.797 milivatio --> 0.000797 Vatio (Verifique la conversión aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Θj = ΔT/Pchip --> 2.4/0.000797
Evaluar ... ...
Θj = 3011.29234629862
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
3011.29234629862 kelvin/vatio -->3.01129234629862 Kelvin por milivatio (Verifique la conversión aquí)
RESPUESTA FINAL
3.01129234629862 3.011292 Kelvin por milivatio <-- Resistencia térmica entre unión y ambiente.
(Cálculo completado en 00.006 segundos)

Créditos

Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

20 Subsistema de propósito especial CMOS Calculadoras

Resistencia en serie desde la matriz hasta el paquete
Vamos Resistencia en serie desde la matriz hasta el paquete = Resistencia térmica entre unión y ambiente.-Resistencia en serie del paquete al aire
Resistencia en serie del paquete al aire
Vamos Resistencia en serie del paquete al aire = Resistencia térmica entre unión y ambiente.-Resistencia en serie desde la matriz hasta el paquete
Poder del inversor
Vamos Potencia del inversor = (Retraso de cadenas-(Esfuerzo eléctrico 1+Esfuerzo eléctrico 2))/2
Esfuerzo eléctrico del inversor 1
Vamos Esfuerzo eléctrico 1 = Retraso de cadenas-(Esfuerzo eléctrico 2+2*Potencia del inversor)
Inversor de esfuerzo eléctrico 2
Vamos Esfuerzo eléctrico 2 = Retraso de cadenas-(Esfuerzo eléctrico 1+2*Potencia del inversor)
Retardo para dos inversores en serie
Vamos Retraso de cadenas = Esfuerzo eléctrico 1+Esfuerzo eléctrico 2+2*Potencia del inversor
Resistencia térmica entre la unión y el ambiente
Vamos Resistencia térmica entre unión y ambiente. = Transistores de diferencia de temperatura/Consumo de energía del chip
Diferencia de temperatura entre transistores
Vamos Transistores de diferencia de temperatura = Resistencia térmica entre unión y ambiente.*Consumo de energía del chip
Consumo de energía del chip
Vamos Consumo de energía del chip = Transistores de diferencia de temperatura/Resistencia térmica entre unión y ambiente.
Función de transferencia de PLL
Vamos Función de transferencia PLL = Fase de reloj de salida PLL/Fase de reloj de referencia de entrada
Error del detector de fase PLL
Vamos Detector de errores PLL = Fase de reloj de referencia de entrada- Reloj de retroalimentación PLL
Reloj de retroalimentación PLL
Vamos Reloj de retroalimentación PLL = Fase de reloj de referencia de entrada-Detector de errores PLL
Fase de reloj de entrada PLL
Vamos Fase de reloj de referencia de entrada = Fase de reloj de salida PLL/Función de transferencia PLL
Fase de reloj de salida PLL
Vamos Fase de reloj de salida PLL = Función de transferencia PLL*Fase de reloj de referencia de entrada
Cambio en la frecuencia del reloj
Vamos Cambio en la frecuencia del reloj = Distribución en abanico/Frecuencia absoluta
Capacitancia de carga externa
Vamos Capacitancia de carga externa = Distribución en abanico*Capacitancia de entrada
Cambio de fase del reloj
Vamos Cambio de fase del reloj = Fase de reloj de salida PLL/Frecuencia absoluta
Abanico de puerta
Vamos Distribución en abanico = Esfuerzo escénico/Esfuerzo lógico
Esfuerzo escénico
Vamos Esfuerzo escénico = Distribución en abanico*Esfuerzo lógico
Retardo de puerta
Vamos Retardo de puerta = 2^(SRAM de N bits)

Resistencia térmica entre la unión y el ambiente Fórmula

Resistencia térmica entre unión y ambiente. = Transistores de diferencia de temperatura/Consumo de energía del chip
Θj = ΔT/Pchip

¿Cómo se determina el flujo de calor?

El calor generado por un chip fluye desde las uniones del transistor donde se genera a través del sustrato y el paquete. Puede esparcirse a través de un disipador de calor y luego transportarse por el aire por medio de convección. Así como el flujo de corriente está determinado por la diferencia de voltaje y la resistencia eléctrica, el flujo de calor está determinado por la diferencia de temperatura y la resistencia térmica.

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