Température moyenne de la diode en utilisant le bruit à bande latérale unique Calculatrice

✖Le facteur de bruit de la définition de bande latérale unique correspond à une situation où le bruit d'entrée de la source à la fréquence image est totalement exclu du port d'entrée du mélangeur.ⓘ Facteur de bruit d'une seule bande latérale [F_ssb]			+10% -10%
✖La résistance de sortie du générateur de signal est un paramètre de fonctionnement clé qui contrôle le générateur de signal de génération de courant lorsqu'il est utilisé comme source d'alimentation.ⓘ Résistance de sortie du générateur de signal [R_g]			+10% -10%
✖La température ambiante est la température de l'environnement.ⓘ Température ambiante [T₀]			+10% -10%
✖La résistance de diode peut être définie comme l'opposition effective offerte par la diode au flux de courant qui la traverse.ⓘ Résistance des diodes [R_d]			+10% -10%

✖La température de diode est la mesure de la chaleur qui circule dans la diode préférentiellement dans une direction.ⓘ Température moyenne de la diode en utilisant le bruit à bande latérale unique [T_d]

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Formule

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Température moyenne de la diode en utilisant le bruit à bande latérale unique

Formule

`"T"_{"d"} = ("F"_{"ssb"}-2)*(("R"_{"g"}*"T"_{"0"})/(2*"R"_{"d"}))`

Exemple

`"289.9286K"=("14.3dB"-2)*(("33Ω"*"300K")/(2*"210Ω"))`

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Température moyenne de la diode en utilisant le bruit à bande latérale unique Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Température des diodes = (Facteur de bruit d'une seule bande latérale-2)*((Résistance de sortie du générateur de signal*Température ambiante)/(2*Résistance des diodes))
T_d = (F_ssb-2)*((R_g*T₀)/(2*R_d))
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Température des diodes - (Mesuré en Kelvin) - La température de diode est la mesure de la chaleur qui circule dans la diode préférentiellement dans une direction.
Facteur de bruit d'une seule bande latérale - (Mesuré en Décibel) - Le facteur de bruit de la définition de bande latérale unique correspond à une situation où le bruit d'entrée de la source à la fréquence image est totalement exclu du port d'entrée du mélangeur.
Résistance de sortie du générateur de signal - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie du générateur de signal est un paramètre de fonctionnement clé qui contrôle le générateur de signal de génération de courant lorsqu'il est utilisé comme source d'alimentation.
Température ambiante - (Mesuré en Kelvin) - La température ambiante est la température de l'environnement.
Résistance des diodes - (Mesuré en Ohm) - La résistance de diode peut être définie comme l'opposition effective offerte par la diode au flux de courant qui la traverse.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Facteur de bruit d'une seule bande latérale: 14.3 Décibel --> 14.3 Décibel Aucune conversion requise
Résistance de sortie du générateur de signal: 33 Ohm --> 33 Ohm Aucune conversion requise
Température ambiante: 300 Kelvin --> 300 Kelvin Aucune conversion requise
Résistance des diodes: 210 Ohm --> 210 Ohm Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

T_d = (F_ssb-2)*((R_g*T₀)/(2*R_d)) --> (14.3-2)*((33*300)/(2*210))

Évaluer ... ...

T_d = 289.928571428571

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

289.928571428571 Kelvin --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

289.928571428571 ≈ 289.9286 Kelvin <-- Température des diodes

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 16 Circuits non linéaires Calculatrices

Température ambiante

Aller Température ambiante = (2*Température des diodes*((1/(Coefficient de couplage*Facteur Q))+(1/((Coefficient de couplage*Facteur Q)^2))))/(Figure de bruit du convertisseur élévateur-1)

Température moyenne de la diode en utilisant le bruit à bande latérale unique

Aller Température des diodes = (Facteur de bruit d'une seule bande latérale-2)*((Résistance de sortie du générateur de signal*Température ambiante)/(2*Résistance des diodes))

Facteur de bruit d'une seule bande latérale

Aller Facteur de bruit d'une seule bande latérale = 2+((2*Température des diodes*Résistance des diodes)/(Résistance de sortie du générateur de signal*Température ambiante))

Figure de bruit de la bande latérale double

Aller Figure de bruit de la bande latérale double = 1+((Température des diodes*Résistance des diodes)/(Résistance de sortie du générateur de signal*Température ambiante))

Coefficient de réflexion de tension de la diode tunnel

Aller Coefficient de réflexion de tension = (Diode tunnel d'impédance-Impédance caractéristique)/(Diode tunnel d'impédance+Impédance caractéristique)

Gain d'amplificateur de la diode tunnel

Aller Gain d'amplificateur de la diode tunnel = Résistance négative dans la diode tunnel/(Résistance négative dans la diode tunnel-Résistance de charge)

Rapport résistance négative sur résistance série

Aller Rapport résistance négative sur résistance série = Résistance négative équivalente/Résistance série totale à la fréquence de ralenti

Puissance de sortie de la diode du tunnel

Aller Puissance de sortie de la diode tunnel = (Diode tunnel de tension*Diode tunnel de courant)/(2*pi)

Bande passante utilisant le facteur de qualité dynamique

Aller Bande passante = Facteur Q dynamique/(Fréquence angulaire*Résistance série de la diode)

Facteur Q dynamique

Aller Facteur Q dynamique = Bande passante/(Fréquence angulaire*Résistance série de la diode)

Tension maximale appliquée à travers la diode

Aller Tension appliquée maximale = Champ électrique maximal*Durée d'épuisement

Courant appliqué maximum à travers la diode

Aller Courant appliqué maximal = Tension appliquée maximale/Impédance réactive

Impédance réactive

Aller Impédance réactive = Tension appliquée maximale/Courant appliqué maximal

Conductance négative de la diode tunnel

Aller Diode tunnel à conductance négative = 1/(Résistance négative dans la diode tunnel)

Magnitude de la résistance négative

Aller Résistance négative dans la diode tunnel = 1/(Diode tunnel à conductance négative)

Gain de puissance de la diode tunnel

Aller Gain de puissance de la diode tunnel = Coefficient de réflexion de tension^2

Température moyenne de la diode en utilisant le bruit à bande latérale unique Formule

Qu'est-ce que le transistor homo-jonction?

Lorsque la jonction du transistor est reliée par deux matériaux similaires tels que le silicium au silicium ou le germanium au germanium, on parle de transistor à homo jonction.

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