Facteur de transport de base Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Facteur de transport de base = Courant de collecteur/Courant de base
β = Ic/Ib
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Facteur de transport de base - Le facteur de transport de base est défini comme le facteur de courant de base requis pour transférer le courant de l'émetteur vers le collecteur du transistor BJT.
Courant de collecteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant de collecteur est défini comme le courant traversant la borne de collecteur d'un transistor.
Courant de base - (Mesuré en Ampère) - Le courant de base est le courant traversant la borne de base d'un transistor à jonction bipolaire. Le courant de base est généralement de 1% du courant d'émetteur ou de collecteur pour les transistors à petit signal.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Courant de collecteur: 1.1 Milliampère --> 0.0011 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Courant de base: 0.44 Milliampère --> 0.00044 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
β = Ic/Ib --> 0.0011/0.00044
Évaluer ... ...
β = 2.5
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
2.5 --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
2.5 <-- Facteur de transport de base
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Créé par Akshada Kulkarni
Institut national des technologies de l'information (NIIT), Neemrana
Akshada Kulkarni a créé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!
Vérifié par Équipe Softusvista
Bureau de Softusvista (Pune), Inde
Équipe Softusvista a validé cette calculatrice et 1100+ autres calculatrices!

13 Paramètres de fonctionnement des transistors Calculatrices

Courant de vidange
Aller Courant de vidange = Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde de grille*(Largeur de jonction de porte/Longueur de porte)*(Tension de source de grille- Tension de seuil)*Tension de saturation de la source de drain
Efficacité de l'émetteur
Aller Efficacité de l'émetteur = Courant de diffusion d'électrons/(Courant de diffusion d'électrons+Courant de diffusion de trou)
Courant de base utilisant le facteur d'amplification de courant
Aller Courant de base = Courant de l'émetteur*(1-Facteur d'amplification actuel)-Courant de fuite de la base du collecteur
Tension collecteur-émetteur
Aller Tension d'émetteur de collecteur = Tension du collecteur commun-Courant de collecteur*Résistance du collecteur
Courant de fuite du collecteur à l'émetteur
Aller Courant de fuite collecteur-émetteur = (Facteur de transport de base+1)*Courant de fuite de la base du collecteur
Facteur d'amplification actuel utilisant le facteur de transport de base
Aller Facteur d'amplification actuel = Facteur de transport de base/(Facteur de transport de base+1)
Courant de collecteur utilisant le facteur d'amplification de courant
Aller Courant de collecteur = Facteur d'amplification actuel*Courant de l'émetteur
Facteur d'amplification actuel
Aller Facteur d'amplification actuel = Courant de collecteur/Courant de l'émetteur
Courant de collecteur utilisant le facteur de transport de base
Aller Courant de collecteur = Facteur de transport de base*Courant de base
Facteur de transport de base
Aller Facteur de transport de base = Courant de collecteur/Courant de base
Courant d'émetteur
Aller Courant de l'émetteur = Courant de base+Courant de collecteur
Gain de courant du collecteur commun
Aller Gain de courant du collecteur commun = Facteur de transport de base+1
Résistance dynamique de l'émetteur
Aller Résistance dynamique de l'émetteur = 0.026/Courant de l'émetteur

Facteur de transport de base Formule

Facteur de transport de base = Courant de collecteur/Courant de base
β = Ic/Ib

Définir le facteur de transport de base

Comme la résistance de charge (RL) est connectée en série avec le collecteur, le gain de courant de la configuration de transistor émetteur commun est assez grand car c'est le rapport Ic / Ib. Un gain de courant de transistors reçoit le symbole grec de Beta, (β) .Depuis que la relation électrique entre ces trois courants, Ib, Ic et Ie est déterminée par la construction physique du transistor lui-même, tout petit changement du courant de base (Ib ), entraînera un changement beaucoup plus important du courant du collecteur (Ic). Ensuite, de petits changements de courant circulant dans la base contrôleront ainsi le courant dans le circuit émetteur-collecteur.

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