Énergie de bande de conduction Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Énergie de bande de conduction = Déficit énergétique+Énergie de la bande de Valence
Ec = Eg+Ev
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Énergie de bande de conduction - (Mesuré en Joule) - L'énergie de bande de conduction est la bande d'énergie dans un matériau où les électrons sont libres de se déplacer et de participer à la conduction électrique.
Déficit énergétique - (Mesuré en Joule) - Écart d'énergie en physique du solide , un écart d'énergie est une plage d'énergie dans un solide où aucun état électronique n'existe.
Énergie de la bande de Valence - (Mesuré en Joule) - L'énergie de la bande de valence est définie comme le niveau d'énergie le plus élevé dans la bande de valence.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Déficit énergétique: 0.198 Électron-volt --> 3.17231111340001E-20 Joule (Vérifiez la conversion ​ici)
Énergie de la bande de Valence: 17.302 Électron-volt --> 2.77208721636601E-18 Joule (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Ec = Eg+Ev --> 3.17231111340001E-20+2.77208721636601E-18
Évaluer ... ...
Ec = 2.80381032750001E-18
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
2.80381032750001E-18 Joule -->17.5 Électron-volt (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
17.5 Électron-volt <-- Énergie de bande de conduction
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
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Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

20 Bande d'énergie Calculatrices

Concentration de transporteur intrinsèque
​ Aller Concentration de transporteur intrinsèque = sqrt(Densité effective d'état dans la bande de Valence*Densité effective d'état dans la bande de conduction)*exp(-Déficit énergétique/(2*[BoltZ]*Température))
Durée de vie du transporteur
​ Aller Durée de vie du transporteur = 1/(Proportionnalité pour la recombinaison*(Concentration de trous dans la bande de cantonnière+Concentration d'électrons dans la bande de conduction))
Concentration d'électrons à l'état d'équilibre
​ Aller Concentration de transporteur à l'état d'équilibre = Concentration d'électrons dans la bande de conduction+Concentration excessive de porteurs
Énergie de l'électron étant donné la constante de Coulomb
​ Aller Énergie de l'électron = (Nombre quantique^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Longueur potentielle du puits^2)
Durée de vie de la recombinaison
​ Aller Durée de vie de la recombinaison = (Proportionnalité pour la recombinaison*Concentration de trous dans la bande de cantonnière)^-1
Concentration dans la bande de conduction
​ Aller Concentration d'électrons dans la bande de conduction = Densité effective d'état dans la bande de conduction*Fonction de Fermi
Densité effective d'état
​ Aller Densité effective d'état dans la bande de conduction = Concentration d'électrons dans la bande de conduction/Fonction de Fermi
Fonction Fermi
​ Aller Fonction de Fermi = Concentration d'électrons dans la bande de conduction/Densité effective d'état dans la bande de conduction
État de densité efficace dans la bande de Valence
​ Aller Densité effective d'état dans la bande de Valence = Concentration de trous dans la bande de cantonnière/(1-Fonction de Fermi)
Concentration de trous dans la bande de Valence
​ Aller Concentration de trous dans la bande de cantonnière = Densité effective d'état dans la bande de Valence*(1-Fonction de Fermi)
Coefficient de distribution
​ Aller Coefficient de répartition = Concentration d'impuretés dans le solide/Concentration d'impuretés dans le liquide
Concentration liquide
​ Aller Concentration d'impuretés dans le liquide = Concentration d'impuretés dans le solide/Coefficient de répartition
Taux net de changement dans la bande de conduction
​ Aller Proportionnalité pour la recombinaison = Génération thermique/(Concentration de transporteur intrinsèque^2)
Taux de génération thermique
​ Aller Génération thermique = Proportionnalité pour la recombinaison*(Concentration de transporteur intrinsèque^2)
Concentration excessive de porteurs
​ Aller Concentration excessive de porteurs = Taux de génération optique*Durée de vie de la recombinaison
Taux de génération optique
​ Aller Taux de génération optique = Concentration excessive de porteurs/Durée de vie de la recombinaison
Énergie de la bande de Valence
​ Aller Énergie de la bande de Valence = Énergie de bande de conduction-Déficit énergétique
Énergie de bande de conduction
​ Aller Énergie de bande de conduction = Déficit énergétique+Énergie de la bande de Valence
Déficit énergétique
​ Aller Déficit énergétique = Énergie de bande de conduction-Énergie de la bande de Valence
Énergie photoélectronique
​ Aller Énergie photoélectronique = [hP]*Fréquence de la lumière incidente

15 Porteurs de semi-conducteurs Calculatrices

Concentration de transporteur intrinsèque
​ Aller Concentration de transporteur intrinsèque = sqrt(Densité effective d'état dans la bande de Valence*Densité effective d'état dans la bande de conduction)*exp(-Déficit énergétique/(2*[BoltZ]*Température))
Durée de vie du transporteur
​ Aller Durée de vie du transporteur = 1/(Proportionnalité pour la recombinaison*(Concentration de trous dans la bande de cantonnière+Concentration d'électrons dans la bande de conduction))
État quantique
​ Aller L'énergie à l'état quantique = (Nombre quantique^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masse de particules*Longueur potentielle du puits^2)
Rayon de la nième orbite de l'électron
​ Aller Rayon de la nième orbite de l'électron = ([Coulomb]*Nombre quantique^2*[hP]^2)/(Masse de particules*[Charge-e]^2)
Densité du flux électronique
​ Aller Densité de flux d'électrons = (Électron de libre parcours moyen/(2*Temps))*Différence de concentration d'électrons
Fonction Fermi
​ Aller Fonction de Fermi = Concentration d'électrons dans la bande de conduction/Densité effective d'état dans la bande de conduction
État de densité efficace dans la bande de Valence
​ Aller Densité effective d'état dans la bande de Valence = Concentration de trous dans la bande de cantonnière/(1-Fonction de Fermi)
Coefficient de distribution
​ Aller Coefficient de répartition = Concentration d'impuretés dans le solide/Concentration d'impuretés dans le liquide
Concentration excessive de porteurs
​ Aller Concentration excessive de porteurs = Taux de génération optique*Durée de vie de la recombinaison
Densité de courant électronique
​ Aller Densité de courant électronique = Densité totale de courant porteur-Densité de courant de trou
Temps moyen passé par trou
​ Aller Temps moyen passé par trou = Taux de génération optique*Décroissance des porteurs majoritaires
Densité de courant de trou
​ Aller Densité de courant de trou = Densité totale de courant porteur-Densité de courant électronique
Multiplication d'électrons
​ Aller Multiplication d'électrons = Nombre d'électrons hors région/Nombre d'électrons dans la région
Énergie de bande de conduction
​ Aller Énergie de bande de conduction = Déficit énergétique+Énergie de la bande de Valence
Énergie photoélectronique
​ Aller Énergie photoélectronique = [hP]*Fréquence de la lumière incidente

Énergie de bande de conduction Formule

Énergie de bande de conduction = Déficit énergétique+Énergie de la bande de Valence
Ec = Eg+Ev

Qu'est-ce que la limite de bande dans les semi-conducteurs ?

En physique des semi-conducteurs à l'état solide , un diagramme de bande est un diagramme traçant divers niveaux d'énergie électroniques clés (niveau de Fermi et bords de bande d'énergie à proximité) en fonction d'une certaine dimension spatiale, souvent notée x

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