✖Le paramètre de transconductance de processus dans PMOS (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation de dispositifs semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.ⓘ Paramètre de transconductance de processus dans PMOS [k'p] | | | +10% -10% |
✖Le rapport d'aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C'est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la sourceⓘ Ratio d'aspect [WL] | | | +10% -10% |
✖La tension effective est la tension continue équivalente qui produirait la même quantité de dissipation de puissance dans une charge résistive que la tension alternative mesurée.ⓘ Tension efficace [Vov] | | | +10% -10% |
✖La tension entre le drain et la source est un paramètre clé dans le fonctionnement d'un transistor à effet de champ (FET) et est souvent appelée « tension drain-source » ou VDS.ⓘ Tension entre drain et source [VDS] | | | +10% -10% |