Résistance de drainage de l'amplificateur à faible bruit Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Résistance aux fuites = Gain de tension/Transconductance
Rd = Av/gm
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Résistance aux fuites - (Mesuré en Ohm) - La résistance de drain est la résistance entre le drain du transistor et la sortie de l'amplificateur.
Gain de tension - Le gain de tension est un paramètre crucial pour les amplificateurs à faible bruit car il détermine la capacité de l'amplificateur à amplifier les signaux faibles tout en minimisant le bruit.
Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est une mesure de la quantité de courant que l'amplificateur peut produire pour une tension d'entrée donnée.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Gain de tension: 8 --> Aucune conversion requise
Transconductance: 2.18 Siemens --> 2.18 Siemens Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Rd = Av/gm --> 8/2.18
Évaluer ... ...
Rd = 3.6697247706422
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
3.6697247706422 Ohm --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
3.6697247706422 3.669725 Ohm <-- Résistance aux fuites
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

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Créé par Suma Madhuri
Université VIT (VIT), Chennai
Suma Madhuri a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
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Vérifié par Parminder Singh
Université de Chandigarh (UC), Pendjab
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18 Microélectronique RF Calculatrices

Énergie stockée dans toutes les capacités unitaires
​ Aller Énergie stockée dans toutes les capacités unitaires = (1/2)*Valeur de la capacité unitaire*(sum(x,1,Nombre d'inducteurs,((Valeur du nœud N/Nombre d'inducteurs)^2)*((Tension d'entrée)^2)))
Capacité équivalente pour n spirales empilées
​ Aller Capacité équivalente de N spirales empilées = 4*((sum(x,1,Nombre de spirales empilées-1,Capacité inter-spirale+Capacité du substrat)))/(3*((Nombre de spirales empilées)^2))
Puissance de bruit totale introduite par l'interféreur
​ Aller Puissance de bruit totale de l'interféreur = int(Spectre élargi d'interférences*x,x,Extrémité inférieure du canal souhaité,Extrémité supérieure du canal souhaité)
Facteur de rétroaction de l'amplificateur à faible bruit
​ Aller Facteur de rétroaction = (Transconductance*Impédance source-1)/(2*Transconductance*Impédance source*Gain de tension)
Perte de retour de l'amplificateur à faible bruit
​ Aller Perte de retour = modulus((Impédance d'entrée-Impédance source)/(Impédance d'entrée+Impédance source))^2
Puissance totale perdue en spirale
​ Aller Puissance totale perdue en spirale = sum(x,1,Nombre d'inducteurs,((Courant de branche RC correspondant)^2)*Résistance du substrat)
Facteur de bruit de l'amplificateur à faible bruit
​ Aller Chiffre de bruit = 1+((4*Impédance source)/Résistance aux commentaires)+Facteur de bruit du transistor
Impédance de charge de l'amplificateur à faible bruit
​ Aller Impédance de charge = (Impédance d'entrée-(1/Transconductance))/Facteur de rétroaction
Tension porte à source de l'amplificateur à faible bruit
​ Aller Tension porte à source = ((2*Courant de vidange)/(Transconductance))+Tension de seuil
Impédance d'entrée de l'amplificateur à faible bruit
​ Aller Impédance d'entrée = (1/Transconductance)+Facteur de rétroaction*Impédance de charge
Transconductance de l'amplificateur à faible bruit
​ Aller Transconductance = (2*Courant de vidange)/(Tension porte à source-Tension de seuil)
Courant de drain de l'amplificateur à faible bruit
​ Aller Courant de vidange = (Transconductance*(Tension porte à source-Tension de seuil))/2
Tension de seuil de l'amplificateur à faible bruit
​ Aller Tension de seuil = Tension porte à source-(2*Courant de vidange)/(Transconductance)
Gain de tension de l'amplificateur à faible bruit compte tenu de la chute de tension CC
​ Aller Gain de tension = 2*Chute de tension CC/(Tension porte à source-Tension de seuil)
Impédance de sortie de l'amplificateur à faible bruit
​ Aller Impédance de sortie = (1/2)*(Résistance aux commentaires+Impédance source)
Impédance source de l'amplificateur à faible bruit
​ Aller Impédance source = 2*Impédance de sortie-Résistance aux commentaires
Résistance de drainage de l'amplificateur à faible bruit
​ Aller Résistance aux fuites = Gain de tension/Transconductance
Gain de tension de l'amplificateur à faible bruit
​ Aller Gain de tension = Transconductance*Résistance aux fuites

Résistance de drainage de l'amplificateur à faible bruit Formule

Résistance aux fuites = Gain de tension/Transconductance
Rd = Av/gm

Comment pouvons-nous améliorer la résistance au drain d’un LNA ?

Il existe plusieurs façons d'améliorer la résistance de drain d'un LNA : Utilisez un transistor à faible impédance de sortie. Le transistor de sortie est le transistor chargé de piloter la charge. Le choix d'un transistor à faible impédance de sortie peut contribuer à réduire l'impédance de sortie de l'amplificateur. Utilisez un réseau correspondant. Un réseau d'adaptation est un circuit conçu pour transformer l'impédance de la charge en une valeur plus proche de l'impédance de l'amplificateur. Utilisez une résistance de rétroaction. Une résistance de rétroaction est une résistance connectée entre la sortie de l'amplificateur et l'entrée de l'amplificateur. Cela peut aider à réduire l'impédance de sortie de l'amplificateur.

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