Résistance de l'émetteur de BJT Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Résistance de l'émetteur = Petit Signal/Courant de signal
Re = Vss/isi
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Résistance de l'émetteur - (Mesuré en Ohm) - La résistance de l'émetteur est une résistance dynamique de la diode de jonction émetteur-base d'un transistor.
Petit Signal - (Mesuré en Volt) - Un petit signal est un signal alternatif (plus techniquement, un signal ayant une valeur moyenne nulle) superposé à un signal de polarisation (ou superposé à un signal continu continu).
Courant de signal - (Mesuré en Ampère) - Le courant de signal est le courant dans le courant de sortie amplifié d'un transistor.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Petit Signal: 3.2 Volt --> 3.2 Volt Aucune conversion requise
Courant de signal: 2.65 Milliampère --> 0.00265 Ampère (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Re = Vss/isi --> 3.2/0.00265
Évaluer ... ...
Re = 1207.54716981132
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
1207.54716981132 Ohm -->1.20754716981132 Kilohm (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
1.20754716981132 1.207547 Kilohm <-- Résistance de l'émetteur
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

15 Résistance Calculatrices

Résistance d'entrée du circuit de porte commun compte tenu de la transconductance
​ Aller Résistance d'entrée = (1/Transconductance)+(Résistance de charge/(Transconductance*Résistance de sortie finie))
Résistance de sortie de BJT
​ Aller Résistance = (Tension d'alimentation+Tension collecteur-émetteur)/Courant de collecteur
Résistance de sortie de l'amplificateur CS lorsque le GMRO est supérieur à 1
​ Aller Résistance de sortie = (1+(Transconductance*Résistance))*Résistance de sortie finie
Résistance d'entrée de petit signal entre la base et l'émetteur utilisant la transconductance
​ Aller Résistance du signal = Gain de courant de l'émetteur commun/Transconductance
Résistance de sortie du courant simple BJT compte tenu de la tension précoce
​ Aller Résistance de sortie = Tension d'alimentation/Courant de référence
Résistance de sortie de la source de courant donnée Paramètre de l'appareil
​ Aller Résistance de sortie = Paramètre de l'appareil/Courant de vidange
Résistance de sortie du transistor lorsque le courant de base est constant
​ Aller Résistance = -(Tension collecteur-émetteur/Courant de collecteur)
Résistance de l'émetteur en fonction de la tension de seuil
​ Aller Résistance de l'émetteur = Tension de seuil/Courant de l'émetteur
Résistance de l'émetteur donnée Courant de l'émetteur
​ Aller Résistance de l'émetteur = Tension de seuil/Courant de l'émetteur
Résistance de sortie du courant simple BJT
​ Aller Résistance de sortie = Tension d'alimentation/Courant de sortie
Résistance d'entrée de petit signal en fonction du courant de l'émetteur
​ Aller Petit Signal = Courant de signal*Résistance de l'émetteur
Résistance de l'émetteur de BJT
​ Aller Résistance de l'émetteur = Petit Signal/Courant de signal
Résistance d'entrée de BJT
​ Aller Résistance d'entrée = Tension d'entrée/Courant de signal
Résistance d'entrée de petit signal entre la base et l'émetteur utilisant le courant de base
​ Aller Résistance du signal = Tension de seuil/Courant de base
Résistance d'entrée de petit signal entre la base et l'émetteur
​ Aller Résistance du signal = Tension d'entrée/Courant de base

Résistance de l'émetteur de BJT Formule

Résistance de l'émetteur = Petit Signal/Courant de signal
Re = Vss/isi

Pourquoi la résistance d'entrée d'un transistor est faible?

Lors de l'utilisation d'un transistor, la jonction émetteur-base est toujours polarisée en direct et la jonction collecteur-base est toujours polarisée en inverse. En raison de cela, un petit changement dans le courant de l'émetteur. Cela signifie qu'une petite variation de tension de signal à l'entrée du transistor produit une grande variation de courant d'émetteur. Cela a montré que la résistance d'entrée d'un transistor est faible. Le collecteur étant polarisé en inverse, il collecte tous les porteurs de charge qui y diffusent, à travers la base. De ce fait, un très grand changement de la tension du collecteur ne montre qu'un petit changement du courant du collecteur. Cela montre que la résistance de sortie du transistor est élevée.

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