Transconductance directe du FET Calculatrice

✖Le courant de drain est le courant qui traverse la jonction de drain du MOSFET et de l'IGBT.ⓘ Courant de vidange [I_d]			+10% -10%
✖Le gain par rapport à la tension source d'un JFET est le rapport entre la variation de la tension de drain et la variation de la tension source.ⓘ Gain à la tension source [V_(g-s)]			+10% -10%

✖La transconductance directe d'un JFET est maximale à une tension de grille nulle et diminue à mesure que la tension de grille augmente.ⓘ Transconductance directe du FET [G_m]

⎘ Copie

👎

Formule

✖

Transconductance directe du FET

Formule

`"G"_{"m"} = "I"_{"d"}/"V"_{"(g-s)"}`

Exemple

`"2564.103S"="10A"/"0.0039V"`

Calculatrice

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger Électronique de puissance Formule PDF PDF Image

Transconductance directe du FET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Transconductance directe = Courant de vidange/Gain à la tension source
G_m = I_d/V_(g-s)
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Transconductance directe - (Mesuré en Siemens) - La transconductance directe d'un JFET est maximale à une tension de grille nulle et diminue à mesure que la tension de grille augmente.
Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain est le courant qui traverse la jonction de drain du MOSFET et de l'IGBT.
Gain à la tension source - (Mesuré en Volt) - Le gain par rapport à la tension source d'un JFET est le rapport entre la variation de la tension de drain et la variation de la tension source.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Courant de vidange: 10 Ampère --> 10 Ampère Aucune conversion requise
Gain à la tension source: 0.0039 Volt --> 0.0039 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

G_m = I_d/V_(g-s) --> 10/0.0039

Évaluer ... ...

G_m = 2564.10256410256

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

2564.10256410256 Siemens --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

2564.10256410256 ≈ 2564.103 Siemens <-- Transconductance directe

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électrique » Électronique de puissance » Dispositifs à transistors avancés » FET » Transconductance directe du FET

Crédits

Créé par Mohamed Fazil V

Institut de technologie Acharya (ACI), Bangalore

Mohamed Fazil V a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

< 10+ FET Calculatrices

Courant de drainage de la région ohmique du FET

Aller Courant de vidange = Conductance du canal*(Tension de drain vers la source+3/2*((Psi+Gain à la tension source-Tension de drain vers la source)^(3/2)-(Psi+Gain à la tension source)^(3/2))/((Psi+Tension de pincement)^(1/2)))

Transconductance du FET

Aller Transconductance directe = (2*Courant de drain de polarisation nulle)/Tension de pincement*(1-Gain à la tension source/Tension de pincement)

Tension de source de drain du FET

Aller Tension de drain vers la source = Tension d'alimentation au drain-Courant de vidange*(Résistance aux fuites+Résistance à la source)

Courant de drain du FET

Aller Courant de vidange = Courant de drain de polarisation nulle*(1-Gain à la tension source/Gain de coupure par rapport à la tension source)^2

Capacité du substrat de porte du FET

Aller Capacité du substrat de porte = Temps d'arrêt de la capacité du substrat de porte/(1-(Tension du substrat de porte/Psi))^(1/2)

Capacité de drain de grille du FET

Aller Capacité de la porte à drainer = Temps d'arrêt de la capacité de drainage de la porte/(1-Tension de porte à drain/Psi)^(1/3)

Capacité de source de porte du FET

Aller Capacité porte à source = Temps d'arrêt de la capacité de la source de porte/(1-(Gain à la tension source/Psi))^(1/3)

Pincer la tension du FET

Aller Tension de pincement = Pincez le drain vers la tension source-Gain à la tension source

Transconductance directe du FET

Aller Transconductance directe = Courant de vidange/Gain à la tension source

Gain de tension du FET

Aller Gain de tension = -Transconductance directe*Résistance aux fuites

Transconductance directe du FET Formule

Transconductance directe = Courant de vidange/Gain à la tension source
G_m = I_d/V_(g-s)

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!