Capacité de sortie de l'IGBT Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Capacité de sortie = Capacité du collecteur à l’émetteur+Capacité porte à collecteur
Cout = C(c-e)+C(g-c)
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Capacité de sortie - (Mesuré en Farad) - La capacité de sortie d'un IGBT est la capacité entre les bornes collecteur et émetteur de l'appareil. Il s'agit d'une capacité parasite provoquée par la structure physique de l'IGBT.
Capacité du collecteur à l’émetteur - (Mesuré en Farad) - La capacité collecteur-émetteur d’un IGBT est la capacité entre les bornes collecteur et émetteur de l’appareil.
Capacité porte à collecteur - (Mesuré en Farad) - La capacité grille-collecteur, également connue sous le nom de capacité Miller, est une capacité parasite qui existe entre les bornes grille et collecteur d'un IGBT.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Capacité du collecteur à l’émetteur: 0.99 Farad --> 0.99 Farad Aucune conversion requise
Capacité porte à collecteur: 5.55 Farad --> 5.55 Farad Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Cout = C(c-e)+C(g-c) --> 0.99+5.55
Évaluer ... ...
Cout = 6.54
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
6.54 Farad --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
6.54 Farad <-- Capacité de sortie
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Mohamed Fazil V
Institut de technologie Acharya (ACI), Bangalore
Mohamed Fazil V a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Parminder Singh
Université de Chandigarh (UC), Pendjab
Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

10+ IGBT Calculatrices

Courant nominal continu du collecteur de l'IGBT
​ Aller Courant direct = (-Tension totale du collecteur et de l'émetteur+sqrt((Tension totale du collecteur et de l'émetteur)^2+4*Résistance du collecteur et de l'émetteur*((Jonction de fonctionnement maximale-Température du boîtier)/Résistance thermique)))/(2*Résistance du collecteur et de l'émetteur)
Tension de saturation de l'IGBT
​ Aller Tension de saturation du collecteur à l'émetteur = Tension de l'émetteur de base du transistor PNP+Courant de vidange*(Résistance à la conductivité+Résistance du canal N)
Chute de tension dans l'IGBT à l'état ON
​ Aller Chute de tension sur scène = Courant direct*Résistance du canal N+Courant direct*Résistance à la dérive+Tension Pn Jonction 1
Tension de claquage de la polarisation inverse de l'IGBT
​ Aller Tension de claquage dans une zone de fonctionnement sûre = 5.34*10^13*((Courant total du collecteur)/(Charge électrique*Tension de saturation P Base))
Temps d'arrêt de l'IGBT
​ Aller Heure d'arrêt = Temporisation+Temps de chute initial+Dernière heure d'automne
Dissipation de puissance maximale dans l'IGBT
​ Aller Dissipation de puissance maximale = Jonction de fonctionnement maximale/Jonction à l'angle du boîtier
Capacité de sortie de l'IGBT
​ Aller Capacité de sortie = Capacité du collecteur à l’émetteur+Capacité porte à collecteur
Tension de claquage de la polarisation directe de l'IGBT
​ Aller Tension de claquage dans une zone de fonctionnement sûre = (5.34*10^13)/((Charge positive nette)^(3/4))
Capacité d'entrée de l'IGBT
​ Aller Capacité d'entrée = Capacité porte à émetteur+Capacité porte à collecteur
Courant émetteur de l'IGBT
​ Aller Courant de l'émetteur = Courant de trou+Courant électronique

Capacité de sortie de l'IGBT Formule

Capacité de sortie = Capacité du collecteur à l’émetteur+Capacité porte à collecteur
Cout = C(c-e)+C(g-c)
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