Gain intrinsèque de l'amplificateur IC Calculatrice

✖La tension initiale dépend entièrement de la technologie du processus, avec des dimensions en volts par micron. Généralement, Vⓘ Tension précoce [V_e]			+10% -10%
✖La tension de surmultiplication ou la tension de surmultiplication est appelée excès de tension aux bornes de l'oxyde par rapport à la tension thermique.ⓘ Tension de surmultiplication [V_ov]			+10% -10%

✖Le gain intrinsèque est défini comme le gain maximum d'un amplificateur IC.ⓘ Gain intrinsèque de l'amplificateur IC [G_i]

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Formule

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Gain intrinsèque de l'amplificateur IC

Formule

`"G"_{"i"} = 2*"V"_{"e"}/"V"_{"ov"}`

Exemple

`"96"=2*"0.012V/μm"/"250V"`

Calculatrice

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Gain intrinsèque de l'amplificateur IC Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Gain intrinsèque = 2*Tension précoce/Tension de surmultiplication
G_i = 2*V_e/V_ov
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Gain intrinsèque - Le gain intrinsèque est défini comme le gain maximum d'un amplificateur IC.
Tension précoce - (Mesuré en Volt par mètre) - La tension initiale dépend entièrement de la technologie du processus, avec des dimensions en volts par micron. Généralement, V
Tension de surmultiplication - (Mesuré en Volt) - La tension de surmultiplication ou la tension de surmultiplication est appelée excès de tension aux bornes de l'oxyde par rapport à la tension thermique.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension précoce: 0.012 Volt par micromètre --> 12000 Volt par mètre (Vérifiez la conversion ici)
Tension de surmultiplication: 250 Volt --> 250 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

G_i = 2*V_e/V_ov --> 2*12000/250

Évaluer ... ...

G_i = 96

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

96 --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

96 <-- Gain intrinsèque

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Anshika Arya

Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur

Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

< 10+ Amplificateurs CI Calculatrices

Résistance de sortie de la source de courant Widlar

Aller Résistance de sortie de la source de courant Widlar = (1+Transconductance)*((1/Résistance de l'émetteur)+(1/Résistance d'entrée de petit signal n/b base-émetteur))*Résistance de sortie finie

Résistance de l'émetteur dans la source de courant Widlar

Aller Résistance de l'émetteur = (Tension de seuil/Courant de sortie)*log10(Courant de référence/Courant de sortie)

Courant de sortie

Aller Courant de sortie donné Courant de référence = Courant de référence*(Courant dans le transistor 2/Courant dans le transistor 1)

Résistance de sortie du miroir Wilson MOS

Aller Résistance de sortie = (Transconductance 3*Résistance de sortie finie 3)*Résistance de sortie finie 2

Résistance de sortie du miroir de courant Wilson

Aller Résistance de sortie du miroir de courant Wilson = (Gain de courant du transistor 1*Résistance de sortie finie 3)/2

Courant de référence de l'amplificateur IC

Aller Courant de référence = Courant de sortie*(Ratio d'aspect/Rapport hauteur/largeur 1)

Courant de sortie du miroir de courant Wilson

Aller Courant de sortie = Courant de référence*(1/(1+(2/Gain de courant du transistor^2)))

Résistance de sortie finie de l'amplificateur IC

Aller Résistance de sortie finie = Changement de tension de sortie/Changement de courant

Courant de référence du miroir de courant de Wilson

Aller Courant de référence = (1+2/Gain de courant du transistor^2)*Courant de sortie

Gain intrinsèque de l'amplificateur IC

Aller Gain intrinsèque = 2*Tension précoce/Tension de surmultiplication

Gain intrinsèque de l'amplificateur IC Formule

Gain intrinsèque = 2*Tension précoce/Tension de surmultiplication
G_i = 2*V_e/V_ov

Quel transistor a un gain plus élevé BJT ou MOS et pourquoi?

Le BJT a plus de gain que le MOSFET car le MOSFET présente des caractéristiques IV quadratiques et le BJT présente des caractéristiques IV exponentielles et le changement de comportement exponentiel est plus important que le comportement quadratique.

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