Potentiel du drain à la source Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Potentiel de drainage vers la source = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Coefficient DIBL
Vds = (Vt0-Vt)/η
Cette formule utilise 4 Variables
Variables utilisées
Potentiel de drainage vers la source - (Mesuré en Volt) - Le potentiel de drainage vers la source est le potentiel entre le drainage et la source.
Tension de seuil DIBL - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil dibl est définie comme la tension minimale requise par la jonction source du potentiel corporel, lorsque la source est au potentiel corporel.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale requise pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.
Coefficient DIBL - Le coefficient DIBL dans un appareil cmos est généralement représenté de l'ordre de 0,1.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Tension de seuil DIBL: 0.59 Volt --> 0.59 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Aucune conversion requise
Coefficient DIBL: 0.2 --> Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Vds = (Vt0-Vt)/η --> (0.59-0.3)/0.2
Évaluer ... ...
Vds = 1.45
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
1.45 Volt --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
1.45 Volt <-- Potentiel de drainage vers la source
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

16 Conception VLSI analogique Calculatrices

Potentiel entre la source et le corps
Aller Différence potentielle du corps source = Potentiel des surfaces/(2*ln(Concentration d'accepteur/Concentration intrinsèque))
Tension de vidange
Aller Tension du collecteur de base = sqrt(Puissance dynamique/(Fréquence*Capacitance))
Capacité de la porte à drainer
Aller Capacité de la porte à drainer = Capacité de porte-(Capacité porte à base+Capacité porte à source)
Capacité porte à base
Aller Capacité porte à base = Capacité de porte-(Capacité porte à source+Capacité de la porte à drainer)
Capacité porte à source
Aller Capacité porte à source = Capacité de porte-(Capacité porte à base+Capacité de la porte à drainer)
Potentiel du drain à la source
Aller Potentiel de drainage vers la source = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Coefficient DIBL
Tension de porte à canal
Aller Tension porte à canal = (Frais de canal/Capacité de porte)+Tension de seuil
Tension de sortie minimale élevée
Aller Tension de sortie minimale élevée = Marge de bruit élevée+Tension d'entrée minimale élevée
Tension d'entrée minimale élevée
Aller Tension d'entrée minimale élevée = Tension de sortie minimale élevée-Marge de bruit élevée
Marge de bruit élevée
Aller Marge de bruit élevée = Tension de sortie minimale élevée-Tension d'entrée minimale élevée
Tension de sortie basse maximale
Aller Tension de sortie maximale basse = Tension d'entrée basse maximale-Marge à faible bruit
Basse tension d'entrée maximale
Aller Tension d'entrée basse maximale = Marge à faible bruit+Tension de sortie maximale basse
Faible marge de bruit
Aller Marge à faible bruit = Tension d'entrée basse maximale-Tension de sortie maximale basse
Porte vers le potentiel des collectionneurs
Aller Tension porte à canal = (Potentiel porte à source+Porte pour drainer le potentiel)/2
Porte pour drainer le potentiel
Aller Porte pour drainer le potentiel = 2*Tension porte à canal-Potentiel porte à source
Potentiel porte à source
Aller Potentiel porte à source = 2*Tension porte à canal-Porte pour drainer le potentiel

Potentiel du drain à la source Formule

Potentiel de drainage vers la source = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Coefficient DIBL
Vds = (Vt0-Vt)/η

Qu'est-ce que la région d'appauvrissement ?

Lorsque la tension positive est transmise à travers la porte, elle fait que les trous libres (charge positive) sont repoussés ou repoussés de la région du substrat sous la porte. Lorsque ces trous sont poussés vers le bas du substrat, ils laissent derrière eux une région d'appauvrissement des porteurs.

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