Transconductance utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge Calculatrice

✖Le paramètre de transconductance de processus (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation des dispositifs à semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.ⓘ Paramètre de transconductance de processus [k'_n]			+10% -10%
✖Le rapport d'aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C'est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la sourceⓘ Ratio d'aspect [WL]			+10% -10%
✖La tension de surmultiplication est un terme utilisé en électronique et fait référence au niveau de tension appliqué à un appareil ou à un composant qui dépasse sa tension de fonctionnement normale.ⓘ Tension de surmultiplication [V_ov]			+10% -10%

✖La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.ⓘ Transconductance utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge [g_m]

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Formule

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Transconductance utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge

Formule

`"g"_{"m"} = "k'"_{"n"}*"WL"*"V"_{"ov"}`

Exemple

`"0.48mS"="0.015A/V²"*"0.1"*"0.32V"`

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Transconductance utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*Tension de surmultiplication
g_m = k'_n*WL*V_ov
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.
Paramètre de transconductance de processus - (Mesuré en Ampère par volt carré) - Le paramètre de transconductance de processus (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation des dispositifs à semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.
Ratio d'aspect - Le rapport d'aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C'est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la source
Tension de surmultiplication - (Mesuré en Volt) - La tension de surmultiplication est un terme utilisé en électronique et fait référence au niveau de tension appliqué à un appareil ou à un composant qui dépasse sa tension de fonctionnement normale.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Paramètre de transconductance de processus: 0.015 Ampère par volt carré --> 0.015 Ampère par volt carré Aucune conversion requise
Ratio d'aspect: 0.1 --> Aucune conversion requise
Tension de surmultiplication: 0.32 Volt --> 0.32 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

g_m = k'_n*WL*V_ov --> 0.015*0.1*0.32

Évaluer ... ...

g_m = 0.00048

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.00048 Siemens -->0.48 millisiemens (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.48 millisiemens <-- Transconductance

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Anshika Arya

Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur

Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

< 16 Transconductance Calculatrices

Transconductance MOSFET utilisant le paramètre de transconductance de processus

Aller Paramètre de transconductance de processus = Transconductance/(Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil))

Transconductance donnée Process Transconductance Paramètre

Aller Transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Transconductance donnée Courant de drain

Aller Transconductance = sqrt(2*Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*Courant de vidange)

Transconductance MOSFET utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge

Aller Paramètre de transconductance de processus = Transconductance/(Ratio d'aspect*Tension de surmultiplication)

Transconductance utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge

Aller Transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*Tension de surmultiplication

Transconductance du processus en fonction de la transconductance et du courant de drain

Aller Paramètre de transconductance de processus = Transconductance^2/(2*Ratio d'aspect*Courant de vidange)

Drain Current étant donné la transconductance et la transconductance du processus

Aller Courant de vidange = Transconductance^2/(2*Ratio d'aspect*Paramètre de transconductance de processus)

Transconductance MOSFET donnée Paramètre de transconductance

Aller Transconductance = Paramètre de transconductance*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Paramètre de transconductance MOSFET utilisant la transconductance de processus

Aller Paramètre de transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect

Effet corporel sur la transconductance

Aller Transconductance corporelle = Modification du seuil à la tension de base*Transconductance

MOSFET Transconductance étant donné la tension de surcharge

Aller Transconductance = Paramètre de transconductance*Tension de surmultiplication

Paramètre de transconductance de processus du MOSFET

Aller Paramètre de transconductance = Transconductance/Tension de surmultiplication

Transconductance de la porte arrière

Aller Transconductance de la porte arrière = Transconductance*Efficacité de tension

Transconductance MOSFET

Aller Transconductance = Changement du courant de drain/Tension grille-source

Drainer le courant à l'aide de la transconductance

Aller Courant de vidange = (Tension de surmultiplication)*Transconductance/2

Transconductance dans MOSFET

Aller Transconductance = (2*Courant de vidange)/Tension de surmultiplication

Transconductance utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge Formule

Transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*Tension de surmultiplication
g_m = k'_n*WL*V_ov

Quelle est l'utilisation de la transconductance dans le MOSFET?

La transconductance est une expression des performances d'un transistor bipolaire ou d'un transistor à effet de champ (FET). En général, plus le chiffre de transconductance d'un dispositif est élevé, plus le gain (amplification) qu'il est capable de fournir est important, lorsque tous les autres facteurs sont maintenus constants.

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