Gain de tension donné Résistance de charge du MOSFET Calculatrice

✖La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.ⓘ Transconductance [g_m]			+10% -10%
✖La résistance de charge est la résistance externe connectée entre la borne de drain du MOSFET et la tension d'alimentation.ⓘ Résistance à la charge [R_L]			+10% -10%
✖La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.ⓘ Résistance de sortie [R_out]			+10% -10%
✖La résistance de source est une résistance de limitation de courant connectée en série avec la tension d'entrée. Il est utilisé pour limiter le courant maximal circulant dans un circuit.ⓘ Résistance à la source [R_s]			+10% -10%

✖Le gain de tension est une mesure de l'amplification d'un signal électrique par un amplificateur. C'est le rapport de la tension de sortie à la tension d'entrée du circuit, exprimé en décibels (dB).ⓘ Gain de tension donné Résistance de charge du MOSFET [A_v]

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Formule

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Gain de tension donné Résistance de charge du MOSFET

Formule

`"A"_{"v"} = "g"_{"m"}*(1/(1/"R"_{"L"}+1/"R"_{"out"}))/(1+"g"_{"m"}*"R"_{"s"})`

Exemple

`"0.026099"="0.5mS"*(1/(1/"0.28kΩ"+1/"4.5kΩ"))/(1+"0.5mS"*"8.1kΩ")`

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Gain de tension donné Résistance de charge du MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Gain de tension = Transconductance*(1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie))/(1+Transconductance*Résistance à la source)
A_v = g_m*(1/(1/R_L+1/R_out))/(1+g_m*R_s)
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Gain de tension - Le gain de tension est une mesure de l'amplification d'un signal électrique par un amplificateur. C'est le rapport de la tension de sortie à la tension d'entrée du circuit, exprimé en décibels (dB).
Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.
Résistance à la charge - (Mesuré en Ohm) - La résistance de charge est la résistance externe connectée entre la borne de drain du MOSFET et la tension d'alimentation.
Résistance de sortie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.
Résistance à la source - (Mesuré en Ohm) - La résistance de source est une résistance de limitation de courant connectée en série avec la tension d'entrée. Il est utilisé pour limiter le courant maximal circulant dans un circuit.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Transconductance: 0.5 millisiemens --> 0.0005 Siemens (Vérifiez la conversion ici)
Résistance à la charge: 0.28 Kilohm --> 280 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Résistance de sortie: 4.5 Kilohm --> 4500 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Résistance à la source: 8.1 Kilohm --> 8100 Ohm (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

A_v = g_m*(1/(1/R_L+1/R_out))/(1+g_m*R_s) --> 0.0005*(1/(1/280+1/4500))/(1+0.0005*8100)

Évaluer ... ...

A_v = 0.0260988441940428

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.0260988441940428 --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.0260988441940428 ≈ 0.026099 <-- Gain de tension

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 6 Facteur/Gain d'amplification Calculatrices

Gain de tension donné Résistance de charge du MOSFET

Aller Gain de tension = Transconductance*(1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie))/(1+Transconductance*Résistance à la source)

Gain de tension maximal au point de polarisation

Aller Gain de tension maximal = 2*(Tension d'alimentation-Tension efficace)/(Tension efficace)

Gain de tension donné Tension de drain

Aller Gain de tension = (Courant de vidange*Résistance à la charge*2)/Tension efficace

Gain de tension déphasé utilisant la transconductance

Aller Gain de tension de déphasage = -(Transconductance*Résistance à la charge)

Gain de tension maximum compte tenu de toutes les tensions

Aller Gain de tension maximal = (Tension d'alimentation-0.3)/Tension thermique

Gain de tension à l'aide d'un seul composant de la tension de drain

Aller Gain de tension = Tension de vidange/Signal d'entrée

< 15 Caractéristiques du MOSFET Calculatrices

Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source

Aller Conductance du canal = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Gain de tension donné Résistance de charge du MOSFET

Aller Gain de tension = Transconductance*(1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie))/(1+Transconductance*Résistance à la source)

Fréquence de transition du MOSFET

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Largeur du canal porte à source du MOSFET

Aller Largeur de canal = Capacité de chevauchement/(Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement)

Gain de tension maximal au point de polarisation

Aller Gain de tension maximal = 2*(Tension d'alimentation-Tension efficace)/(Tension efficace)

Gain de tension en utilisant un petit signal

Aller Gain de tension = Transconductance*1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance finie)

Gain de tension donné Tension de drain

Aller Gain de tension = (Courant de vidange*Résistance à la charge*2)/Tension efficace

Effet corporel sur la transconductance

Aller Transconductance corporelle = Modification du seuil à la tension de base*Transconductance

Tension de polarisation du MOSFET

Aller Tension de polarisation instantanée totale = Tension de polarisation CC+Tension continue

Tension de saturation du MOSFET

Aller Tension de saturation du drain et de la source = Tension grille-source-Tension de seuil

Gain de tension maximum compte tenu de toutes les tensions

Aller Gain de tension maximal = (Tension d'alimentation-0.3)/Tension thermique

Transconductance dans MOSFET

Aller Transconductance = (2*Courant de vidange)/Tension de surmultiplication

Facteur d'amplification dans le modèle MOSFET à petit signal

Aller Facteur d'amplification = Transconductance*Résistance de sortie

Tension de seuil du MOSFET

Aller Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace

Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET

Aller Conductance du canal = 1/Résistance linéaire

Gain de tension donné Résistance de charge du MOSFET Formule

Gain de tension = Transconductance*(1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie))/(1+Transconductance*Résistance à la source)
A_v = g_m*(1/(1/R_L+1/R_out))/(1+g_m*R_s)

Qu'est-ce que le gain de tension?

La différence entre le niveau de tension du signal de sortie en décibels et le niveau de tension du signal d'entrée en décibels; cette valeur est égale à 20 fois le logarithme commun du rapport de la tension de sortie à la tension d'entrée.

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