Résistance de drainage de l'amplificateur Cascode Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Résistance aux fuites = (Gain de tension de sortie/(Transconductance primaire MOSFET^2*Résistance de sortie finie))
Rd = (Avo/(gmp^2*Rout))
Cette formule utilise 4 Variables
Variables utilisées
Résistance aux fuites - (Mesuré en Ohm) - La résistance de drain est le rapport entre la variation de la tension drain-source et la variation correspondante du courant de drain pour une tension grille-source constante.
Gain de tension de sortie - Le gain de tension de sortie est la différence entre le niveau de tension du signal de sortie en décibels et le niveau de tension du signal d'entrée en décibels.
Transconductance primaire MOSFET - (Mesuré en Siemens) - La transconductance primaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.
Résistance de sortie finie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie finie est une mesure de la variation de l'impédance de sortie du transistor en fonction des changements dans la tension de sortie.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Gain de tension de sortie: 49.31 --> Aucune conversion requise
Transconductance primaire MOSFET: 19.77 millisiemens --> 0.01977 Siemens (Vérifiez la conversion ​ici)
Résistance de sortie finie: 0.35 Kilohm --> 350 Ohm (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Rd = (Avo/(gmp^2*Rout)) --> (49.31/(0.01977^2*350))
Évaluer ... ...
Rd = 360.457129231264
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
360.457129231264 Ohm -->0.360457129231264 Kilohm (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
0.360457129231264 0.360457 Kilohm <-- Résistance aux fuites
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

5 Amplificateur Cascode Calculatrices

Gain de tension cascode bipolaire en circuit ouvert
​ Aller Gain de tension cascode bipolaire = -Transconductance primaire MOSFET*(Transconductance secondaire MOSFET*Résistance de sortie finie)*(1/Résistance de sortie finie du transistor 1+1/Résistance d'entrée de petit signal)^-1
Résistance de drainage de l'amplificateur Cascode
​ Aller Résistance aux fuites = (Gain de tension de sortie/(Transconductance primaire MOSFET^2*Résistance de sortie finie))
Gain de tension de sortie de l'amplificateur MOS Cascode
​ Aller Gain de tension de sortie = -Transconductance primaire MOSFET^2*Résistance de sortie finie*Résistance aux fuites
Résistance équivalente de l'amplificateur Cascode
​ Aller Résistance entre le drain et la terre = (1/Résistance de sortie finie du transistor 1+1/Résistance d'entrée)^-1
Gain de tension négatif de l'amplificateur Cascode
​ Aller Gain de tension négatif = -(Transconductance primaire MOSFET*Résistance entre le drain et la terre)

15 Amplificateurs à transistors à plusieurs étages Calculatrices

Gain de tension cascode bipolaire en circuit ouvert
​ Aller Gain de tension cascode bipolaire = -Transconductance primaire MOSFET*(Transconductance secondaire MOSFET*Résistance de sortie finie)*(1/Résistance de sortie finie du transistor 1+1/Résistance d'entrée de petit signal)^-1
Résistance de sortie de l'émetteur suiveur
​ Aller Résistance finie = (1/Résistance à la charge+1/Tension du petit signal+1/Résistance de l'émetteur)+(1/Impédance de base+1/Résistance du signal)/(Gain de courant de base du collecteur+1)
Résistance de drainage de l'amplificateur Cascode
​ Aller Résistance aux fuites = (Gain de tension de sortie/(Transconductance primaire MOSFET^2*Résistance de sortie finie))
Courant de collecteur dans la région active lorsque le transistor agit comme amplificateur
​ Aller Courant du collecteur = Courant de saturation*e^(Tension aux bornes de la jonction base-émetteur/Tension de seuil)
Courant de saturation de l'émetteur suiveur
​ Aller Courant de saturation = Courant du collecteur/e^(Tension aux bornes de la jonction base-émetteur/Tension de seuil)
Gain de tension de sortie de l'amplificateur MOS Cascode
​ Aller Gain de tension de sortie = -Transconductance primaire MOSFET^2*Résistance de sortie finie*Résistance aux fuites
Résistance équivalente de l'amplificateur Cascode
​ Aller Résistance entre le drain et la terre = (1/Résistance de sortie finie du transistor 1+1/Résistance d'entrée)^-1
Gain de tension négatif de l'amplificateur Cascode
​ Aller Gain de tension négatif = -(Transconductance primaire MOSFET*Résistance entre le drain et la terre)
Résistance d'entrée de l'émetteur suiveur
​ Aller Résistance d'entrée = 1/(1/Résistance du signal dans la base+1/Résistance de base)
Résistance de base à la jonction de l'émetteur suiveur
​ Aller Résistance de base = Constante haute fréquence*Résistance de l'émetteur
Résistance totale de l'émetteur de l'émetteur suiveur
​ Aller Résistance de l'émetteur = Résistance de base/Constante haute fréquence
Résistance de sortie du transistor au gain intrinsèque
​ Aller Résistance de sortie finie = Tension précoce/Courant du collecteur
Courant collecteur du transistor émetteur-suiveur
​ Aller Courant du collecteur = Tension précoce/Résistance de sortie finie
Résistance d'entrée de l'amplificateur à transistor
​ Aller Résistance d'entrée = Entrée amplificateur/Courant d'entrée
Tension d'entrée de l'émetteur suiveur
​ Aller Tension de l'émetteur = Tension de base-0.7

Résistance de drainage de l'amplificateur Cascode Formule

Résistance aux fuites = (Gain de tension de sortie/(Transconductance primaire MOSFET^2*Résistance de sortie finie))
Rd = (Avo/(gmp^2*Rout))

Quelles sont les applications de l'amplificateur cascode?

L'amplificateur cascode est utilisé pour améliorer les performances d'un circuit analogique. L'utilisation du cascode est une méthode courante qui peut être utilisée dans les applications des transistors ainsi que des tubes à vide.

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