बंचर गैप में औसत माइक्रोवेव वोल्टेज उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश
प्रयुक्त सूत्र
औसत माइक्रोवेव वोल्टेज = इनपुट सिग्नल आयाम*बीम युग्मन गुणांक*sin(कोणीय आवृत्ति*प्रवेश का समय+(औसत क्षणिक कोण/2))
Vavg = Vin*βi*sin(ω*t0+(θg/2))
यह सूत्र 1 कार्यों, 6 वेरिएबल का उपयोग करता है
उपयोग किए गए कार्य
sin - साइन एक त्रिकोणमितीय फ़ंक्शन है जो एक समकोण त्रिभुज की विपरीत भुजा की लंबाई और कर्ण की लंबाई के अनुपात का वर्णन करता है।, sin(Angle)
चर
औसत माइक्रोवेव वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - औसत माइक्रोवेव वोल्टेज वह औसत वोल्ट है जो माइक्रोवेव उपयोग करता है।
इनपुट सिग्नल आयाम - (में मापा गया वोल्ट) - इनपुट सिग्नल आयाम इनपुट सिग्नल का अधिकतम आयाम या शिखर मूल्य है, जो आमतौर पर एक साइनसॉइडल सिग्नल होता है, और संदर्भ स्तर के सापेक्ष वोल्ट या डेसीबल की इकाइयों में मापा जाता है।
बीम युग्मन गुणांक - बीम युग्मन गुणांक एक गुंजयमान गुहा में एक इलेक्ट्रॉन किरण और एक विद्युत चुम्बकीय तरंग के बीच बातचीत का एक माप है।
कोणीय आवृत्ति - (में मापा गया रेडियन प्रति सेकंड) - लगातार आवर्ती घटना की कोणीय आवृत्ति, रेडियन प्रति सेकंड में व्यक्त की जाती है।
प्रवेश का समय - (में मापा गया दूसरा) - प्रवेश समय उस क्षण को संदर्भित करता है जिस पर एक इलेक्ट्रॉन गुहा में प्रवेश करता है।
औसत क्षणिक कोण - (में मापा गया कांति) - औसत क्षणिक कोण द्वीपीय माइक्रोग्रिड में समानांतर सिंक्रोनस और वर्चुअल सिंक्रोनस जेनरेटर की स्थिरता है।
चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें
इनपुट सिग्नल आयाम: 50 वोल्ट --> 50 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
बीम युग्मन गुणांक: 0.836 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
कोणीय आवृत्ति: 790000000 रेडियन प्रति सेकंड --> 790000000 रेडियन प्रति सेकंड कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
प्रवेश का समय: 0.005 दूसरा --> 0.005 दूसरा कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
औसत क्षणिक कोण: 30.38 कांति --> 30.38 कांति कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें
फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना
Vavg = Vini*sin(ω*t0+(θg/2)) --> 50*0.836*sin(790000000*0.005+(30.38/2))
मूल्यांकन हो रहा है ... ...
Vavg = 14.7072773033651
चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें
14.7072773033651 वोल्ट --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
आख़री जवाब
14.7072773033651 14.70728 वोल्ट <-- औसत माइक्रोवेव वोल्टेज
(गणना 00.020 सेकंड में पूरी हुई)

क्रेडिट

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के द्वारा बनाई गई शोभित डिमरी
बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ प्रौद्योगिकी संस्थान (BTKIT), द्वाराहाट
शोभित डिमरी ने इस कैलकुलेटर और 900+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!
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के द्वारा सत्यापित अंशिका आर्य
राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी संस्थान (एनआईटी), हमीरपुर
अंशिका आर्य ने इस कैलकुलेटर और 2500+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

14 क्लाइस्ट्रॉन गुहा कैलक्युलेटर्स

बंचर गैप में औसत माइक्रोवेव वोल्टेज
​ जाओ औसत माइक्रोवेव वोल्टेज = इनपुट सिग्नल आयाम*बीम युग्मन गुणांक*sin(कोणीय आवृत्ति*प्रवेश का समय+(औसत क्षणिक कोण/2))
दो कैविटी क्लाइस्ट्रॉन में अधिकतम इनपुट वोल्टेज
​ जाओ दो कैविटी क्लाइस्ट्रॉन में अधिकतम इनपुट वोल्टेज = (2*रिफ्लेक्स क्लिस्ट्रॉन वोल्टेज*गुच्छन पैरामीटर)/(बीम युग्मन गुणांक*औसत क्षणिक कोण)
मौलिक मोड फ़ील्ड का चरण स्थिरांक
​ जाओ एन-गुहाओं के लिए चरण स्थिरांक = (2*pi*दोलन की संख्या)/(गुहाओं के बीच की औसत दूरी*गुंजयमान गुहाओं की संख्या)
गुहाओं के बीच औसत दूरी
​ जाओ गुहाओं के बीच की औसत दूरी = (2*pi*दोलन की संख्या)/(एन-गुहाओं के लिए चरण स्थिरांक*गुंजयमान गुहाओं की संख्या)
इनपुट कैविटी पर माइक्रोवेव सिग्नल का परिमाण
​ जाओ माइक्रोवेव सिग्नल का परिमाण = (2*कैथोड बंचर वोल्टेज*गुच्छन पैरामीटर)/(बीम युग्मन गुणांक*कोणीय भिन्नता)
क्लिस्ट्रॉन गुहा में इलेक्ट्रॉनों का वेग मॉड्यूलेशन
​ जाओ वेग मॉड्यूलेशन = sqrt((2*[Charge-e]*उच्च डीसी वोल्टेज)/[Mass-e])
गुंजयमान गुहाओं की संख्या
​ जाओ गुंजयमान गुहाओं की संख्या = (2*pi*दोलन की संख्या)/मैग्नेट्रोन में चरण परिवर्तन
गुंजयमान यंत्र का संचालन
​ जाओ गुहा का संचालन = (वेन टिप्स पर कैपेसिटेंस*कोणीय आवृत्ति)/अनलोडेड क्यू-फैक्टर
दो गुहा क्लिस्ट्रॉन में बीम युग्मन गुणांक
​ जाओ बीम युग्मन गुणांक = sin(औसत क्षणिक कोण/2)/(औसत क्षणिक कोण/2)
कैचर कैविटी में प्रेरित धारा
​ जाओ प्रेरित कैचर करंट = कैचर कैविटी गैप पर करंट आ रहा है*बीम युग्मन गुणांक
बंचेर कैविटी गैप
​ जाओ बंचर कैविटी गैप = औसत पारगमन समय*इलेक्ट्रॉन एकसमान वेग
कैचर कैविटी की दीवारों में प्रेरित धारा
​ जाओ प्रेरित कैचर करंट = बीम युग्मन गुणांक*एकदिश धारा
औसत पारगमन समय
​ जाओ औसत पारगमन समय = बंचर कैविटी गैप/वेग मॉड्यूलेशन
औसत पारगमन कोण
​ जाओ औसत क्षणिक कोण = कोणीय आवृत्ति*औसत पारगमन समय

बंचर गैप में औसत माइक्रोवेव वोल्टेज सूत्र

औसत माइक्रोवेव वोल्टेज = इनपुट सिग्नल आयाम*बीम युग्मन गुणांक*sin(कोणीय आवृत्ति*प्रवेश का समय+(औसत क्षणिक कोण/2))
Vavg = Vin*βi*sin(ω*t0+(θg/2))

बंचर कैविटी गैप क्या है?

एक गुच्छा एक आरएफ त्वरक है जिसके बाद एक बहाव स्थान होता है। इसका उद्देश्य एक लिनैक में त्वरण के लिए डीसी आयन स्रोत बीम को उपयुक्त गुच्छा में गुच्छा करना है। एक साधारण गुच्छा में वोल्टेज लिनैक आवृत्ति पर एक साइन लहर है।

बंचर गैप में औसत माइक्रोवेव वोल्टेज की गणना कैसे करें?

बंचर गैप में औसत माइक्रोवेव वोल्टेज के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया इनपुट सिग्नल आयाम (Vin), इनपुट सिग्नल आयाम इनपुट सिग्नल का अधिकतम आयाम या शिखर मूल्य है, जो आमतौर पर एक साइनसॉइडल सिग्नल होता है, और संदर्भ स्तर के सापेक्ष वोल्ट या डेसीबल की इकाइयों में मापा जाता है। के रूप में, बीम युग्मन गुणांक (βi), बीम युग्मन गुणांक एक गुंजयमान गुहा में एक इलेक्ट्रॉन किरण और एक विद्युत चुम्बकीय तरंग के बीच बातचीत का एक माप है। के रूप में, कोणीय आवृत्ति (ω), लगातार आवर्ती घटना की कोणीय आवृत्ति, रेडियन प्रति सेकंड में व्यक्त की जाती है। के रूप में, प्रवेश का समय (t0), प्रवेश समय उस क्षण को संदर्भित करता है जिस पर एक इलेक्ट्रॉन गुहा में प्रवेश करता है। के रूप में & औसत क्षणिक कोण (θg), औसत क्षणिक कोण द्वीपीय माइक्रोग्रिड में समानांतर सिंक्रोनस और वर्चुअल सिंक्रोनस जेनरेटर की स्थिरता है। के रूप में डालें। कृपया बंचर गैप में औसत माइक्रोवेव वोल्टेज गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

बंचर गैप में औसत माइक्रोवेव वोल्टेज गणना

बंचर गैप में औसत माइक्रोवेव वोल्टेज कैलकुलेटर, औसत माइक्रोवेव वोल्टेज की गणना करने के लिए Average Microwave Voltage = इनपुट सिग्नल आयाम*बीम युग्मन गुणांक*sin(कोणीय आवृत्ति*प्रवेश का समय+(औसत क्षणिक कोण/2)) का उपयोग करता है। बंचर गैप में औसत माइक्रोवेव वोल्टेज Vavg को बंचर गैप फॉर्मूला में औसत माइक्रोवेव वोल्टेज को आवधिक तरंग के रूप में परिभाषित किया जाता है, चाहे वह साइन वेव हो, स्क्वायर वेव हो, या त्रिकोणीय तरंग को समय के संबंध में तरंग के तहत क्षेत्र के भागफल के रूप में परिभाषित किया गया हो। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ बंचर गैप में औसत माइक्रोवेव वोल्टेज गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 14.70728 = 50*0.836*sin(790000000*0.005+(30.38/2)). आप और अधिक बंचर गैप में औसत माइक्रोवेव वोल्टेज उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

बंचर गैप में औसत माइक्रोवेव वोल्टेज क्या है?
बंचर गैप में औसत माइक्रोवेव वोल्टेज बंचर गैप फॉर्मूला में औसत माइक्रोवेव वोल्टेज को आवधिक तरंग के रूप में परिभाषित किया जाता है, चाहे वह साइन वेव हो, स्क्वायर वेव हो, या त्रिकोणीय तरंग को समय के संबंध में तरंग के तहत क्षेत्र के भागफल के रूप में परिभाषित किया गया हो। है और इसे Vavg = Vini*sin(ω*t0+(θg/2)) या Average Microwave Voltage = इनपुट सिग्नल आयाम*बीम युग्मन गुणांक*sin(कोणीय आवृत्ति*प्रवेश का समय+(औसत क्षणिक कोण/2)) के रूप में दर्शाया जाता है।
बंचर गैप में औसत माइक्रोवेव वोल्टेज की गणना कैसे करें?
बंचर गैप में औसत माइक्रोवेव वोल्टेज को बंचर गैप फॉर्मूला में औसत माइक्रोवेव वोल्टेज को आवधिक तरंग के रूप में परिभाषित किया जाता है, चाहे वह साइन वेव हो, स्क्वायर वेव हो, या त्रिकोणीय तरंग को समय के संबंध में तरंग के तहत क्षेत्र के भागफल के रूप में परिभाषित किया गया हो। Average Microwave Voltage = इनपुट सिग्नल आयाम*बीम युग्मन गुणांक*sin(कोणीय आवृत्ति*प्रवेश का समय+(औसत क्षणिक कोण/2)) Vavg = Vini*sin(ω*t0+(θg/2)) के रूप में परिभाषित किया गया है। बंचर गैप में औसत माइक्रोवेव वोल्टेज की गणना करने के लिए, आपको इनपुट सिग्नल आयाम (Vin), बीम युग्मन गुणांक i), कोणीय आवृत्ति (ω), प्रवेश का समय (t0) & औसत क्षणिक कोण g) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको इनपुट सिग्नल आयाम इनपुट सिग्नल का अधिकतम आयाम या शिखर मूल्य है, जो आमतौर पर एक साइनसॉइडल सिग्नल होता है, और संदर्भ स्तर के सापेक्ष वोल्ट या डेसीबल की इकाइयों में मापा जाता है।, बीम युग्मन गुणांक एक गुंजयमान गुहा में एक इलेक्ट्रॉन किरण और एक विद्युत चुम्बकीय तरंग के बीच बातचीत का एक माप है।, लगातार आवर्ती घटना की कोणीय आवृत्ति, रेडियन प्रति सेकंड में व्यक्त की जाती है।, प्रवेश समय उस क्षण को संदर्भित करता है जिस पर एक इलेक्ट्रॉन गुहा में प्रवेश करता है। & औसत क्षणिक कोण द्वीपीय माइक्रोग्रिड में समानांतर सिंक्रोनस और वर्चुअल सिंक्रोनस जेनरेटर की स्थिरता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।
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