जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें कैलकुलेटर

✖NMOS (PTM) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में उपयोग किया जाने वाला एक पैरामीटर है।ⓘ NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर [k'_n]			+10% -10%
✖चैनल की चौड़ाई संचार चैनल के भीतर डेटा संचारित करने के लिए उपलब्ध बैंडविड्थ की मात्रा को संदर्भित करती है।ⓘ चैनल की चौड़ाई [W_c]			+10% -10%
✖चैनल की लंबाई को इसके प्रारंभ और अंत बिंदुओं के बीच की दूरी के रूप में परिभाषित किया जा सकता है, और यह इसके उद्देश्य और स्थान के आधार पर बहुत भिन्न हो सकता है।ⓘ चैनल की लंबाई [L]			+10% -10%
✖गेट सोर्स वोल्टेज वह वोल्टेज है जो ट्रांजिस्टर के गेट-सोर्स टर्मिनल पर पड़ता है।ⓘ गेट स्रोत वोल्टेज [V_gs]			+10% -10%
✖थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।ⓘ सीमा वोल्टेज [V_T]			+10% -10%

✖NMOS में ड्रेन करंट ड्रेन से फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) या मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) के स्रोत तक बहने वाली विद्युत धारा है।ⓘ जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें [I_d]

⎘ कॉपी

👎

सूत्र

✖

जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें

सूत्र

`"I"_{"d"} = 1/2*"k'"_{"n"}*"W"_{"c"}/"L"*("V"_{"gs"}-"V"_{"T"})^2`

उदाहरण

`"239.7013mA"=1/2*"2mS"*"10μm"/"3μm"*("10.3V"-"1.82V")^2`

कैलकुलेटर

LaTeX

रीसेट

👍

डाउनलोड करना MOSFET सूत्र पीडीएफ PDF Image

जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

NMOS में ड्रेन करेंट = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2
I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_gs-V_T)^2
यह सूत्र 6 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

NMOS में ड्रेन करेंट - (में मापा गया एम्पेयर) - NMOS में ड्रेन करंट ड्रेन से फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) या मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) के स्रोत तक बहने वाली विद्युत धारा है।
NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर - (में मापा गया सीमेंस) - NMOS (PTM) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में उपयोग किया जाने वाला एक पैरामीटर है।
चैनल की चौड़ाई - (में मापा गया मीटर) - चैनल की चौड़ाई संचार चैनल के भीतर डेटा संचारित करने के लिए उपलब्ध बैंडविड्थ की मात्रा को संदर्भित करती है।
चैनल की लंबाई - (में मापा गया मीटर) - चैनल की लंबाई को इसके प्रारंभ और अंत बिंदुओं के बीच की दूरी के रूप में परिभाषित किया जा सकता है, और यह इसके उद्देश्य और स्थान के आधार पर बहुत भिन्न हो सकता है।
गेट स्रोत वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - गेट सोर्स वोल्टेज वह वोल्टेज है जो ट्रांजिस्टर के गेट-सोर्स टर्मिनल पर पड़ता है।
सीमा वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर: 2 मिलिसिएमेंस --> 0.002 सीमेंस (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
चैनल की चौड़ाई: 10 माइक्रोमीटर --> 1E-05 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
चैनल की लंबाई: 3 माइक्रोमीटर --> 3E-06 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
गेट स्रोत वोल्टेज: 10.3 वोल्ट --> 10.3 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
सीमा वोल्टेज: 1.82 वोल्ट --> 1.82 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_gs-V_T)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(10.3-1.82)^2

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

I_d = 0.239701333333333

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

0.239701333333333 एम्पेयर -->239.701333333333 मिलीएम्पियर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

239.701333333333 ≈ 239.7013 मिलीएम्पियर <-- NMOS में ड्रेन करेंट

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » MOSFET » एनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » एन-चैनल एन्हांसमेंट » जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 17 एन-चैनल एन्हांसमेंट कैलक्युलेटर्स

NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत

जाओ NMOS में ड्रेन करेंट = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*((गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*नाली स्रोत वोल्टेज-1/2*(नाली स्रोत वोल्टेज)^2)

NMOS के वर्तमान में प्रवेश करने वाले ड्रेन टर्मिनल में गेट स्रोत वोल्टेज दिया गया है

जाओ NMOS में ड्रेन करेंट = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*((गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*नाली स्रोत वोल्टेज-1/2*नाली स्रोत वोल्टेज^2)

NMOS में शारीरिक प्रभाव

जाओ दहलीज वोल्टेज में परिवर्तन = सीमा वोल्टेज+निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर*(sqrt(2*भौतिक पैरामीटर+शरीर और स्रोत के बीच वोल्टेज)-sqrt(2*भौतिक पैरामीटर))

NMOS का वर्तमान प्रवेश द्वार टर्मिनल

जाओ NMOS में ड्रेन करेंट = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*नाली स्रोत वोल्टेज*(NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज-1/2*नाली स्रोत वोल्टेज)

NMOS रैखिक प्रतिरोध के रूप में

जाओ रैखिक प्रतिरोध = चैनल की लंबाई/(चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड क्षमता*चैनल की चौड़ाई*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज))

जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें

जाओ NMOS में ड्रेन करेंट = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत

NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर

जाओ निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर = sqrt(2*[Charge-e]*पी सब्सट्रेट की डोपिंग एकाग्रता*[Permitivity-vacuum])/ऑक्साइड क्षमता

NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को प्रभावी वोल्टेज दिया गया

जाओ संतृप्ति नाली वर्तमान = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज)^2

NMOS की संतृप्ति और ट्रायोड क्षेत्र की सीमा पर वर्तमान प्रवेश नाली स्रोत

जाओ NMOS में ड्रेन करेंट = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(नाली स्रोत वोल्टेज)^2

NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग

जाओ इलेक्ट्रॉन बहाव वेग = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*चैनल की लंबाई भर में विद्युत क्षेत्र

NMOS में आपूर्ति की गई कुल बिजली

जाओ बिजली की आपूर्ति = वोल्टेज आपूर्ति*(NMOS में ड्रेन करेंट+मौजूदा)

ड्रेन करंट दिया गया NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट सोर्स के रूप में काम करता है

जाओ ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर = पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात

वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया

जाओ आउटपुट प्रतिरोध = डिवाइस पैरामीटर/चैनल लेंथ मॉड्यूलेशन के बिना करंट ड्रेन करें

NMOS में कुल बिजली का क्षय

जाओ शक्ति का क्षय = NMOS में ड्रेन करेंट^2*चैनल प्रतिरोध पर

NMOS में दी गई सकारात्मक वोल्टेज चैनल की लंबाई

जाओ वोल्टेज = डिवाइस पैरामीटर*चैनल की लंबाई

NMOS का ऑक्साइड समाई

जाओ ऑक्साइड क्षमता = (3.45*10^(-11))/ऑक्साइड की मोटाई

जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें सूत्र

NMOS में ड्रेन करेंट = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2
I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_gs-V_T)^2

MOSFET में ड्रेन करंट क्या है?

थ्रेसहोल्ड वोल्टेज के नीचे स्थित नाले को सबथ्रेशोल्ड करंट के रूप में परिभाषित किया गया है और वीजीएस के साथ तेजी से बदलता है। लॉग (Ids) बनाम वीजीएस विशेषता के ढलान के पारस्परिक को सबथ्रेशोल्ड ढलान, एस के रूप में परिभाषित किया गया है, और तर्क अनुप्रयोगों में MOSFETs के लिए सबसे महत्वपूर्ण प्रदर्शन मेट्रिक्स में से एक है।

जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें की गणना कैसे करें?

जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_n), NMOS (PTM) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में उपयोग किया जाने वाला एक पैरामीटर है। के रूप में, चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की चौड़ाई संचार चैनल के भीतर डेटा संचारित करने के लिए उपलब्ध बैंडविड्थ की मात्रा को संदर्भित करती है। के रूप में, चैनल की लंबाई (L), चैनल की लंबाई को इसके प्रारंभ और अंत बिंदुओं के बीच की दूरी के रूप में परिभाषित किया जा सकता है, और यह इसके उद्देश्य और स्थान के आधार पर बहुत भिन्न हो सकता है। के रूप में, गेट स्रोत वोल्टेज (V_gs), गेट सोर्स वोल्टेज वह वोल्टेज है जो ट्रांजिस्टर के गेट-सोर्स टर्मिनल पर पड़ता है। के रूप में & सीमा वोल्टेज (V_T), थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं। के रूप में डालें। कृपया जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें गणना

जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें कैलकुलेटर, NMOS में ड्रेन करेंट की गणना करने के लिए Drain Current in NMOS = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2 का उपयोग करता है। जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें I_d को ड्रेन करंट जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट सोर्स के रूप में काम करता है, तब होता है जब MOSFET का उपयोग एम्पलीफायर को डिजाइन करने के लिए किया जाता है, यह संतृप्ति क्षेत्र में संचालित होता है। संतृप्ति में नाली का प्रवाह लगातार निर्धारित होता है और निरंतर-वर्तमान स्रोत से स्वतंत्र होता है जहां वर्तमान का मान निर्धारित होता है। MOSFET एक वोल्टेज-नियंत्रित वर्तमान स्रोत के रूप में कार्य करता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 239701.3 = 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(10.3-1.82)^2. आप और अधिक जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें क्या है?

जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें ड्रेन करंट जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट सोर्स के रूप में काम करता है, तब होता है जब MOSFET का उपयोग एम्पलीफायर को डिजाइन करने के लिए किया जाता है, यह संतृप्ति क्षेत्र में संचालित होता है। संतृप्ति में नाली का प्रवाह लगातार निर्धारित होता है और निरंतर-वर्तमान स्रोत से स्वतंत्र होता है जहां वर्तमान का मान निर्धारित होता है। MOSFET एक वोल्टेज-नियंत्रित वर्तमान स्रोत के रूप में कार्य करता है। है और इसे I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_gs-V_T)^2 या Drain Current in NMOS = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2 के रूप में दर्शाया जाता है।

जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें की गणना कैसे करें?

जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें को ड्रेन करंट जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट सोर्स के रूप में काम करता है, तब होता है जब MOSFET का उपयोग एम्पलीफायर को डिजाइन करने के लिए किया जाता है, यह संतृप्ति क्षेत्र में संचालित होता है। संतृप्ति में नाली का प्रवाह लगातार निर्धारित होता है और निरंतर-वर्तमान स्रोत से स्वतंत्र होता है जहां वर्तमान का मान निर्धारित होता है। MOSFET एक वोल्टेज-नियंत्रित वर्तमान स्रोत के रूप में कार्य करता है। Drain Current in NMOS = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2 I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_gs-V_T)^2 के रूप में परिभाषित किया गया है। जब NMOS वोल्टेज-नियंत्रित करंट स्रोत के रूप में काम करता है तो करंट को ड्रेन करें की गणना करने के लिए, आपको NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_n), चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की लंबाई (L), गेट स्रोत वोल्टेज (V_gs) & सीमा वोल्टेज (V_T) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको NMOS (PTM) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में उपयोग किया जाने वाला एक पैरामीटर है।, चैनल की चौड़ाई संचार चैनल के भीतर डेटा संचारित करने के लिए उपलब्ध बैंडविड्थ की मात्रा को संदर्भित करती है।, चैनल की लंबाई को इसके प्रारंभ और अंत बिंदुओं के बीच की दूरी के रूप में परिभाषित किया जा सकता है, और यह इसके उद्देश्य और स्थान के आधार पर बहुत भिन्न हो सकता है।, गेट सोर्स वोल्टेज वह वोल्टेज है जो ट्रांजिस्टर के गेट-सोर्स टर्मिनल पर पड़ता है। & थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

NMOS में ड्रेन करेंट की गणना करने के कितने तरीके हैं?

NMOS में ड्रेन करेंट NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_n), चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की लंबाई (L), गेट स्रोत वोल्टेज (V_gs) & सीमा वोल्टेज (V_T) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 5 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

NMOS में ड्रेन करेंट = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*((गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*नाली स्रोत वोल्टेज-1/2*नाली स्रोत वोल्टेज^2)
NMOS में ड्रेन करेंट = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*((गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*नाली स्रोत वोल्टेज-1/2*(नाली स्रोत वोल्टेज)^2)
NMOS में ड्रेन करेंट = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2
NMOS में ड्रेन करेंट = 1/2*NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(नाली स्रोत वोल्टेज)^2
NMOS में ड्रेन करेंट = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*नाली स्रोत वोल्टेज*(NMOS में ओवरड्राइव वोल्टेज-1/2*नाली स्रोत वोल्टेज)

होम

मुक्त पीडीएफ़

🔍 खोज

श्रेणियाँ

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!