लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का पहला ड्रेन करंट कैलकुलेटर

✖डीसी बायस करंट वह स्थिर धारा है जो एक सर्किट या डिवाइस के माध्यम से एक निश्चित ऑपरेटिंग पॉइंट या बायस पॉइंट स्थापित करने के लिए बहती है।ⓘ डीसी बायस करंट [I_b]			+10% -10%
✖ओवरड्राइव वोल्टेज इलेक्ट्रॉनिक्स में इस्तेमाल किया जाने वाला एक शब्द है और एक डिवाइस या घटक पर लागू वोल्टेज स्तर को संदर्भित करता है जो इसके सामान्य ऑपरेटिंग वोल्टेज से अधिक है।ⓘ ओवरड्राइव वोल्टेज [V_ov]			+10% -10%
✖डिफरेंशियल इनपुट सिग्नल एक प्रकार के इलेक्ट्रिकल सिग्नल को संदर्भित करता है जिसमें दो अलग-अलग वोल्टेज सिग्नल होते हैं, प्रत्येक को एक सामान्य संदर्भ बिंदु के संबंध में मापा जाता है, जिसे आमतौर पर जमीन कहा जाता है।ⓘ विभेदक इनपुट सिग्नल [V_id]			+10% -10%

✖ड्रेन करंट 1 वह करंट है जो ड्रेन और फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) के स्रोत टर्मिनलों के बीच प्रवाहित होता है, जो एक प्रकार का ट्रांजिस्टर है जो आमतौर पर इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में उपयोग किया जाता है।ⓘ लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का पहला ड्रेन करंट [I_d1]

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लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का पहला ड्रेन करंट

सूत्र

`"I"_{"d1"} = "I"_{"b"}/2+"I"_{"b"}/"V"_{"ov"}*"V"_{"id"}/2*sqrt(1-"V"_{"id"}^2/(4*"V"_{"ov"}^2))`

उदाहरण

`"497.2355mA"="985mA"/2+"985mA"/"3.12V"*"0.03V"/2*sqrt(1-("0.03V")^2/(4*("3.12V")^2))`

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लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का पहला ड्रेन करंट उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

नाली वर्तमान 1 = डीसी बायस करंट/2+डीसी बायस करंट/ओवरड्राइव वोल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2*sqrt(1-विभेदक इनपुट सिग्नल^2/(4*ओवरड्राइव वोल्टेज^2))
I_d1 = I_b/2+I_b/V_ov*V_id/2*sqrt(1-V_id^2/(4*V_ov^2))
यह सूत्र 1 कार्यों, 4 वेरिएबल का उपयोग करता है

उपयोग किए गए कार्य

sqrt - वर्गमूल फ़ंक्शन एक ऐसा फ़ंक्शन है जो एक गैर-नकारात्मक संख्या को इनपुट के रूप में लेता है और दिए गए इनपुट संख्या का वर्गमूल लौटाता है।, sqrt(Number)

चर

नाली वर्तमान 1 - (में मापा गया एम्पेयर) - ड्रेन करंट 1 वह करंट है जो ड्रेन और फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) के स्रोत टर्मिनलों के बीच प्रवाहित होता है, जो एक प्रकार का ट्रांजिस्टर है जो आमतौर पर इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में उपयोग किया जाता है।
डीसी बायस करंट - (में मापा गया एम्पेयर) - डीसी बायस करंट वह स्थिर धारा है जो एक सर्किट या डिवाइस के माध्यम से एक निश्चित ऑपरेटिंग पॉइंट या बायस पॉइंट स्थापित करने के लिए बहती है।
ओवरड्राइव वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - ओवरड्राइव वोल्टेज इलेक्ट्रॉनिक्स में इस्तेमाल किया जाने वाला एक शब्द है और एक डिवाइस या घटक पर लागू वोल्टेज स्तर को संदर्भित करता है जो इसके सामान्य ऑपरेटिंग वोल्टेज से अधिक है।
विभेदक इनपुट सिग्नल - (में मापा गया वोल्ट) - डिफरेंशियल इनपुट सिग्नल एक प्रकार के इलेक्ट्रिकल सिग्नल को संदर्भित करता है जिसमें दो अलग-अलग वोल्टेज सिग्नल होते हैं, प्रत्येक को एक सामान्य संदर्भ बिंदु के संबंध में मापा जाता है, जिसे आमतौर पर जमीन कहा जाता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

डीसी बायस करंट: 985 मिलीएम्पियर --> 0.985 एम्पेयर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
ओवरड्राइव वोल्टेज: 3.12 वोल्ट --> 3.12 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
विभेदक इनपुट सिग्नल: 0.03 वोल्ट --> 0.03 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

I_d1 = I_b/2+I_b/V_ov*V_id/2*sqrt(1-V_id^2/(4*V_ov^2)) --> 0.985/2+0.985/3.12*0.03/2*sqrt(1-0.03^2/(4*3.12^2))

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

I_d1 = 0.497235522193922

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

0.497235522193922 एम्पेयर -->497.235522193922 मिलीएम्पियर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

497.235522193922 ≈ 497.2355 मिलीएम्पियर <-- नाली वर्तमान 1

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 12 मौजूदा कैलक्युलेटर्स

लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का दूसरा ड्रेन करंट

जाओ जल निकासी धारा 2 = डीसी बायस करंट/2-डीसी बायस करंट/ओवरड्राइव वोल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2*sqrt(1-(विभेदक इनपुट सिग्नल)^2/(4*ओवरड्राइव वोल्टेज^2))

लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का पहला ड्रेन करंट

जाओ नाली वर्तमान 1 = डीसी बायस करंट/2+डीसी बायस करंट/ओवरड्राइव वोल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2*sqrt(1-विभेदक इनपुट सिग्नल^2/(4*ओवरड्राइव वोल्टेज^2))

MOSFET का ड्रेन सैचुरेशन करंट

जाओ संतृप्ति नाली वर्तमान = 1/2*पीएमओएस में प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(प्रभावी वोल्टेज)^2

एमओएसएफईटी के चैनल-लंबाई मॉडुलन के बिना नाली वर्तमान

जाओ जल निकासी धारा = 1/2*पीएमओएस में प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन*आस्पेक्ट अनुपात*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2

तात्कालिक नाली धारा

जाओ जल निकासी धारा = ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर*(गेट टू सोर्स वोल्टेज का डीसी घटक-कुल वोल्टेज+गंभीर वोल्टेज)^2

ओवरड्राइव वोल्टेज दिए जाने पर बड़े-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का दूसरा ड्रेन करंट

जाओ जल निकासी धारा 2 = डीसी बायस करंट/2-डीसी बायस करंट/ओवरड्राइव वोल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2

ओवरड्राइव वोल्टेज दिए जाने पर बड़े-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का पहला ड्रेन करंट

जाओ नाली वर्तमान 1 = डीसी बायस करंट/2+डीसी बायस करंट/ओवरड्राइव वोल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2

ओवरड्राइव वोल्टेज दिए जाने पर बड़े-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का ड्रेन करंट

जाओ जल निकासी धारा = (डीसी बायस करंट/ओवरड्राइव वोल्टेज)*(विभेदक इनपुट सिग्नल/2)

वीजीएस के डीसी घटक के संबंध में तात्कालिक ड्रेन करंट

जाओ जल निकासी धारा = ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर*((गंभीर वोल्टेज-कुल वोल्टेज)^2)

MOSFET के कॉमन-मोड रिजेक्शन में करंट

जाओ कुल वर्तमान = वृद्धिशील संकेत/((1/transconductance)+(2*आउटपुट प्रतिरोध))

लोड लाइन में ड्रेन करंट

जाओ जल निकासी धारा = (वोल्टेज आपूर्ति-नाली स्रोत वोल्टेज)/भार प्रतिरोध

MOSFET का शॉर्ट सर्किट करंट

जाओ आउटपुट करेंट = transconductance*गेट-स्रोत वोल्टेज

लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का पहला ड्रेन करंट सूत्र

अंतर इनपुट वोल्टेज क्या है?

विभेदक इनपुट वोल्टेज अधिकतम वोल्टेज है जिसे इनपुट (नॉन-इनवर्टिंग इनपुट) और -इन्पुट (इनवर्टिंग इनपुट) पिन को नुकसान या अपमानजनक आईसी विशेषताओं के बिना आपूर्ति की जा सकती है।

लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का पहला ड्रेन करंट की गणना कैसे करें?

लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का पहला ड्रेन करंट के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया डीसी बायस करंट (I_b), डीसी बायस करंट वह स्थिर धारा है जो एक सर्किट या डिवाइस के माध्यम से एक निश्चित ऑपरेटिंग पॉइंट या बायस पॉइंट स्थापित करने के लिए बहती है। के रूप में, ओवरड्राइव वोल्टेज (V_ov), ओवरड्राइव वोल्टेज इलेक्ट्रॉनिक्स में इस्तेमाल किया जाने वाला एक शब्द है और एक डिवाइस या घटक पर लागू वोल्टेज स्तर को संदर्भित करता है जो इसके सामान्य ऑपरेटिंग वोल्टेज से अधिक है। के रूप में & विभेदक इनपुट सिग्नल (V_id), डिफरेंशियल इनपुट सिग्नल एक प्रकार के इलेक्ट्रिकल सिग्नल को संदर्भित करता है जिसमें दो अलग-अलग वोल्टेज सिग्नल होते हैं, प्रत्येक को एक सामान्य संदर्भ बिंदु के संबंध में मापा जाता है, जिसे आमतौर पर जमीन कहा जाता है। के रूप में डालें। कृपया लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का पहला ड्रेन करंट गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का पहला ड्रेन करंट गणना

लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का पहला ड्रेन करंट कैलकुलेटर, नाली वर्तमान 1 की गणना करने के लिए Drain Current 1 = डीसी बायस करंट/2+डीसी बायस करंट/ओवरड्राइव वोल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2*sqrt(1-विभेदक इनपुट सिग्नल^2/(4*ओवरड्राइव वोल्टेज^2)) का उपयोग करता है। लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का पहला ड्रेन करंट I_d1 को लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन फॉर्मूला पर एमओएसएफईटी का पहला ड्रेन करंट सिलिकॉन चिप की करंट कंडक्शन क्षमता को दर्शाता है; विभिन्न उपकरणों की तुलना करते समय इसे गाइड के रूप में इस्तेमाल किया जा सकता है। हालांकि, रेटेड अधिकतम ड्रेन करंट को चिप में प्रवाहित नहीं होने दिया जाना चाहिए। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का पहला ड्रेन करंट गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 497235.5 = 0.985/2+0.985/3.12*0.03/2*sqrt(1-0.03^2/(4*3.12^2)). आप और अधिक लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का पहला ड्रेन करंट उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का पहला ड्रेन करंट क्या है?

लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का पहला ड्रेन करंट लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन फॉर्मूला पर एमओएसएफईटी का पहला ड्रेन करंट सिलिकॉन चिप की करंट कंडक्शन क्षमता को दर्शाता है; विभिन्न उपकरणों की तुलना करते समय इसे गाइड के रूप में इस्तेमाल किया जा सकता है। हालांकि, रेटेड अधिकतम ड्रेन करंट को चिप में प्रवाहित नहीं होने दिया जाना चाहिए। है और इसे I_d1 = I_b/2+I_b/V_ov*V_id/2*sqrt(1-V_id^2/(4*V_ov^2)) या Drain Current 1 = डीसी बायस करंट/2+डीसी बायस करंट/ओवरड्राइव वोल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2*sqrt(1-विभेदक इनपुट सिग्नल^2/(4*ओवरड्राइव वोल्टेज^2)) के रूप में दर्शाया जाता है।

लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का पहला ड्रेन करंट की गणना कैसे करें?

लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का पहला ड्रेन करंट को लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन फॉर्मूला पर एमओएसएफईटी का पहला ड्रेन करंट सिलिकॉन चिप की करंट कंडक्शन क्षमता को दर्शाता है; विभिन्न उपकरणों की तुलना करते समय इसे गाइड के रूप में इस्तेमाल किया जा सकता है। हालांकि, रेटेड अधिकतम ड्रेन करंट को चिप में प्रवाहित नहीं होने दिया जाना चाहिए। Drain Current 1 = डीसी बायस करंट/2+डीसी बायस करंट/ओवरड्राइव वोल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2*sqrt(1-विभेदक इनपुट सिग्नल^2/(4*ओवरड्राइव वोल्टेज^2)) I_d1 = I_b/2+I_b/V_ov*V_id/2*sqrt(1-V_id^2/(4*V_ov^2)) के रूप में परिभाषित किया गया है। लार्ज-सिग्नल ऑपरेशन पर MOSFET का पहला ड्रेन करंट की गणना करने के लिए, आपको डीसी बायस करंट (I_b), ओवरड्राइव वोल्टेज (V_ov) & विभेदक इनपुट सिग्नल (V_id) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको डीसी बायस करंट वह स्थिर धारा है जो एक सर्किट या डिवाइस के माध्यम से एक निश्चित ऑपरेटिंग पॉइंट या बायस पॉइंट स्थापित करने के लिए बहती है।, ओवरड्राइव वोल्टेज इलेक्ट्रॉनिक्स में इस्तेमाल किया जाने वाला एक शब्द है और एक डिवाइस या घटक पर लागू वोल्टेज स्तर को संदर्भित करता है जो इसके सामान्य ऑपरेटिंग वोल्टेज से अधिक है। & डिफरेंशियल इनपुट सिग्नल एक प्रकार के इलेक्ट्रिकल सिग्नल को संदर्भित करता है जिसमें दो अलग-अलग वोल्टेज सिग्नल होते हैं, प्रत्येक को एक सामान्य संदर्भ बिंदु के संबंध में मापा जाता है, जिसे आमतौर पर जमीन कहा जाता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

नाली वर्तमान 1 की गणना करने के कितने तरीके हैं?

नाली वर्तमान 1 डीसी बायस करंट (I_b), ओवरड्राइव वोल्टेज (V_ov) & विभेदक इनपुट सिग्नल (V_id) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 1 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

नाली वर्तमान 1 = डीसी बायस करंट/2+डीसी बायस करंट/ओवरड्राइव वोल्टेज*विभेदक इनपुट सिग्नल/2

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