कण पर लगाया गया बल कैलकुलेटर

✖कण का आवेश विद्युत आवेश वाला एक कण है। यह एक आयन हो सकता है, जैसे कि एक अणु या परमाणु जिसमें प्रोटॉन के सापेक्ष इलेक्ट्रॉनों की अधिकता या कमी होती है।ⓘ एक कण का आवेश [q]			+10% -10%
✖आवेशित कण के वेग को संदर्भ के एक फ्रेम और समय के संबंध में वस्तु की स्थिति में परिवर्तन की दर के रूप में परिभाषित किया गया है। एक आवेशित कण एक स्थिर वेग से गति कर सकता है।ⓘ आवेशित कण का वेग [v_cp]			+10% -10%
✖किसी सतह के माध्यम से आवेशित कण का चुंबकीय प्रवाह घनत्व उस सतह पर चुंबकीय क्षेत्र बी के सामान्य घटक का सतह अभिन्न अंग है। इसे आमतौर पर Φ या Φ B से दर्शाया जाता है।ⓘ चुंबकीय प्रवाह का घनत्व [B]			+10% -10%

✖कण पर लगाए गए बल को एक कण द्वारा अनुभव किए गए खिंचाव के रूप में परिभाषित किया गया है जो फ्लक्स घनत्व बी के चुंबकीय क्षेत्र में गति में है। यह उसके आवेश के सीधे आनुपातिक है।ⓘ कण पर लगाया गया बल [F_e]

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सूत्र

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कण पर लगाया गया बल

सूत्र

`"F"_{"e"} = ("q"*"v"_{"cp"})*"B"`

उदाहरण

`"9.7216N"=("16mC"*"9.8m/s")*"62T"`

कैलकुलेटर

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कण पर लगाया गया बल उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

कण पर लगाया गया बल = (एक कण का आवेश*आवेशित कण का वेग)*चुंबकीय प्रवाह का घनत्व
F_e = (q*v_cp)*B
यह सूत्र 4 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

कण पर लगाया गया बल - (में मापा गया न्यूटन) - कण पर लगाए गए बल को एक कण द्वारा अनुभव किए गए खिंचाव के रूप में परिभाषित किया गया है जो फ्लक्स घनत्व बी के चुंबकीय क्षेत्र में गति में है। यह उसके आवेश के सीधे आनुपातिक है।
एक कण का आवेश - (में मापा गया कूलम्ब) - कण का आवेश विद्युत आवेश वाला एक कण है। यह एक आयन हो सकता है, जैसे कि एक अणु या परमाणु जिसमें प्रोटॉन के सापेक्ष इलेक्ट्रॉनों की अधिकता या कमी होती है।
आवेशित कण का वेग - (में मापा गया मीटर प्रति सेकंड) - आवेशित कण के वेग को संदर्भ के एक फ्रेम और समय के संबंध में वस्तु की स्थिति में परिवर्तन की दर के रूप में परिभाषित किया गया है। एक आवेशित कण एक स्थिर वेग से गति कर सकता है।
चुंबकीय प्रवाह का घनत्व - (में मापा गया टेस्ला) - किसी सतह के माध्यम से आवेशित कण का चुंबकीय प्रवाह घनत्व उस सतह पर चुंबकीय क्षेत्र बी के सामान्य घटक का सतह अभिन्न अंग है। इसे आमतौर पर Φ या Φ B से दर्शाया जाता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

एक कण का आवेश: 16 मिलिकौलॉम्ब --> 0.016 कूलम्ब (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
आवेशित कण का वेग: 9.8 मीटर प्रति सेकंड --> 9.8 मीटर प्रति सेकंड कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
चुंबकीय प्रवाह का घनत्व: 62 टेस्ला --> 62 टेस्ला कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

F_e = (q*v_cp)*B --> (0.016*9.8)*62

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

F_e = 9.7216

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

9.7216 न्यूटन --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

9.7216 न्यूटन <-- कण पर लगाया गया बल

(गणना 00.020 सेकंड में पूरी हुई)

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई साईं सुधा वाणी प्रिया लंका

दयानंद सागर विश्वविद्यालय (डीएसयू), बेंगलुरु, कर्नाटक, भारत-560100

साईं सुधा वाणी प्रिया लंका ने इस कैलकुलेटर और 10+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित परमिंदर सिंह

चंडीगढ़ विश्वविद्यालय (घन), पंजाब

परमिंदर सिंह ने इस कैलकुलेटर और 500+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 17 माइक्रोवेव उपकरण कैलक्युलेटर्स

प्रसार स्थिरांक

जाओ प्रसार स्थिरांक = कोणीय आवृत्ति*(sqrt(चुम्बकीय भेद्यता*ढांकता हुआ पारगम्यता))*(sqrt(1-((आपूर्ती बंद करने की आवृत्ति/आवृत्ति)^2)))

टीएमएमएन मोड के लिए क्षीणन

जाओ टीएमएमएन मोड के लिए क्षीणन = ((प्रवाहकत्त्व*आंतरिक प्रतिबाधा)/2)*sqrt(1-(आपूर्ती बंद करने की आवृत्ति/आवृत्ति)^2)

टीईएमएन मोड के लिए क्षीणन

जाओ TEmn मोड के लिए क्षीणन = (प्रवाहकत्त्व*आंतरिक प्रतिबाधा)/(2*sqrt(1-((आपूर्ती बंद करने की आवृत्ति)/(आवृत्ति))^2))

आयताकार वेवगाइड की कट-ऑफ आवृत्ति

जाओ आपूर्ती बंद करने की आवृत्ति = (1/(2*pi*sqrt(चुम्बकीय भेद्यता*ढांकता हुआ पारगम्यता)))*कट-ऑफ वेव नंबर

गाइड दीवारों का सतही प्रतिरोध

जाओ सतही प्रतिरोध = sqrt((pi*आवृत्ति*चुम्बकीय भेद्यता)/(प्रवाहकत्त्व))

टेम्न मोड के लिए तरंग दैर्ध्य

जाओ टीईएमएन मोड के लिए तरंग दैर्ध्य = (वेवलेंथ)/(sqrt(1-(आपूर्ती बंद करने की आवृत्ति/आवृत्ति)^2))

गोलाकार तरंग का शक्ति घनत्व

जाओ शक्ति घनत्व = (शक्ति संचारित*लाभ संचारित करना)/(4*pi*एंटेना के बीच की दूरी)

ट्रांसवर्स इलेक्ट्रिक 11 मोड में सर्कुलर वेवगाइड की कट-ऑफ फ्रीक्वेंसी

जाओ कट-ऑफ फ्रीक्वेंसी सर्कुलर वेवगाइड TE11 = ([c]*1.841)/(2*pi*वृत्ताकार वेवगाइड की त्रिज्या)

ट्रांसवर्स मैग्नेटिक 01 मोड में सर्कुलर वेवगाइड की कट-ऑफ फ्रीक्वेंसी

जाओ कट-ऑफ फ्रीक्वेंसी सर्कुलर वेवगाइड TM01 = ([c]*2.405)/(2*pi*वृत्ताकार वेवगाइड की त्रिज्या)

कण पर लगाया गया बल

जाओ कण पर लगाया गया बल = (एक कण का आवेश*आवेशित कण का वेग)*चुंबकीय प्रवाह का घनत्व

विशेषता तरंग प्रतिबाधा

जाओ विशेषता तरंग प्रतिबाधा = (कोणीय आवृत्ति*चुम्बकीय भेद्यता)/(चरण स्थिरांक)

गुणवत्ता कारक

जाओ गुणवत्ता कारक = (कोणीय आवृत्ति*अधिकतम संग्रहित ऊर्जा)/(औसत बिजली हानि)

अधिकतम संग्रहित ऊर्जा

जाओ अधिकतम संग्रहित ऊर्जा = (गुणवत्ता कारक*औसत बिजली हानि)/कोणीय आवृत्ति

एंटीना द्वारा प्राप्त शक्ति

जाओ एंटीना द्वारा प्राप्त शक्ति = एंटीना की शक्ति घनत्व*प्रभावी क्षेत्र एंटीना

टीईएम मोड के लिए बिजली की हानि

जाओ टीईएम मोड के लिए बिजली की हानि = 2*क्षीणन स्थिरांक*पावर संचारित करना

ऊर्ध्वाधर घटना के लिए महत्वपूर्ण आवृत्ति

जाओ गंभीर आवृत्ति = 9*sqrt(अधिकतम इलेक्ट्रॉन घनत्व)

आयताकार वेवगाइड का चरण वेग

जाओ चरण वेग = कोणीय आवृत्ति/चरण स्थिरांक

कण पर लगाया गया बल सूत्र

कण पर लगाया गया बल = (एक कण का आवेश*आवेशित कण का वेग)*चुंबकीय प्रवाह का घनत्व
F_e = (q*v_cp)*B

कण पर लगाया गया बल की गणना कैसे करें?

कण पर लगाया गया बल के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया एक कण का आवेश (q), कण का आवेश विद्युत आवेश वाला एक कण है। यह एक आयन हो सकता है, जैसे कि एक अणु या परमाणु जिसमें प्रोटॉन के सापेक्ष इलेक्ट्रॉनों की अधिकता या कमी होती है। के रूप में, आवेशित कण का वेग (v_cp), आवेशित कण के वेग को संदर्भ के एक फ्रेम और समय के संबंध में वस्तु की स्थिति में परिवर्तन की दर के रूप में परिभाषित किया गया है। एक आवेशित कण एक स्थिर वेग से गति कर सकता है। के रूप में & चुंबकीय प्रवाह का घनत्व (B), किसी सतह के माध्यम से आवेशित कण का चुंबकीय प्रवाह घनत्व उस सतह पर चुंबकीय क्षेत्र बी के सामान्य घटक का सतह अभिन्न अंग है। इसे आमतौर पर Φ या Φ B से दर्शाया जाता है। के रूप में डालें। कृपया कण पर लगाया गया बल गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

कण पर लगाया गया बल गणना

कण पर लगाया गया बल कैलकुलेटर, कण पर लगाया गया बल की गणना करने के लिए Force Exerted on Particle = (एक कण का आवेश*आवेशित कण का वेग)*चुंबकीय प्रवाह का घनत्व का उपयोग करता है। कण पर लगाया गया बल F_e को कण पर लगाए गए बल को एक कण द्वारा अनुभव किए गए खिंचाव के रूप में परिभाषित किया गया है जो फ्लक्स घनत्व बी के चुंबकीय क्षेत्र में गति में है। यह उसके आवेश के सीधे आनुपातिक है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ कण पर लगाया गया बल गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 9.7216 = (0.016*9.8)*62. आप और अधिक कण पर लगाया गया बल उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

कण पर लगाया गया बल क्या है?

कण पर लगाया गया बल कण पर लगाए गए बल को एक कण द्वारा अनुभव किए गए खिंचाव के रूप में परिभाषित किया गया है जो फ्लक्स घनत्व बी के चुंबकीय क्षेत्र में गति में है। यह उसके आवेश के सीधे आनुपातिक है। है और इसे F_e = (q*v_cp)*B या Force Exerted on Particle = (एक कण का आवेश*आवेशित कण का वेग)*चुंबकीय प्रवाह का घनत्व के रूप में दर्शाया जाता है।

कण पर लगाया गया बल की गणना कैसे करें?

कण पर लगाया गया बल को कण पर लगाए गए बल को एक कण द्वारा अनुभव किए गए खिंचाव के रूप में परिभाषित किया गया है जो फ्लक्स घनत्व बी के चुंबकीय क्षेत्र में गति में है। यह उसके आवेश के सीधे आनुपातिक है। Force Exerted on Particle = (एक कण का आवेश*आवेशित कण का वेग)*चुंबकीय प्रवाह का घनत्व F_e = (q*v_cp)*B के रूप में परिभाषित किया गया है। कण पर लगाया गया बल की गणना करने के लिए, आपको एक कण का आवेश (q), आवेशित कण का वेग (v_cp) & चुंबकीय प्रवाह का घनत्व (B) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको कण का आवेश विद्युत आवेश वाला एक कण है। यह एक आयन हो सकता है, जैसे कि एक अणु या परमाणु जिसमें प्रोटॉन के सापेक्ष इलेक्ट्रॉनों की अधिकता या कमी होती है।, आवेशित कण के वेग को संदर्भ के एक फ्रेम और समय के संबंध में वस्तु की स्थिति में परिवर्तन की दर के रूप में परिभाषित किया गया है। एक आवेशित कण एक स्थिर वेग से गति कर सकता है। & किसी सतह के माध्यम से आवेशित कण का चुंबकीय प्रवाह घनत्व उस सतह पर चुंबकीय क्षेत्र बी के सामान्य घटक का सतह अभिन्न अंग है। इसे आमतौर पर Φ या Φ B से दर्शाया जाता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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