बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें कैलकुलेटर

✖ट्रांसकंडक्टेंस एक सक्रिय डिवाइस के इनपुट टर्मिनल पर आउटपुट टर्मिनल पर करंट में परिवर्तन और वोल्टेज में परिवर्तन का अनुपात है।ⓘ transconductance [g_m]			+10% -10%
✖लोड प्रतिरोध एक सर्किट का संचयी प्रतिरोध है, जैसा कि उस सर्किट को चलाने वाले वोल्टेज, करंट या पावर स्रोत द्वारा देखा जाता है।ⓘ भार प्रतिरोध [R_L]			+10% -10%
✖धारिता किसी चालक पर संग्रहीत विद्युत आवेश की मात्रा और विद्युत क्षमता में अंतर का अनुपात है।ⓘ समाई [C_t]			+10% -10%
✖गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस को उस कैपेसिटेंस के रूप में परिभाषित किया गया है जो MOSFET के जंक्शन के गेट और ड्रेन के बीच देखा जाता है।ⓘ गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस [C_gd]			+10% -10%

✖एक एम्पलीफायर के लिए लाभ बैंडविड्थ उत्पाद एम्पलीफायर के बैंडविड्थ और उस लाभ का उत्पाद है जिस पर बैंडविड्थ मापा जाता है।ⓘ बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें [GB]

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सूत्र

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बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें

सूत्र

`"GB" = ("g"_{"m"}*"R"_{"L"})/(2*pi*"R"_{"L"}*("C"_{"t"}+"C"_{"gd"}))`

उदाहरण

`"180.4307Hz"=("4.8mS"*"1.49kΩ")/(2*pi*"1.49kΩ"*("2.889μF"+"1.345μF"))`

कैलकुलेटर

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बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें = (transconductance*भार प्रतिरोध)/(2*pi*भार प्रतिरोध*(समाई+गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस))
GB = (g_m*R_L)/(2*pi*R_L*(C_t+C_gd))
यह सूत्र 1 स्थिरांक, 5 वेरिएबल का उपयोग करता है

लगातार इस्तेमाल किया

pi - आर्किमिडीज़ का स्थिरांक मान लिया गया 3.14159265358979323846264338327950288

चर

बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें - (में मापा गया हेटर्स) - एक एम्पलीफायर के लिए लाभ बैंडविड्थ उत्पाद एम्पलीफायर के बैंडविड्थ और उस लाभ का उत्पाद है जिस पर बैंडविड्थ मापा जाता है।
transconductance - (में मापा गया सीमेंस) - ट्रांसकंडक्टेंस एक सक्रिय डिवाइस के इनपुट टर्मिनल पर आउटपुट टर्मिनल पर करंट में परिवर्तन और वोल्टेज में परिवर्तन का अनुपात है।
भार प्रतिरोध - (में मापा गया ओम) - लोड प्रतिरोध एक सर्किट का संचयी प्रतिरोध है, जैसा कि उस सर्किट को चलाने वाले वोल्टेज, करंट या पावर स्रोत द्वारा देखा जाता है।
समाई - (में मापा गया फैरड) - धारिता किसी चालक पर संग्रहीत विद्युत आवेश की मात्रा और विद्युत क्षमता में अंतर का अनुपात है।
गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस - (में मापा गया फैरड) - गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस को उस कैपेसिटेंस के रूप में परिभाषित किया गया है जो MOSFET के जंक्शन के गेट और ड्रेन के बीच देखा जाता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

transconductance: 4.8 मिलिसिएमेंस --> 0.0048 सीमेंस (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
भार प्रतिरोध: 1.49 किलोहम --> 1490 ओम (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
समाई: 2.889 माइक्रोफ़ारड --> 2.889E-06 फैरड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस: 1.345 माइक्रोफ़ारड --> 1.345E-06 फैरड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

GB = (g_m*R_L)/(2*pi*R_L*(C_t+C_gd)) --> (0.0048*1490)/(2*pi*1490*(2.889E-06+1.345E-06))

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

GB = 180.430733783915

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

180.430733783915 हेटर्स --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

180.430733783915 ≈ 180.4307 हेटर्स <-- बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित अंशिका आर्य

राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी संस्थान (एनआईटी), हमीरपुर

अंशिका आर्य ने इस कैलकुलेटर और 2500+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 5 कैस्कोड एम्पलीफायर की प्रतिक्रिया कैलक्युलेटर्स

बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें

जाओ बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें = (transconductance*भार प्रतिरोध)/(2*pi*भार प्रतिरोध*(समाई+गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस))

डिजाइन इनसाइट और ट्रेड-ऑफ में 3-डीबी फ्रीक्वेंसी

जाओ 3 डीबी आवृत्ति = 1/(2*pi*(समाई+गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस)*(1/(1/भार प्रतिरोध+1/आउटपुट प्रतिरोध)))

कैस्कोड एम्पलीफायर में नाली प्रतिरोध

जाओ नाली प्रतिरोध = 1/(1/परिमित इनपुट प्रतिरोध+1/प्रतिरोध)

एम्पलीफायर गेन ने कॉम्प्लेक्स फ्रीक्वेंसी वेरिएबल का फंक्शन दिया

जाओ मिड बैंड में एम्पलीफायर गेन = मध्य बैंड लाभ*लाभ कारक

लाभ कारक

जाओ लाभ कारक = मिड बैंड में एम्पलीफायर गेन/मध्य बैंड लाभ

< 20 मल्टी स्टेज एम्प्लिफायर कैलक्युलेटर्स

सोर्स फॉलोअर ट्रांसफर फंक्शन का लगातार 2

जाओ लगातार बी = (((गेट टू सोर्स कैपेसिटेंस+गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस)*समाई+(गेट टू सोर्स कैपेसिटेंस+गेट टू सोर्स कैपेसिटेंस))/(transconductance*भार प्रतिरोध+1))*सिग्नल प्रतिरोध*भार प्रतिरोध

बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें

डिजाइन इनसाइट और ट्रेड-ऑफ में 3-डीबी फ्रीक्वेंसी

सीसी-सीबी एम्पलीफायर का ट्रांसकंडक्टेंस

जाओ transconductance = (2*वोल्टेज बढ़ना)/((प्रतिरोध/(प्रतिरोध+सिग्नल प्रतिरोध))*भार प्रतिरोध)

सीसी सीबी एम्पलीफायर का समग्र वोल्टेज लाभ

जाओ वोल्टेज बढ़ना = 1/2*(प्रतिरोध/(प्रतिरोध+सिग्नल प्रतिरोध))*भार प्रतिरोध*transconductance

स्रोत और उत्सर्जक अनुयायी की उच्च आवृत्ति प्रतिक्रिया में सिग्नल वोल्टेज

जाओ आउटपुट वोल्टेज = (विद्युत प्रवाह*सिग्नल प्रतिरोध)+गेट टू सोर्स वोल्टेज+सीमा वोल्टेज

सीसी सीबी एम्पलीफायर का इनपुट प्रतिरोध

जाओ प्रतिरोध = (सामान्य उत्सर्जक धारा लाभ+1)*(उत्सर्जक प्रतिरोध+प्राइमरी में सेकेंडरी वाइंडिंग का प्रतिरोध)

सीबी-सीजी एम्पलीफायर की कुल क्षमता

जाओ समाई = 1/(2*pi*भार प्रतिरोध*आउटपुट पोल फ्रीक्वेंसी)

विभेदक प्रवर्धक की प्रमुख ध्रुव आवृत्ति

जाओ ध्रुव आवृत्ति = 1/(2*pi*समाई*आउटपुट प्रतिरोध)

लोड रेजिस्टेंस दिए गए डिफरेंशियल एम्पलीफायर की फ्रीक्वेंसी

जाओ आवृत्ति = 1/(2*pi*भार प्रतिरोध*समाई)

डिफरेंशियल एम्पलीफायर का शॉर्ट सर्किट ट्रांसकंडक्शन

जाओ शॉर्ट सर्किट ट्रांसकंडक्टेंस = आउटपुट करेंट/विभेदक इनपुट सिग्नल

स्रोत-अनुयायी स्थानांतरण समारोह की संक्रमण आवृत्ति

जाओ संक्रमण आवृत्ति = transconductance/गेट टू सोर्स कैपेसिटेंस

सोर्स फॉलोअर की गेट टू सोर्स कैपेसिटेंस

जाओ गेट टू सोर्स कैपेसिटेंस = transconductance/संक्रमण आवृत्ति

स्रोत-अनुयायी का ट्रांसकंडक्टेंस

जाओ transconductance = संक्रमण आवृत्ति*गेट टू सोर्स कैपेसिटेंस

कैस्कोड एम्पलीफायर में नाली प्रतिरोध

जाओ नाली प्रतिरोध = 1/(1/परिमित इनपुट प्रतिरोध+1/प्रतिरोध)

एम्पलीफायर गेन ने कॉम्प्लेक्स फ्रीक्वेंसी वेरिएबल का फंक्शन दिया

जाओ मिड बैंड में एम्पलीफायर गेन = मध्य बैंड लाभ*लाभ कारक

लाभ कारक

जाओ लाभ कारक = मिड बैंड में एम्पलीफायर गेन/मध्य बैंड लाभ

स्रोत-अनुयायी की प्रमुख ध्रुव-आवृत्ति

जाओ प्रमुख ध्रुव की आवृत्ति = 1/(2*pi*लगातार बी)

स्रोत अनुयायी की आवृत्ति तोड़ें

जाओ ब्रेक फ़्रीक्वेंसी = 1/sqrt(लगातार सी)

एम्पलीफायर का पावर गेन दिया गया वोल्टेज गेन और करंट गेन

जाओ शक्ति लाभ = वोल्टेज बढ़ना*वर्तमान लाभ

बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें सूत्र

बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें = (transconductance*भार प्रतिरोध)/(2*pi*भार प्रतिरोध*(समाई+गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस))
GB = (g_m*R_L)/(2*pi*R_L*(C_t+C_gd))

सीएस एम्पलीफायर क्या है?

इलेक्ट्रॉनिक्स में, एक सामान्य-स्रोत एम्पलीफायर तीन बुनियादी सिंगल-स्टेज फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (एफईटी) एम्पलीफायर टोपोलॉजीज में से एक है, जिसे आमतौर पर वोल्टेज या ट्रांसकंडक्टेंस एम्पलीफायर के रूप में उपयोग किया जाता है। यह बताने का सबसे आसान तरीका है कि FET एक सामान्य स्रोत है, सामान्य नाली या सामान्य द्वार है, यह जांचना है कि सिग्नल कहाँ प्रवेश करता है और कहाँ से निकलता है।

बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें की गणना कैसे करें?

बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया transconductance (g_m), ट्रांसकंडक्टेंस एक सक्रिय डिवाइस के इनपुट टर्मिनल पर आउटपुट टर्मिनल पर करंट में परिवर्तन और वोल्टेज में परिवर्तन का अनुपात है। के रूप में, भार प्रतिरोध (R_L), लोड प्रतिरोध एक सर्किट का संचयी प्रतिरोध है, जैसा कि उस सर्किट को चलाने वाले वोल्टेज, करंट या पावर स्रोत द्वारा देखा जाता है। के रूप में, समाई (C_t), धारिता किसी चालक पर संग्रहीत विद्युत आवेश की मात्रा और विद्युत क्षमता में अंतर का अनुपात है। के रूप में & गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस (C_gd), गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस को उस कैपेसिटेंस के रूप में परिभाषित किया गया है जो MOSFET के जंक्शन के गेट और ड्रेन के बीच देखा जाता है। के रूप में डालें। कृपया बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें गणना

बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें कैलकुलेटर, बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें की गणना करने के लिए Gain Bandwidth Product = (transconductance*भार प्रतिरोध)/(2*pi*भार प्रतिरोध*(समाई+गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस)) का उपयोग करता है। बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें GB को लाभ बैंडविड्थ उत्पाद सूत्र को ओपन-लूप वोल्टेज लाभ के उत्पाद के रूप में परिभाषित किया गया है और आवृत्ति जिस पर इसे मापा जाता है। GBW को हर्ट्ज़ की इकाइयों में व्यक्त किया जाता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 180.4307 = (0.0048*1490)/(2*pi*1490*(2.889E-06+1.345E-06)). आप और अधिक बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें क्या है?

बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें लाभ बैंडविड्थ उत्पाद सूत्र को ओपन-लूप वोल्टेज लाभ के उत्पाद के रूप में परिभाषित किया गया है और आवृत्ति जिस पर इसे मापा जाता है। GBW को हर्ट्ज़ की इकाइयों में व्यक्त किया जाता है। है और इसे GB = (g_m*R_L)/(2*pi*R_L*(C_t+C_gd)) या Gain Bandwidth Product = (transconductance*भार प्रतिरोध)/(2*pi*भार प्रतिरोध*(समाई+गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस)) के रूप में दर्शाया जाता है।

बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें की गणना कैसे करें?

बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें को लाभ बैंडविड्थ उत्पाद सूत्र को ओपन-लूप वोल्टेज लाभ के उत्पाद के रूप में परिभाषित किया गया है और आवृत्ति जिस पर इसे मापा जाता है। GBW को हर्ट्ज़ की इकाइयों में व्यक्त किया जाता है। Gain Bandwidth Product = (transconductance*भार प्रतिरोध)/(2*pi*भार प्रतिरोध*(समाई+गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस)) GB = (g_m*R_L)/(2*pi*R_L*(C_t+C_gd)) के रूप में परिभाषित किया गया है। बैंडविड्थ उत्पाद प्राप्त करें की गणना करने के लिए, आपको transconductance (g_m), भार प्रतिरोध (R_L), समाई (C_t) & गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस (C_gd) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको ट्रांसकंडक्टेंस एक सक्रिय डिवाइस के इनपुट टर्मिनल पर आउटपुट टर्मिनल पर करंट में परिवर्तन और वोल्टेज में परिवर्तन का अनुपात है।, लोड प्रतिरोध एक सर्किट का संचयी प्रतिरोध है, जैसा कि उस सर्किट को चलाने वाले वोल्टेज, करंट या पावर स्रोत द्वारा देखा जाता है।, धारिता किसी चालक पर संग्रहीत विद्युत आवेश की मात्रा और विद्युत क्षमता में अंतर का अनुपात है। & गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस को उस कैपेसिटेंस के रूप में परिभाषित किया गया है जो MOSFET के जंक्शन के गेट और ड्रेन के बीच देखा जाता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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