थ्रेसहोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है कैलकुलेटर

✖गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है।ⓘ गेट-स्रोत वोल्टेज [V_gs]			+10% -10%
✖MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है।ⓘ प्रभावी वोल्टेज [V_eff]			+10% -10%

✖थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।ⓘ थ्रेसहोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है [V_th]

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थ्रेसहोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है

सूत्र

`"V"_{"th"} = "V"_{"gs"}-"V"_{"eff"}`

उदाहरण

`"2.3V"="4V"-"1.7V"`

कैलकुलेटर

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थ्रेसहोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

सीमा वोल्टेज = गेट-स्रोत वोल्टेज-प्रभावी वोल्टेज
V_th = V_gs-V_eff
यह सूत्र 3 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

सीमा वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।
गेट-स्रोत वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है।
प्रभावी वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

गेट-स्रोत वोल्टेज: 4 वोल्ट --> 4 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
प्रभावी वोल्टेज: 1.7 वोल्ट --> 1.7 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

V_th = V_gs-V_eff --> 4-1.7

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

V_th = 2.3

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

2.3 वोल्ट --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

2.3 वोल्ट <-- सीमा वोल्टेज

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » MOSFET » एनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » वोल्टेज » थ्रेसहोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित प्रहलाद सिंह

जयपुर इंजीनियरिंग कॉलेज एंड रिसर्च सेंटर (जेईसीआरसी), जयपुर

प्रहलाद सिंह ने इस कैलकुलेटर और 10+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 20 वोल्टेज कैलक्युलेटर्स

गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन

जाओ चैनल का संचालन = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

सामान्य गेट आउटपुट वोल्टेज

जाओ आउटपुट वोल्टेज = -(transconductance*गंभीर वोल्टेज)*((भार प्रतिरोध*गेट प्रतिरोध)/(गेट प्रतिरोध+भार प्रतिरोध))

MOSFET के ड्रेन Q1 पर आउटपुट वोल्टेज को कॉमन-मोड सिग्नल दिया गया

जाओ नाली वोल्टेज Q1 = -आउटपुट प्रतिरोध*(transconductance*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल)/(1+(2*transconductance*आउटपुट प्रतिरोध))

अंतर इनपुट वोल्टेज के साथ संचालन पर MOSFET के गेट और स्रोत पर वोल्टेज

जाओ गेट-स्रोत वोल्टेज = सीमा वोल्टेज+sqrt((2*डीसी बायस करंट)/(प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात))

स्रोत इनपुट वोल्टेज

जाओ स्रोत इनपुट वोल्टेज = इनपुट वोल्टेज*(इनपुट एम्पलीफायर प्रतिरोध/(इनपुट एम्पलीफायर प्रतिरोध+समतुल्य स्रोत प्रतिरोध))

इनपुट गेट-टू-सोर्स वोल्टेज

जाओ गंभीर वोल्टेज = (इनपुट एम्पलीफायर प्रतिरोध/(इनपुट एम्पलीफायर प्रतिरोध+समतुल्य स्रोत प्रतिरोध))*इनपुट वोल्टेज

MOSFET के ड्रेन Q2 पर आउटपुट वोल्टेज को कॉमन-मोड सिग्नल दिया गया

जाओ नाली वोल्टेज Q2 = -(आउटपुट प्रतिरोध/((1/transconductance)+2*आउटपुट प्रतिरोध))*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल

ओवरड्राइव वोल्टेज जब MOSFET लोड प्रतिरोध के साथ एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है

जाओ transconductance = कुल वर्तमान/(सामान्य मोड इनपुट सिग्नल-(2*कुल वर्तमान*आउटपुट प्रतिरोध))

डिफरेंशियल एम्पलीफायर का इंक्रीमेंटल वोल्टेज सिग्नल

जाओ सामान्य मोड इनपुट सिग्नल = (कुल वर्तमान/transconductance)+(2*कुल वर्तमान*आउटपुट प्रतिरोध)

गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया

जाओ गेट-स्रोत वोल्टेज = आगत बहाव/(कोणीय आवृत्ति*(स्रोत गेट कैपेसिटेंस+गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस))

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर

जाओ आगत बहाव = गेट-स्रोत वोल्टेज*(कोणीय आवृत्ति*(स्रोत गेट कैपेसिटेंस+गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस))

MOSFET में ड्रेन Q2 पर वोल्टेज

जाओ आउटपुट वोल्टेज = -(MOSFET का कुल भार प्रतिरोध/(2*आउटपुट प्रतिरोध))*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल

MOSFET के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज

MOSFET का संतृप्ति वोल्टेज

जाओ नाली और स्रोत संतृप्ति वोल्टेज = गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज

ओवरड्राइव वोल्टेज

जाओ ओवरड्राइव वोल्टेज = (2*जल निकासी धारा)/transconductance

ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज

जाओ गेट-स्रोत वोल्टेज = सीमा वोल्टेज+1.4*प्रभावी वोल्टेज

थ्रेसहोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है

जाओ सीमा वोल्टेज = गेट-स्रोत वोल्टेज-प्रभावी वोल्टेज

MOSFET के ड्रेन Q1 पर आउटपुट वोल्टेज

जाओ नाली वोल्टेज Q1 = -(आउटपुट प्रतिरोध*कुल वर्तमान)

MOSFET के ड्रेन Q2 पर आउटपुट वोल्टेज

जाओ नाली वोल्टेज Q2 = -(आउटपुट प्रतिरोध*कुल वर्तमान)

MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज

जाओ सीमा वोल्टेज = गेट-स्रोत वोल्टेज-प्रभावी वोल्टेज

थ्रेसहोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है सूत्र

सीमा वोल्टेज = गेट-स्रोत वोल्टेज-प्रभावी वोल्टेज
V_th = V_gs-V_eff

एम्प्लीफायर के रूप में MOSFET कैसे कार्य करता है?

गेट वोल्टेज में एक छोटा सा बदलाव JFET की तरह ड्रेन करंट में एक बड़ा बदलाव पैदा करता है। यह तथ्य MOSFET को कमजोर सिग्नल की ताकत बढ़ाने में सक्षम बनाता है; इस प्रकार एक एम्पलीफायर के रूप में कार्य करना। संकेत के सकारात्मक आधे चक्र के दौरान, गेट पर सकारात्मक वोल्टेज बढ़ता है और वृद्धि-मोड पैदा करता है।

थ्रेसहोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है की गणना कैसे करें?

थ्रेसहोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया गेट-स्रोत वोल्टेज (V_gs), गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है। के रूप में & प्रभावी वोल्टेज (V_eff), MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है। के रूप में डालें। कृपया थ्रेसहोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

थ्रेसहोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है गणना

थ्रेसहोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है कैलकुलेटर, सीमा वोल्टेज की गणना करने के लिए Threshold Voltage = गेट-स्रोत वोल्टेज-प्रभावी वोल्टेज का उपयोग करता है। थ्रेसहोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है V_th को थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है तो वह गेट-सोर्स वोल्टेज होता है जिस पर MOSFET संचालन शुरू करता है और करंट को अपने चैनल के माध्यम से प्रवाहित करने की अनुमति देता है। यह वांछित आउटपुट करंट और वोल्टेज स्विंग को प्राप्त करने के लिए आवश्यक इनपुट वोल्टेज स्तर को निर्धारित करता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ थ्रेसहोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 2.3 = 4-1.7. आप और अधिक थ्रेसहोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

थ्रेसहोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है क्या है?

थ्रेसहोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है तो वह गेट-सोर्स वोल्टेज होता है जिस पर MOSFET संचालन शुरू करता है और करंट को अपने चैनल के माध्यम से प्रवाहित करने की अनुमति देता है। यह वांछित आउटपुट करंट और वोल्टेज स्विंग को प्राप्त करने के लिए आवश्यक इनपुट वोल्टेज स्तर को निर्धारित करता है। है और इसे V_th = V_gs-V_eff या Threshold Voltage = गेट-स्रोत वोल्टेज-प्रभावी वोल्टेज के रूप में दर्शाया जाता है।

थ्रेसहोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है की गणना कैसे करें?

थ्रेसहोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है को थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है तो वह गेट-सोर्स वोल्टेज होता है जिस पर MOSFET संचालन शुरू करता है और करंट को अपने चैनल के माध्यम से प्रवाहित करने की अनुमति देता है। यह वांछित आउटपुट करंट और वोल्टेज स्विंग को प्राप्त करने के लिए आवश्यक इनपुट वोल्टेज स्तर को निर्धारित करता है। Threshold Voltage = गेट-स्रोत वोल्टेज-प्रभावी वोल्टेज V_th = V_gs-V_eff के रूप में परिभाषित किया गया है। थ्रेसहोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है की गणना करने के लिए, आपको गेट-स्रोत वोल्टेज (V_gs) & प्रभावी वोल्टेज (V_eff) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है। & MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

सीमा वोल्टेज की गणना करने के कितने तरीके हैं?

सीमा वोल्टेज गेट-स्रोत वोल्टेज (V_gs) & प्रभावी वोल्टेज (V_eff) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 1 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

सीमा वोल्टेज = गेट-स्रोत वोल्टेज-प्रभावी वोल्टेज

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