Tensione di sala calcolatrice

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Parametri elettrostatici

Caratteristiche dei semiconduttori

Caratteristiche del diodo

Caratteristiche del portatore di carica

Parametri operativi del transistor

✖L'intensità del campo magnetico è una misura dell'intensità di un campo magnetico in una data area di quel campo.ⓘ Intensità del campo magnetico [H]			+10% -10%
✖La corrente elettrica è la velocità temporale del flusso di carica attraverso un'area della sezione trasversale.ⓘ Corrente elettrica [I]			+10% -10%
✖Il coefficiente di Hall è definito come il rapporto tra il campo elettrico indotto e il prodotto della densità di corrente e del campo magnetico applicato.ⓘ Coefficiente di sala [RH]			+10% -10%
✖La larghezza del semiconduttore determina la larghezza del semiconduttore.ⓘ Larghezza del semiconduttore [W]			+10% -10%

✖La tensione di Hall afferma che se un metallo o un semiconduttore trasporta una corrente I che si trova nel campo magnetico trasversale B, viene indotto un campo elettrico in una direzione perpendicolare sia a I che a B.ⓘ Tensione di sala [V_h]

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Formula

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Tensione di sala

Formula

`"V"_{"h"} = (("H"*"I")/("RH"*"W"))`

Esempio

`"0.851852V"=(("0.23A/m"*"2.2A")/("6"*"99mm"))`

Calcolatrice

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Tensione di sala Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione di sala = ((Intensità del campo magnetico*Corrente elettrica)/(Coefficiente di sala*Larghezza del semiconduttore))
V_h = ((H*I)/(RH*W))
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Tensione di sala - (Misurato in Volt) - La tensione di Hall afferma che se un metallo o un semiconduttore trasporta una corrente I che si trova nel campo magnetico trasversale B, viene indotto un campo elettrico in una direzione perpendicolare sia a I che a B.
Intensità del campo magnetico - (Misurato in Ampere per metro) - L'intensità del campo magnetico è una misura dell'intensità di un campo magnetico in una data area di quel campo.
Corrente elettrica - (Misurato in Ampere) - La corrente elettrica è la velocità temporale del flusso di carica attraverso un'area della sezione trasversale.
Coefficiente di sala - Il coefficiente di Hall è definito come il rapporto tra il campo elettrico indotto e il prodotto della densità di corrente e del campo magnetico applicato.
Larghezza del semiconduttore - (Misurato in metro) - La larghezza del semiconduttore determina la larghezza del semiconduttore.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Intensità del campo magnetico: 0.23 Ampere per metro --> 0.23 Ampere per metro Nessuna conversione richiesta
Corrente elettrica: 2.2 Ampere --> 2.2 Ampere Nessuna conversione richiesta
Coefficiente di sala: 6 --> Nessuna conversione richiesta
Larghezza del semiconduttore: 99 Millimetro --> 0.099 metro (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_h = ((H*I)/(RH*W)) --> ((0.23*2.2)/(6*0.099))

Valutare ... ...

V_h = 0.851851851851852

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.851851851851852 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.851851851851852 ≈ 0.851852 Volt <-- Tensione di sala

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Tejasvini Thakral

Dott. BR Ambedkar Istituto Nazionale di Tecnologia (NITJ), A malapena

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Verificato da Rachita C

BMS College of Engineering (BMSCE), Banglore

Rachita C ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 14 Parametri elettrostatici Calcolatrici

Sensibilità alla deflessione magnetica

Partire Sensibilità alla deflessione magnetica = (Lunghezza delle piastre deflettrici*Lunghezza tubo catodico)*sqrt(([Charge-e]/(2*[Mass-e]*Tensione anodica)))

Sensibilità alla deflessione elettrostatica

Partire Sensibilità alla deflessione elettrostatica = (Lunghezza delle piastre deflettrici*Lunghezza tubo catodico)/(2*Distanza tra le piastre deflettrici*Tensione anodica)

Tensione di sala

Partire Tensione di sala = ((Intensità del campo magnetico*Corrente elettrica)/(Coefficiente di sala*Larghezza del semiconduttore))

Raggio di elettrone su percorso circolare

Partire Raggio di elettrone = ([Mass-e]*Velocità dell'elettrone)/(Intensità del campo magnetico*[Charge-e])

Capacità di transizione

Partire Capacità di transizione = ([Permitivity-vacuum]*Area della piastra di giunzione)/Larghezza della regione di svuotamento

Velocità angolare delle particelle nel campo magnetico

Partire Velocità angolare della particella = (Carica di particelle*Intensità del campo magnetico)/Massa delle particelle

Flusso elettrico

Partire Flusso elettrico = Intensità del campo elettrico*Area di superficie*cos(Angolo)

Velocità angolare dell'elettrone nel campo magnetico

Partire Velocità angolare dell'elettrone = ([Charge-e]*Intensità del campo magnetico)/[Mass-e]

Accelerazione delle particelle

Partire Accelerazione delle particelle = ([Charge-e]*Intensità del campo elettrico)/[Mass-e]

Lunghezza del percorso della particella nel piano cicloidale

Partire Percorso cicloidale delle particelle = Velocità dell'elettrone nei campi di forza/Velocità angolare dell'elettrone

Intensità del campo magnetico

Partire Intensità del campo magnetico = Lunghezza del filo/ (2*pi*Distanza dal filo)

Intensità del campo elettrico

Partire Intensità del campo elettrico = Forza elettrica/Carica elettrica

Densità del flusso elettrico

Partire Densità del flusso elettrico = Flusso elettrico/Superficie

Diametro del cicloide

Partire Diametro della cicloide = 2*Percorso cicloidale delle particelle

Tensione di sala Formula

Tensione di sala = ((Intensità del campo magnetico*Corrente elettrica)/(Coefficiente di sala*Larghezza del semiconduttore))
V_h = ((H*I)/(RH*W))

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