Componente foro Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Componente foro = Componente elettronico*Efficienza di iniezione dell'emettitore/(1-Efficienza di iniezione dell'emettitore)
iep = ien*Y/(1-Y)
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Componente foro - Hole Component è definito come il numero di fori presenti nei semiconduttori.
Componente elettronico - Il componente elettronico è il componente di carica dell'elettrone negativo.
Efficienza di iniezione dell'emettitore - L'efficienza di iniezione dell'emettitore è la frazione della corrente totale dell'emettitore dovuta ai buchi.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Componente elettronico: 1.26 --> Nessuna conversione richiesta
Efficienza di iniezione dell'emettitore: 0.8 --> Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
iep = ien*Y/(1-Y) --> 1.26*0.8/(1-0.8)
Valutare ... ...
iep = 5.04
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
5.04 --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
5.04 <-- Componente foro
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

18 Elettroni Calcolatrici

Funzione d'onda Phi-dipendente
​ Partire Φ Funzione d'onda dipendente = (1/sqrt(2*pi))*(exp(Numero quantico dell'onda*Angolo della funzione d'onda))
Ordine di diffrazione
​ Partire Ordine di diffrazione = (2*Spazio di innesto*sin(Angolo incidente))/Lunghezza d'onda del raggio
Componente foro
​ Partire Componente foro = Componente elettronico*Efficienza di iniezione dell'emettitore/(1-Efficienza di iniezione dell'emettitore)
Densità del flusso di elettroni
​ Partire Densità del flusso di elettroni = (Elettrone a cammino libero medio/(2*Tempo))*Differenza nella concentrazione di elettroni
Mean Free Path
​ Partire Elettrone a cammino libero medio = (Densità del flusso di elettroni/(Differenza nella concentrazione di elettroni))*2*Tempo
Raggio dell'ennesima orbita dell'elettrone
​ Partire Raggio dell'ennesima orbita dell'elettrone = ([Coulomb]*Numero quantico^2*[hP]^2)/(Massa della particella*[Charge-e]^2)
Stato quantico
​ Partire Energia in stato quantico = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Massa della particella*Lunghezza potenziale del pozzo^2)
Conduttanza CA
​ Partire Conduttanza CA = ([Charge-e]/([BoltZ]*Temperatura))*Corrente elettrica
Componente elettronico
​ Partire Componente elettronico = ((Componente foro)/Efficienza di iniezione dell'emettitore)-Componente foro
Differenza nella concentrazione di elettroni
​ Partire Differenza nella concentrazione di elettroni = concentrazione di elettroni 1-concentrazione di elettroni 2
Densità di corrente della portante totale
​ Partire Densità di corrente portante totale = Densità di corrente elettronica+Densità di corrente del foro
Densità della corrente elettronica
​ Partire Densità di corrente elettronica = Densità di corrente portante totale-Densità di corrente del foro
Densità di corrente del foro
​ Partire Densità di corrente del foro = Densità di corrente portante totale-Densità di corrente elettronica
Moltiplicazione di elettroni
​ Partire Moltiplicazione elettronica = Numero di elettroni fuori regione/Numero di elettroni nella regione
Tempo medio speso per buca
​ Partire Tempo medio speso per buca = Velocità di generazione ottica*Decadimento del vettore maggioritario
Elettrone fuori regione
​ Partire Numero di elettroni fuori regione = Moltiplicazione elettronica*Numero di elettroni nella regione
Elettrone in regione
​ Partire Numero di elettroni nella regione = Numero di elettroni fuori regione/Moltiplicazione elettronica
Ampiezza della funzione d'onda
​ Partire Ampiezza della funzione d'onda = sqrt(2/Lunghezza potenziale del pozzo)

Componente foro Formula

Componente foro = Componente elettronico*Efficienza di iniezione dell'emettitore/(1-Efficienza di iniezione dell'emettitore)
iep = ien*Y/(1-Y)

Come si chiamano i componenti a foro passante?

Esistono due tipi di componenti di montaggio a foro passante: i cosiddetti componenti di derivazione assiale e radiale. Con i componenti dei conduttori assiali, i conduttori vengono posizionati su entrambi i lati terminali del componente. I componenti radiali hanno i conduttori su un lato terminale del componente.

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