इनपुट व्होल्टेज दिलेल्या प्राथमिक विंडिंगमध्ये EMF प्रेरित कॅल्क्युलेटर

✖प्राथमिक व्होल्टेज म्हणजे सुविधांवरील व्होल्टेजची पातळी ज्यावर विद्युत ऊर्जा घेतली जाते किंवा वितरित केली जाते, सामान्यत: 12 kV आणि 33 kV च्या दरम्यान असते, परंतु नेहमी 2 kV आणि 50 kV च्या दरम्यान असते.ⓘ प्राथमिक व्होल्टेज [V₁]			+10% -10%
✖प्राथमिक करंट म्हणजे ट्रान्सफॉर्मरच्या प्राथमिक विंडिंगमध्ये प्रवाहित होणारा प्रवाह. ट्रान्सफॉर्मरचा प्राथमिक प्रवाह लोड करंटद्वारे निर्धारित केला जातो.ⓘ प्राथमिक वर्तमान [I₁]			+10% -10%
✖प्राथमिक वळणाचा प्रतिबाधा हा ट्रान्सफॉर्मरच्या प्राथमिक बाजूशी जोडलेल्या उपकरणाला अपेक्षित असलेला प्रतिबाधा आहे.ⓘ प्राथमिक च्या impedance [Z₁]			+10% -10%

✖कॉइलद्वारे चुंबकीय प्रवाहात बदल झाल्यामुळे कॉइलमध्ये व्होल्टेजचे उत्पादन हे प्राथमिक विंडिंगमध्ये EMF प्रेरित आहे.ⓘ इनपुट व्होल्टेज दिलेल्या प्राथमिक विंडिंगमध्ये EMF प्रेरित [E₁]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

इनपुट व्होल्टेज दिलेल्या प्राथमिक विंडिंगमध्ये EMF प्रेरित

सुत्र

`"E"_{"1"} = "V"_{"1"}-"I"_{"1"}*"Z"_{"1"}`

उदाहरण

`"13.2V"="240V"-"12.6A"*"18Ω"`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा रोहीत्र सुत्र PDF PDF Image

इनपुट व्होल्टेज दिलेल्या प्राथमिक विंडिंगमध्ये EMF प्रेरित उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

EMF प्राथमिक मध्ये प्रेरित = प्राथमिक व्होल्टेज-प्राथमिक वर्तमान*प्राथमिक च्या impedance
E₁ = V₁-I₁*Z₁
हे सूत्र 4 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

EMF प्राथमिक मध्ये प्रेरित - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - कॉइलद्वारे चुंबकीय प्रवाहात बदल झाल्यामुळे कॉइलमध्ये व्होल्टेजचे उत्पादन हे प्राथमिक विंडिंगमध्ये EMF प्रेरित आहे.
प्राथमिक व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - प्राथमिक व्होल्टेज म्हणजे सुविधांवरील व्होल्टेजची पातळी ज्यावर विद्युत ऊर्जा घेतली जाते किंवा वितरित केली जाते, सामान्यत: 12 kV आणि 33 kV च्या दरम्यान असते, परंतु नेहमी 2 kV आणि 50 kV च्या दरम्यान असते.
प्राथमिक वर्तमान - (मध्ये मोजली अँपिअर) - प्राथमिक करंट म्हणजे ट्रान्सफॉर्मरच्या प्राथमिक विंडिंगमध्ये प्रवाहित होणारा प्रवाह. ट्रान्सफॉर्मरचा प्राथमिक प्रवाह लोड करंटद्वारे निर्धारित केला जातो.
प्राथमिक च्या impedance - (मध्ये मोजली ओहम) - प्राथमिक वळणाचा प्रतिबाधा हा ट्रान्सफॉर्मरच्या प्राथमिक बाजूशी जोडलेल्या उपकरणाला अपेक्षित असलेला प्रतिबाधा आहे.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

प्राथमिक व्होल्टेज: 240 व्होल्ट --> 240 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
प्राथमिक वर्तमान: 12.6 अँपिअर --> 12.6 अँपिअर कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
प्राथमिक च्या impedance: 18 ओहम --> 18 ओहम कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

E₁ = V₁-I₁*Z₁ --> 240-12.6*18

मूल्यांकन करत आहे ... ...

E₁ = 13.2

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

13.2 व्होल्ट --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

13.2 व्होल्ट <-- EMF प्राथमिक मध्ये प्रेरित

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » विद्युत » मशीन » एसी मशीन्स » रोहीत्र » विद्युतदाब » इनपुट व्होल्टेज दिलेल्या प्राथमिक विंडिंगमध्ये EMF प्रेरित

जमा

ने निर्मित उर्वी राठोड

विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठोड यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1500+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित अनिरुद्ध सिंह

राष्ट्रीय तंत्रज्ञान संस्था (एनआयटी), जमशेदपूर

अनिरुद्ध सिंह यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 12 विद्युतदाब कॅल्क्युलेटर

प्राथमिक वळण मध्ये EMF प्रेरित

जा EMF प्राथमिक मध्ये प्रेरित = 4.44*प्राथमिक मध्ये वळणांची संख्या*पुरवठा वारंवारता*कोरचे क्षेत्रफळ*कमाल फ्लक्स घनता

EMF दुय्यम वळण मध्ये प्रेरित

जा EMF माध्यमिक मध्ये प्रेरित = 4.44*दुय्यम मध्ये वळणांची संख्या*पुरवठा वारंवारता*कोरचे क्षेत्रफळ*कमाल फ्लक्स घनता

लोड नसताना टर्मिनल व्होल्टेज

जा लोड टर्मिनल व्होल्टेज नाही = (प्राथमिक व्होल्टेज*दुय्यम मध्ये वळणांची संख्या)/प्राथमिक मध्ये वळणांची संख्या

इनपुट व्होल्टेज दिलेल्या प्राथमिक विंडिंगमध्ये EMF प्रेरित

जा EMF प्राथमिक मध्ये प्रेरित = प्राथमिक व्होल्टेज-प्राथमिक वर्तमान*प्राथमिक च्या impedance

प्राथमिक विंडिंगमध्ये EMF प्रेरित असताना इनपुट व्होल्टेज

जा प्राथमिक व्होल्टेज = EMF प्राथमिक मध्ये प्रेरित+प्राथमिक वर्तमान*प्राथमिक च्या impedance

आउटपुट व्होल्टेज दिलेला EMF दुय्यम विंडिंगमध्ये प्रेरित होतो

जा दुय्यम व्होल्टेज = EMF माध्यमिक मध्ये प्रेरित-दुय्यम वर्तमान*माध्यमिक च्या impedance

प्राथमिक बाजूला स्वयं-प्रेरित EMF

जा प्राथमिक मध्ये स्वयं प्रेरित EMF = प्राथमिक गळती प्रतिक्रिया*प्राथमिक वर्तमान

व्होल्टेज ट्रान्सफॉर्मेशन रेशो दिलेल्या प्राथमिक विंडिंगमध्ये EMF प्रेरित

जा EMF प्राथमिक मध्ये प्रेरित = EMF माध्यमिक मध्ये प्रेरित/परिवर्तन प्रमाण

व्होल्टेज ट्रान्सफॉर्मेशन रेशो दिलेले दुय्यम विंडिंगमध्ये EMF प्रेरित

जा EMF माध्यमिक मध्ये प्रेरित = EMF प्राथमिक मध्ये प्रेरित*परिवर्तन प्रमाण

दुय्यम बाजूमध्ये स्वयं-प्रेरित ईएमएफ

जा EMF माध्यमिक मध्ये प्रेरित = दुय्यम गळती प्रतिक्रिया*दुय्यम वर्तमान

प्राथमिक व्होल्टेज दिलेला व्होल्टेज ट्रान्सफॉर्मेशन रेशो

जा प्राथमिक व्होल्टेज = दुय्यम व्होल्टेज/परिवर्तन प्रमाण

दुय्यम व्होल्टेज दिलेला व्होल्टेज ट्रान्सफॉर्मेशन रेशो

जा दुय्यम व्होल्टेज = प्राथमिक व्होल्टेज*परिवर्तन प्रमाण

< 19 ट्रान्सफॉर्मर डिझाइन कॅल्क्युलेटर

हिस्टेरेसिसचे नुकसान

जा हिस्टेरेसिसचे नुकसान = हिस्टेरेसिस स्थिर*पुरवठा वारंवारता*(कमाल फ्लक्स घनता^स्टीनमेट्झ गुणांक)*कोरचा खंड

एडी वर्तमान नुकसान

जा एडी वर्तमान नुकसान = एडी वर्तमान गुणांक*कमाल फ्लक्स घनता^2*पुरवठा वारंवारता^2*लॅमिनेशन जाडी^2*कोरचा खंड

प्राथमिक विंडिंगमध्ये EMF प्रेरित कोरचे क्षेत्रफळ

जा कोरचे क्षेत्रफळ = EMF प्राथमिक मध्ये प्रेरित/(4.44*पुरवठा वारंवारता*प्राथमिक मध्ये वळणांची संख्या*कमाल फ्लक्स घनता)

प्राथमिक विंडिंगमधील वळणांची संख्या

जा प्राथमिक मध्ये वळणांची संख्या = EMF प्राथमिक मध्ये प्रेरित/(4.44*पुरवठा वारंवारता*कोरचे क्षेत्रफळ*कमाल फ्लक्स घनता)

दुय्यम विंडिंगमध्ये EMF प्रेरित कोरचे क्षेत्रफळ

जा कोरचे क्षेत्रफळ = EMF माध्यमिक मध्ये प्रेरित/(4.44*पुरवठा वारंवारता*दुय्यम मध्ये वळणांची संख्या*कमाल फ्लक्स घनता)

दुय्यम विंडिंगमधील वळणांची संख्या

जा दुय्यम मध्ये वळणांची संख्या = EMF माध्यमिक मध्ये प्रेरित/(4.44*पुरवठा वारंवारता*कोरचे क्षेत्रफळ*कमाल फ्लक्स घनता)

ट्रान्सफॉर्मरचे टक्केवारी नियमन

जा ट्रान्सफॉर्मरचे टक्केवारीचे नियमन = ((लोड टर्मिनल व्होल्टेज नाही-पूर्ण लोड टर्मिनल व्होल्टेज)/लोड टर्मिनल व्होल्टेज नाही)*100

प्राथमिक विंडिंग वापरून कोरमध्ये जास्तीत जास्त प्रवाह

जा कमाल कोर फ्लक्स = EMF प्राथमिक मध्ये प्रेरित/(4.44*पुरवठा वारंवारता*प्राथमिक मध्ये वळणांची संख्या)

दुय्यम वळण वापरून कोरमध्ये जास्तीत जास्त प्रवाह

जा कमाल कोर फ्लक्स = EMF माध्यमिक मध्ये प्रेरित/(4.44*पुरवठा वारंवारता*दुय्यम मध्ये वळणांची संख्या)

इनपुट व्होल्टेज दिलेल्या प्राथमिक विंडिंगमध्ये EMF प्रेरित

प्राथमिक वळणाचा प्रतिकार, प्राथमिक वळणाचा प्रतिबाधा

जा प्राथमिकचा प्रतिकार = sqrt(प्राथमिक च्या impedance^2-प्राथमिक गळती प्रतिक्रिया^2)

दुय्यम वळणाचा प्रतिकार दिलेला दुय्यम वळणाचा प्रतिबाधा

जा दुय्यम प्रतिकार = sqrt(माध्यमिक च्या impedance^2-दुय्यम गळती प्रतिक्रिया^2)

ट्रान्सफॉर्मरचे स्टॅकिंग फॅक्टर

जा ट्रान्सफॉर्मरचे स्टॅकिंग फॅक्टर = निव्वळ क्रॉस विभागीय क्षेत्र/सकल क्रॉस विभागीय क्षेत्र

ट्रान्सफॉर्मर कोरचा उपयोग घटक

जा ट्रान्सफॉर्मर कोरचा उपयोग घटक = निव्वळ क्रॉस विभागीय क्षेत्र/एकूण क्रॉस विभागीय क्षेत्र

प्राथमिक बाजूला स्वयं-प्रेरित EMF

दुय्यम बाजूमध्ये स्वयं-प्रेरित ईएमएफ

जा EMF माध्यमिक मध्ये प्रेरित = दुय्यम गळती प्रतिक्रिया*दुय्यम वर्तमान

ट्रान्सफॉर्मर लोखंडी नुकसान

जा लोखंडाचे नुकसान = एडी वर्तमान नुकसान+हिस्टेरेसिसचे नुकसान

ट्रान्सफॉर्मरची संपूर्ण दिवस कार्यक्षमतेची टक्केवारी

जा दिवसभर कार्यक्षमता = ((आउटपुट ऊर्जा)/(इनपुट एनर्जी))*100

कमाल कोर फ्लक्स

जा कमाल कोर फ्लक्स = कमाल फ्लक्स घनता*कोरचे क्षेत्रफळ

इनपुट व्होल्टेज दिलेल्या प्राथमिक विंडिंगमध्ये EMF प्रेरित सुत्र

EMF प्राथमिक मध्ये प्रेरित = प्राथमिक व्होल्टेज-प्राथमिक वर्तमान*प्राथमिक च्या impedance
E₁ = V₁-I₁*Z₁

ट्रान्सफॉर्मरमध्ये कोणत्या प्रकारचे वळण वापरले जाते?

कोर प्रकारात, आम्ही बाहेरील अवयवांवर प्राथमिक आणि दुय्यम वळण लपेटतो आणि शेल प्रकारात, आम्ही प्राथमिक आणि दुय्यम वळण आतल्या अंगांवर ठेवतो. आम्ही कोअर टाइप ट्रान्सफॉर्मरमध्ये कॉन्ट्रिक टाइप विंडिंग्ज वापरतो. आम्ही कोर जवळ व्होल्टेज वळण ठेवतो. तथापि, गळतीची प्रतिक्रिया कमी करण्यासाठी, विंडिंग्ज इंटरलेस केले जाऊ शकतात.

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!