Energie per onzuiverheid Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Energie nodig per onzuiverheid = -ln(Fractie van onzuiverheden)*[R]*Temperatuur
ΔE = -ln(f)*[R]*T
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 1 Functies, 3 Variabelen
Gebruikte constanten
[R] - Universele gasconstante Waarde genomen als 8.31446261815324
Functies die worden gebruikt
ln - De natuurlijke logaritme, ook bekend als de logaritme met grondtal e, is de inverse functie van de natuurlijke exponentiële functie., ln(Number)
Variabelen gebruikt
Energie nodig per onzuiverheid - (Gemeten in Joule) - De benodigde energie per onzuiverheid is E is de energie die nodig is om één onzuiverheid in het kristalrooster te bezetten.
Fractie van onzuiverheden - De fractie van onzuiverheden is de verhouding van kristalrooster bezet door onzuiverheid tot totaal aantal. van kristalrooster.
Temperatuur - (Gemeten in Kelvin) - Temperatuur is de mate of intensiteit van warmte die aanwezig is in een stof of object.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Fractie van onzuiverheden: 0.5 --> Geen conversie vereist
Temperatuur: 85 Kelvin --> 85 Kelvin Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
ΔE = -ln(f)*[R]*T --> -ln(0.5)*[R]*85
Evalueren ... ...
ΔE = 489.867437339738
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
489.867437339738 Joule --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
489.867437339738 489.8674 Joule <-- Energie nodig per onzuiverheid
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Prerana Bakli
Universiteit van Hawai'i in Mānoa (UH Manoa), Hawaï, VS
Prerana Bakli heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 800+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Akshada Kulkarni
Nationaal instituut voor informatietechnologie (NIT), Neemrana
Akshada Kulkarni heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 900+ rekenmachines!

24 rooster Rekenmachines

Miller-index langs de X-as met behulp van Weiss-indices
​ Gaan Miller-index langs de x-as = lcm(Weiss-index langs de x-as,Weiss-index langs de y-as,Weiss-index langs de z-as)/Weiss-index langs de x-as
Miller-index langs de Y-as met behulp van Weiss-indices
​ Gaan Miller-index langs de y-as = lcm(Weiss-index langs de x-as,Weiss-index langs de y-as,Weiss-index langs de z-as)/Weiss-index langs de y-as
Miller-index langs de Z-as met behulp van Weiss-indices
​ Gaan Miller-index langs de z-as = lcm(Weiss-index langs de x-as,Weiss-index langs de y-as,Weiss-index langs de z-as)/Weiss-index langs de z-as
Randlengte met behulp van Interplanar Distance of Cubic Crystal
​ Gaan Rand lengte = Interplanaire afstand*sqrt((Miller-index langs de x-as^2)+(Miller-index langs de y-as^2)+(Miller-index langs de z-as^2))
Fractie van onzuiverheid in roostertermen van Energie
​ Gaan Fractie van onzuiverheden = exp(-Energie nodig per onzuiverheid/([R]*Temperatuur))
Fractie van Leegstand in roostertermen van Energie
​ Gaan Fractie van de vacature = exp(-Benodigde energie per Vacature/([R]*Temperatuur))
Energie per onzuiverheid
​ Gaan Energie nodig per onzuiverheid = -ln(Fractie van onzuiverheden)*[R]*Temperatuur
Energie per vacature
​ Gaan Benodigde energie per Vacature = -ln(Fractie van de vacature)*[R]*Temperatuur
Verpakkingsefficiëntie
​ Gaan Verpakkingsefficiëntie: = (Volume bezet door bollen in eenheidscel/Totaal volume van eenheidscel)*100
Fractie van onzuiverheden in rooster
​ Gaan Fractie van onzuiverheden = Aantal rooster bezet door onzuiverheden/Totaal aantal. van roosterpunten
Aantal rooster met onzuiverheden
​ Gaan Aantal rooster bezet door onzuiverheden = Fractie van onzuiverheden*Totaal aantal. van roosterpunten
Fractie van leegstand in rooster
​ Gaan Fractie van de vacature = Aantal leeg rooster/Totaal aantal. van roosterpunten
Aantal leegstaand rooster
​ Gaan Aantal leeg rooster = Fractie van de vacature*Totaal aantal. van roosterpunten
Weiss-index langs de X-as met behulp van Miller-indices
​ Gaan Weiss-index langs de x-as = LCM van Weiss Indices/Miller-index langs de x-as
Weiss-index langs de Y-as met behulp van Miller-indices
​ Gaan Weiss-index langs de y-as = LCM van Weiss Indices/Miller-index langs de y-as
Weiss Index langs de Z-as met behulp van Miller Indices
​ Gaan Weiss-index langs de z-as = LCM van Weiss Indices/Miller-index langs de z-as
Straal van samenstellend deeltje in BCC-rooster
​ Gaan Straal van samenstellend deeltje = 3*sqrt(3)*Rand lengte/4
Randlengte van cel met gecentreerde eenheid
​ Gaan Rand lengte = 2*sqrt(2)*Straal van samenstellend deeltje
Randlengte van Body Centered Unit Cell
​ Gaan Rand lengte = 4*Straal van samenstellend deeltje/sqrt(3)
Straalverhouding
​ Gaan Straalverhouding = Straal van kation/Straal van anion
Aantal tetraëdrische holtes
​ Gaan Aantal tetraëdrische holtes = 2*Aantal gesloten verpakte bollen
Straal van samenstellend deeltje in FCC-rooster
​ Gaan Straal van samenstellend deeltje = Rand lengte/2.83
Straal van samenstellend deeltje in Simple Cubic Unit Cell
​ Gaan Straal van samenstellend deeltje = Rand lengte/2
Randlengte van een eenvoudige kubieke eenheidscel
​ Gaan Rand lengte = 2*Straal van samenstellend deeltje

Energie per onzuiverheid Formule

Energie nodig per onzuiverheid = -ln(Fractie van onzuiverheden)*[R]*Temperatuur
ΔE = -ln(f)*[R]*T

Wat zijn defecten in kristal?

De rangschikking van de atomen in alle materialen bevat onvolkomenheden die een diepgaand effect hebben op het gedrag van de materialen. Roosterdefecten kunnen worden onderverdeeld in drie 1. Puntdefecten (vacatures, interstitiële defecten, substitutiedefecten) 2. Lijndefect (schroefdislocatie, randdislocatie) 3. oppervlaktedefecten (materiaaloppervlak, korrelgrenzen)

Waarom zijn defecten belangrijk?

Er zijn veel eigenschappen die worden gecontroleerd of beïnvloed door defecten, bijvoorbeeld: 1. Elektrische en thermische geleidbaarheid in metalen (sterk verminderd door puntdefecten). 2. Elektronische geleidbaarheid in halfgeleiders (gecontroleerd door vervangende defecten). 3. Verspreiding (gecontroleerd door vacatures). 4. Ionische geleidbaarheid (gecontroleerd door vacatures). 5. Plastische vervorming in kristallijne materialen (gecontroleerd door dislocatie). 6. Kleuren (aangetast door defecten). 7. Mechanische sterkte (sterk afhankelijk van defecten).

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!