Fractie van Leegstand in roostertermen van Energie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Fractie van de vacature = exp(-Benodigde energie per Vacature/([R]*Temperatuur))
fvacancy = exp(-ΔEvacancy/([R]*T))
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 1 Functies, 3 Variabelen
Gebruikte constanten
[R] - Universele gasconstante Waarde genomen als 8.31446261815324
Functies die worden gebruikt
exp - Bij een exponentiële functie verandert de waarde van de functie met een constante factor voor elke eenheidsverandering in de onafhankelijke variabele., exp(Number)
Variabelen gebruikt
Fractie van de vacature - De leegstandsfractie is de verhouding tussen het lege kristalrooster en het totale aantal. van kristalrooster.
Benodigde energie per Vacature - (Gemeten in Joule) - De benodigde energie per vacature is E is de energie die nodig is om één vacature in het kristalrooster te creëren.
Temperatuur - (Gemeten in Kelvin) - Temperatuur is de mate of intensiteit van warmte die aanwezig is in een stof of object.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Benodigde energie per Vacature: 550 Joule --> 550 Joule Geen conversie vereist
Temperatuur: 85 Kelvin --> 85 Kelvin Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
fvacancy = exp(-ΔEvacancy/([R]*T)) --> exp(-550/([R]*85))
Evalueren ... ...
fvacancy = 0.459216783334827
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.459216783334827 --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
0.459216783334827 0.459217 <-- Fractie van de vacature
(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Prerana Bakli
Universiteit van Hawai'i in Mānoa (UH Manoa), Hawaï, VS
Prerana Bakli heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 800+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Prashant Singh
KJ Somaiya College of science (KJ Somaiya), Mumbai
Prashant Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

24 rooster Rekenmachines

Miller-index langs de X-as met behulp van Weiss-indices
​ Gaan Miller-index langs de x-as = lcm(Weiss-index langs de x-as,Weiss-index langs de y-as,Weiss-index langs de z-as)/Weiss-index langs de x-as
Miller-index langs de Y-as met behulp van Weiss-indices
​ Gaan Miller-index langs de y-as = lcm(Weiss-index langs de x-as,Weiss-index langs de y-as,Weiss-index langs de z-as)/Weiss-index langs de y-as
Miller-index langs de Z-as met behulp van Weiss-indices
​ Gaan Miller-index langs de z-as = lcm(Weiss-index langs de x-as,Weiss-index langs de y-as,Weiss-index langs de z-as)/Weiss-index langs de z-as
Randlengte met behulp van Interplanar Distance of Cubic Crystal
​ Gaan Rand lengte = Interplanaire afstand*sqrt((Miller-index langs de x-as^2)+(Miller-index langs de y-as^2)+(Miller-index langs de z-as^2))
Fractie van onzuiverheid in roostertermen van Energie
​ Gaan Fractie van onzuiverheden = exp(-Energie nodig per onzuiverheid/([R]*Temperatuur))
Fractie van Leegstand in roostertermen van Energie
​ Gaan Fractie van de vacature = exp(-Benodigde energie per Vacature/([R]*Temperatuur))
Energie per onzuiverheid
​ Gaan Energie nodig per onzuiverheid = -ln(Fractie van onzuiverheden)*[R]*Temperatuur
Energie per vacature
​ Gaan Benodigde energie per Vacature = -ln(Fractie van de vacature)*[R]*Temperatuur
Verpakkingsefficiëntie
​ Gaan Verpakkingsefficiëntie: = (Volume bezet door bollen in eenheidscel/Totaal volume van eenheidscel)*100
Fractie van onzuiverheden in rooster
​ Gaan Fractie van onzuiverheden = Aantal rooster bezet door onzuiverheden/Totaal aantal. van roosterpunten
Aantal rooster met onzuiverheden
​ Gaan Aantal rooster bezet door onzuiverheden = Fractie van onzuiverheden*Totaal aantal. van roosterpunten
Fractie van leegstand in rooster
​ Gaan Fractie van de vacature = Aantal leeg rooster/Totaal aantal. van roosterpunten
Aantal leegstaand rooster
​ Gaan Aantal leeg rooster = Fractie van de vacature*Totaal aantal. van roosterpunten
Weiss-index langs de X-as met behulp van Miller-indices
​ Gaan Weiss-index langs de x-as = LCM van Weiss Indices/Miller-index langs de x-as
Weiss-index langs de Y-as met behulp van Miller-indices
​ Gaan Weiss-index langs de y-as = LCM van Weiss Indices/Miller-index langs de y-as
Weiss Index langs de Z-as met behulp van Miller Indices
​ Gaan Weiss-index langs de z-as = LCM van Weiss Indices/Miller-index langs de z-as
Straal van samenstellend deeltje in BCC-rooster
​ Gaan Straal van samenstellend deeltje = 3*sqrt(3)*Rand lengte/4
Randlengte van cel met gecentreerde eenheid
​ Gaan Rand lengte = 2*sqrt(2)*Straal van samenstellend deeltje
Randlengte van Body Centered Unit Cell
​ Gaan Rand lengte = 4*Straal van samenstellend deeltje/sqrt(3)
Straalverhouding
​ Gaan Straalverhouding = Straal van kation/Straal van anion
Aantal tetraëdrische holtes
​ Gaan Aantal tetraëdrische holtes = 2*Aantal gesloten verpakte bollen
Straal van samenstellend deeltje in FCC-rooster
​ Gaan Straal van samenstellend deeltje = Rand lengte/2.83
Straal van samenstellend deeltje in Simple Cubic Unit Cell
​ Gaan Straal van samenstellend deeltje = Rand lengte/2
Randlengte van een eenvoudige kubieke eenheidscel
​ Gaan Rand lengte = 2*Straal van samenstellend deeltje

Fractie van Leegstand in roostertermen van Energie Formule

Fractie van de vacature = exp(-Benodigde energie per Vacature/([R]*Temperatuur))
fvacancy = exp(-ΔEvacancy/([R]*T))

Wat zijn defecten in kristal?

De rangschikking van de atomen in alle materialen bevat onvolkomenheden die een diepgaand effect hebben op het gedrag van de materialen. Roosterdefecten kunnen worden onderverdeeld in drie 1. Puntdefecten (vacatures, interstitiële defecten, substitutiedefecten) 2. Lijndefect (schroefdislocatie, randdislocatie) 3. oppervlaktedefecten (materiaaloppervlak, korrelgrenzen)

Waarom zijn defecten belangrijk?

Er zijn veel eigenschappen die worden gecontroleerd of beïnvloed door defecten, bijvoorbeeld: 1. Elektrische en thermische geleidbaarheid in metalen (sterk verminderd door puntdefecten). 2. Elektronische geleidbaarheid in halfgeleiders (gecontroleerd door vervangende defecten). 3. Verspreiding (gecontroleerd door vacatures). 4. Ionische geleidbaarheid (gecontroleerd door vacatures). 5. Plastische vervorming in kristallijne materialen (gecontroleerd door dislocatie). 6. Kleuren (aangetast door defecten). 7. Mechanische sterkte (sterk afhankelijk van defecten).

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!