Stroomverbruik van chip Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden

Array Datapath-subsysteem

CMOS-omvormers

CMOS-ontwerpkenmerken

CMOS-tijdkenmerken

CMOS-vermogensstatistieken

Kenmerken van CMOS-circuits

Kenmerken van CMOS-vertraging

✖Temperatuurverschiltransistors worden aangegeven met het ΔT-symbool.ⓘ Temperatuurverschiltransistors [ΔT]			+10% -10%
✖Thermische weerstand tussen junctie en omgeving wordt gedefinieerd als de stijging van de weerstand als gevolg van het verwarmingseffect in de junctie.ⓘ Thermische weerstand tussen junctie en omgevingstemperatuur [Θ_j]			+10% -10%

✖Het stroomverbruik van de chip is het vermogen dat door de geïntegreerde chip wordt verbruikt wanneer er stroom doorheen vloeit.ⓘ Stroomverbruik van chip [P_chip]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Stroomverbruik van chip

Formule

`"P"_{"chip"} = "ΔT"/"Θ"_{"j"}`

Voorbeeld

`"0.797342mW"="2.4K"/"3.01K/mW"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden Formules Pdf PDF Image

Stroomverbruik van chip Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Stroomverbruik van chip = Temperatuurverschiltransistors/Thermische weerstand tussen junctie en omgevingstemperatuur
P_chip = ΔT/Θ_j
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Stroomverbruik van chip - (Gemeten in Watt) - Het stroomverbruik van de chip is het vermogen dat door de geïntegreerde chip wordt verbruikt wanneer er stroom doorheen vloeit.
Temperatuurverschiltransistors - (Gemeten in Kelvin) - Temperatuurverschiltransistors worden aangegeven met het ΔT-symbool.
Thermische weerstand tussen junctie en omgevingstemperatuur - (Gemeten in kelvin/watt) - Thermische weerstand tussen junctie en omgeving wordt gedefinieerd als de stijging van de weerstand als gevolg van het verwarmingseffect in de junctie.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Temperatuurverschiltransistors: 2.4 Kelvin --> 2.4 Kelvin Geen conversie vereist
Thermische weerstand tussen junctie en omgevingstemperatuur: 3.01 Kelvin per milliwatt --> 3010 kelvin/watt (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

P_chip = ΔT/Θ_j --> 2.4/3010

Evalueren ... ...

P_chip = 0.00079734219269103

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.00079734219269103 Watt -->0.79734219269103 Milliwatt (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.79734219269103 ≈ 0.797342 Milliwatt <-- Stroomverbruik van chip

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden » Stroomverbruik van chip

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 20 CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden Rekenmachines

Serieweerstand van matrijs tot pakket

Gaan Serieweerstand van matrijs tot verpakking = Thermische weerstand tussen junctie en omgevingstemperatuur-Serieweerstand van pakket tot lucht

Serieweerstand van pakket naar lucht

Gaan Serieweerstand van pakket tot lucht = Thermische weerstand tussen junctie en omgevingstemperatuur-Serieweerstand van matrijs tot verpakking

Omvormervermogen

Gaan Omvormer vermogen = (Vertraging van ketens-(Elektrische inspanning 1+Elektrische inspanning 2))/2

Invertor elektrische inspanning 1

Gaan Elektrische inspanning 1 = Vertraging van ketens-(Elektrische inspanning 2+2*Omvormer vermogen)

Invertor elektrische inspanning 2

Gaan Elektrische inspanning 2 = Vertraging van ketens-(Elektrische inspanning 1+2*Omvormer vermogen)

Vertraging voor twee omvormers in serie

Gaan Vertraging van ketens = Elektrische inspanning 1+Elektrische inspanning 2+2*Omvormer vermogen

Thermische weerstand tussen knooppunt en omgeving

Gaan Thermische weerstand tussen junctie en omgevingstemperatuur = Temperatuurverschiltransistors/Stroomverbruik van chip

Temperatuurverschil tussen transistors

Gaan Temperatuurverschiltransistors = Thermische weerstand tussen junctie en omgevingstemperatuur*Stroomverbruik van chip

Stroomverbruik van chip

Gaan Stroomverbruik van chip = Temperatuurverschiltransistors/Thermische weerstand tussen junctie en omgevingstemperatuur

Verandering in fase van de klok

Gaan Verandering in fase van de klok = PLL-uitgangsklokfase/Absolute frequentie

Verandering in de frequentie van de klok

Gaan Verandering in frequentie van de klok = Uitwaaieren/Absolute frequentie

Overdrachtfunctie van PLL

Gaan Overdrachtsfunctie PLL = PLL-uitgangsklokfase/Ingangsreferentieklokfase

Input Clock Phase PLL

Gaan Ingangsreferentieklokfase = PLL-uitgangsklokfase/Overdrachtsfunctie PLL

Uitgangsklokfase PLL

Gaan PLL-uitgangsklokfase = Overdrachtsfunctie PLL*Ingangsreferentieklokfase

Capaciteit van externe belasting

Gaan Capaciteit van externe belasting = Uitwaaieren*Ingangscapaciteit

Fout in PLL-fasedetector

Gaan PLL-foutdetector = Ingangsreferentieklokfase-Feedbackklok PLL

Feedbackklok PLL

Gaan Feedbackklok PLL = Ingangsreferentieklokfase-PLL-foutdetector

Fanout van Poort

Gaan Uitwaaieren = Fase inspanning/Logische inspanning

Fase inspanning

Gaan Fase inspanning = Uitwaaieren*Logische inspanning

Gate vertraging

Gaan Poortvertraging = 2^(N-bit SRAM)

Stroomverbruik van chip Formule

Stroomverbruik van chip = Temperatuurverschiltransistors/Thermische weerstand tussen junctie en omgevingstemperatuur
P_chip = ΔT/Θ_j

Hoe wordt de warmtestroom bepaald?

De warmte die door een chip wordt gegenereerd, stroomt van de transistorovergangen waar deze door het substraat en de verpakking wordt gegenereerd. Het kan over een koellichaam worden verspreid en vervolgens door middel van convectie door de lucht worden afgevoerd. Net zoals de stroom wordt bepaald door het spanningsverschil en de elektrische weerstand, wordt de warmtestroom bepaald door het temperatuurverschil en de thermische weerstand.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!