Vermogen gedissipeerd door warmte in SCR Rekenmachine

✖De junctietemperatuur wordt gedefinieerd als de temperatuur van de junctie van een SCR als gevolg van de beweging van de lading.ⓘ Verbindingstemperatuur [T_junc]			+10% -10%
✖Omgevingstemperatuur wordt gedefinieerd als de temperatuur van de omgeving van de SCR.ⓘ Omgevingstemperatuur [T_amb]			+10% -10%
✖De thermische weerstand van SCR wordt gedefinieerd als de verhouding tussen het temperatuurverschil tussen de twee zijden van een materiaal en de snelheid van de warmtestroom per oppervlakte-eenheid in een SCR.ⓘ Thermische weerstand [θ]			+10% -10%

✖Het door warmte gedissipeerde vermogen in SCR wordt gedefinieerd als het gemiddelde van de totale warmte die wordt gegenereerd op de kruispunten van de SCR als gevolg van de verplaatsing van lading.ⓘ Vermogen gedissipeerd door warmte in SCR [P_dis]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Vermogen gedissipeerd door warmte in SCR

Formule

`"P"_{"dis"} = ("T"_{"junc"}-"T"_{"amb"})/"θ"`

Voorbeeld

`"2.946309W"=("10.2K"-"5.81K")/"1.49K/W"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Siliciumgestuurde gelijkrichter Formule Pdf

Vermogen gedissipeerd door warmte in SCR Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Vermogen gedissipeerd door hitte = (Verbindingstemperatuur-Omgevingstemperatuur)/Thermische weerstand
P_dis = (T_junc-T_amb)/θ
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Vermogen gedissipeerd door hitte - (Gemeten in Watt) - Het door warmte gedissipeerde vermogen in SCR wordt gedefinieerd als het gemiddelde van de totale warmte die wordt gegenereerd op de kruispunten van de SCR als gevolg van de verplaatsing van lading.
Verbindingstemperatuur - (Gemeten in Kelvin) - De junctietemperatuur wordt gedefinieerd als de temperatuur van de junctie van een SCR als gevolg van de beweging van de lading.
Omgevingstemperatuur - (Gemeten in Kelvin) - Omgevingstemperatuur wordt gedefinieerd als de temperatuur van de omgeving van de SCR.
Thermische weerstand - (Gemeten in kelvin/watt) - De thermische weerstand van SCR wordt gedefinieerd als de verhouding tussen het temperatuurverschil tussen de twee zijden van een materiaal en de snelheid van de warmtestroom per oppervlakte-eenheid in een SCR.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Verbindingstemperatuur: 10.2 Kelvin --> 10.2 Kelvin Geen conversie vereist
Omgevingstemperatuur: 5.81 Kelvin --> 5.81 Kelvin Geen conversie vereist
Thermische weerstand: 1.49 kelvin/watt --> 1.49 kelvin/watt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

P_dis = (T_junc-T_amb)/θ --> (10.2-5.81)/1.49

Evalueren ... ...

P_dis = 2.94630872483221

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

2.94630872483221 Watt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

2.94630872483221 ≈ 2.946309 Watt <-- Vermogen gedissipeerd door hitte

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektrisch » Vermogenselektronica » Siliciumgestuurde gelijkrichter » SCR-prestatieparameters » Vermogen gedissipeerd door warmte in SCR

Credits

Gemaakt door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 100+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Rachita C

BMS College of Engineering (BMSCE), Banglore

Rachita C heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 5 SCR-prestatieparameters Rekenmachines

In het slechtste geval stabiele spanning over de eerste thyristor in in serie geschakelde thyristors

Gaan In het slechtste geval Steady State-spanning = (Resulterende seriespanning van thyristorstring+Stabiliseren van weerstand*(Aantal thyristors in serie-1)*Uit-status Huidige spread)/Aantal thyristors in serie

Deratingfactor van in serie geschakelde thyristorreeks

Gaan Reductiefactor van thyristorstring = 1-Resulterende seriespanning van thyristorstring/(In het slechtste geval Steady State-spanning*Aantal thyristors in serie)

Vermogen gedissipeerd door warmte in SCR

Gaan Vermogen gedissipeerd door hitte = (Verbindingstemperatuur-Omgevingstemperatuur)/Thermische weerstand

Thermische weerstand van SCR

Gaan Thermische weerstand = (Verbindingstemperatuur-Omgevingstemperatuur)/Vermogen gedissipeerd door hitte

Lekstroom van Collector-Base Junction

Gaan Collectorbasislekstroom = Collectorstroom-Common-base stroomversterking*Collectorstroom

< 16 SCR-kenmerken Rekenmachines

In het slechtste geval stabiele spanning over de eerste thyristor in in serie geschakelde thyristors

Thyristorcommutatiespanning voor klasse B-commutatie

Gaan Thyristor-commutatiespanning = Ingangsspanning*cos(Hoekfrequentie*(Thyristor omgekeerde bias-tijd-Hulpthyristor Reverse Bias Time))

Deratingfactor van in serie geschakelde thyristorreeks

Gaan Reductiefactor van thyristorstring = 1-Resulterende seriespanning van thyristorstring/(In het slechtste geval Steady State-spanning*Aantal thyristors in serie)

Tijdsperiode voor UJT als Oscillator Thyristor Firing Circuit

Gaan Tijdsperiode van UJT als oscillator = Stabiliseren van weerstand*Capaciteit*ln(1/(1-Intrinsieke stand-off-ratio))

Frequentie van UJT als Oscillator Thyristor Firing Circuit:

Gaan Frequentie = 1/(Stabiliseren van weerstand*Capaciteit*ln(1/(1-Intrinsieke stand-off-ratio)))

Circuit Uitschakeltijd Klasse B Commutatie

Gaan Circuituitschakeltijd Klasse B-commutatie = Thyristor-commutatiecapaciteit*Thyristor-commutatiespanning/Belastingsstroom

Emitterstroom voor op UJT gebaseerd thyristor-afvuurcircuit

Gaan Zenderstroom = (Zenderspanning-Diodespanning)/(Zenderweerstand Basis 1+Zenderweerstand)

Circuit Uitschakeltijd Klasse C Commutatie

Gaan Circuit Uitschakeltijd Klasse C Commutatie = Stabiliseren van weerstand*Thyristor-commutatiecapaciteit*ln(2)

Thyristorgeleidingstijd voor commutatie van klasse A

Gaan Thyristorgeleidingstijd = pi*sqrt(Inductie*Thyristor-commutatiecapaciteit)

Piekstroom Klasse B Thyristorcommutatie

Gaan Piekstroom = Ingangsspanning*sqrt(Thyristor-commutatiecapaciteit/Inductie)

Intrinsieke stand-offverhouding voor op UJT gebaseerd thyristor-afvuurcircuit

Gaan Intrinsieke stand-off-ratio = Zenderweerstand Basis 1/(Zenderweerstand Basis 1+Zenderweerstand Basis 2)

Vermogen gedissipeerd door warmte in SCR

Gaan Vermogen gedissipeerd door hitte = (Verbindingstemperatuur-Omgevingstemperatuur)/Thermische weerstand

Thermische weerstand van SCR

Gaan Thermische weerstand = (Verbindingstemperatuur-Omgevingstemperatuur)/Vermogen gedissipeerd door hitte

Lekstroom van Collector-Base Junction

Gaan Collectorbasislekstroom = Collectorstroom-Common-base stroomversterking*Collectorstroom

Ontlaadstroom van dv-dt-beveiligingsthyristorcircuits

Gaan Ontlaadstroom = Ingangsspanning/((Weerstand 1+Weerstand 2))

Emitterspanning om op UJT gebaseerd thyristor-vuurcircuit in te schakelen

Gaan Zenderspanning = Zenderweerstand Basis 1 Spanning+Diodespanning

Vermogen gedissipeerd door warmte in SCR Formule

Vermogen gedissipeerd door hitte = (Verbindingstemperatuur-Omgevingstemperatuur)/Thermische weerstand
P_dis = (T_junc-T_amb)/θ

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!