Omschakelen van energie in CMOS Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

CMOS-vermogensstatistieken

Array Datapath-subsysteem

CMOS-omvormers

CMOS-ontwerpkenmerken

CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden

CMOS-tijdkenmerken

Kenmerken van CMOS-circuits

Kenmerken van CMOS-vertraging

✖Totale energie in CMOS wordt gedefinieerd als de kwantitatieve eigenschap die aan een object moet worden overgedragen om werkzaamheden aan het object in de CMOS uit te voeren of te verwarmen.ⓘ Totale energie in CMOS [E_t]			+10% -10%
✖Lekkage Energie in CMOS wordt gedefinieerd als een energielek wanneer we energie verbruiken op manieren die een energetisch tekort veroorzaken.ⓘ Lekkage-energie in CMOS [E_leak]			+10% -10%

✖Schakelenergie in CMOS wordt gedefinieerd als de kwantitatieve eigenschap die aan een object moet worden overgedragen om werkzaamheden aan het object uit te voeren of het te verwarmen tijdens het schakelen van het circuit.ⓘ Omschakelen van energie in CMOS [E_s]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Omschakelen van energie in CMOS

Formule

`"E"_{"s"} = "E"_{"t"}-"E"_{"leak"}`

Voorbeeld

`"35pJ"="42pJ"-"7pJ"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden CMOS-vermogensstatistieken Formules Pdf PDF Image

Omschakelen van energie in CMOS Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Schakelenergie in CMOS = Totale energie in CMOS-Lekkage-energie in CMOS
E_s = E_t-E_leak
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Schakelenergie in CMOS - (Gemeten in Joule) - Schakelenergie in CMOS wordt gedefinieerd als de kwantitatieve eigenschap die aan een object moet worden overgedragen om werkzaamheden aan het object uit te voeren of het te verwarmen tijdens het schakelen van het circuit.
Totale energie in CMOS - (Gemeten in Joule) - Totale energie in CMOS wordt gedefinieerd als de kwantitatieve eigenschap die aan een object moet worden overgedragen om werkzaamheden aan het object in de CMOS uit te voeren of te verwarmen.
Lekkage-energie in CMOS - (Gemeten in Joule) - Lekkage Energie in CMOS wordt gedefinieerd als een energielek wanneer we energie verbruiken op manieren die een energetisch tekort veroorzaken.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Totale energie in CMOS: 42 Picojoule --> 4.2E-11 Joule (Bekijk de conversie hier)
Lekkage-energie in CMOS: 7 Picojoule --> 7E-12 Joule (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

E_s = E_t-E_leak --> 4.2E-11-7E-12

Evalueren ... ...

E_s = 3.5E-11

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

3.5E-11 Joule -->35 Picojoule (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

35 Picojoule <-- Schakelenergie in CMOS

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » CMOS-vermogensstatistieken » Omschakelen van energie in CMOS

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 17 CMOS-vermogensstatistieken Rekenmachines

Poorten op kritiek pad

Gaan Poorten op kritiek pad = Arbeidscyclus*(Uit huidige*(10^Basiscollectorspanning))/(Capaciteit van poort naar kanaal*[BoltZ]*Basiscollectorspanning)

Lekkage onder de drempel via UIT-transistoren

Gaan Subdrempelstroom = (CMOS statisch vermogen/Basiscollectorspanning)-(Poortstroom+Betwisting actueel+Verbindingsstroom)

Poortlekkage door poortdiëlektricum

Gaan Poortstroom = (CMOS statisch vermogen/Basiscollectorspanning)-(Subdrempelstroom+Betwisting actueel+Verbindingsstroom)

Strijdstroom in ratio-circuits

Gaan Betwisting actueel = (CMOS statisch vermogen/Basiscollectorspanning)-(Subdrempelstroom+Poortstroom+Verbindingsstroom)

Uitgangsschakeling bij stroomverbruik belasting

Gaan Uitgangsschakeling = Stroomverbruik capacitieve belasting/(Externe belastingscapaciteit*Voedingsspanning^2*Uitgangssignaalfrequentie)

Stroomverbruik bij capacitieve belasting

Gaan Stroomverbruik capacitieve belasting = Externe belastingscapaciteit*Voedingsspanning^2*Uitgangssignaalfrequentie*Uitgangsschakeling

Activiteitsfactor

Gaan Activiteitsfactor = Schakelvermogen/(Capaciteit*Basiscollectorspanning^2*Frequentie)

Schakelvermogen

Gaan Schakelvermogen = Activiteitsfactor*(Capaciteit*Basiscollectorspanning^2*Frequentie)

Voedingsafwijzingsverhouding:

Gaan Afwijzingsratio voeding = 20*log10(Ingangsspanningsrimpel/Uitgangsspanningsrimpel)

Schakelvermogen in CMOS

Gaan Schakelvermogen = (Positieve spanning^2)*Frequentie*Capaciteit

Omschakelen van energie in CMOS

Gaan Schakelenergie in CMOS = Totale energie in CMOS-Lekkage-energie in CMOS

Lekkage-energie in CMOS

Gaan Lekkage-energie in CMOS = Totale energie in CMOS-Schakelenergie in CMOS

Totale energie in CMOS

Gaan Totale energie in CMOS = Schakelenergie in CMOS+Lekkage-energie in CMOS

Statisch vermogen in CMOS

Gaan CMOS statisch vermogen = Totale kracht-Dynamische kracht

Totaal vermogen in CMOS

Gaan Totale kracht = CMOS statisch vermogen+Dynamische kracht

Dynamisch vermogen in CMOS

Gaan Dynamische kracht = Kortsluitvermogen+Schakelvermogen

Kortsluitvermogen in CMOS

Gaan Kortsluitvermogen = Dynamische kracht-Schakelvermogen

Omschakelen van energie in CMOS Formule

Schakelenergie in CMOS = Totale energie in CMOS-Lekkage-energie in CMOS
E_s = E_t-E_leak

Wat is de betekenis van schakelende energie?

Bij gebruik onder de drempel daalt de stroom exponentieel naarmate VDD - Vt afneemt en dus neemt de vertraging exponentieel toe. De schakelenergie verbetert kwadratisch met VDD. Lekstroom verbetert langzaam met VDD vanwege DIBL, maar de lekstroom neemt exponentieel toe omdat de langzamere poort gedurende langere tijd lekt. Om een minimale energiewerking te bereiken, moeten alle transistors een minimale breedte hebben. Dit vermindert zowel de schakelcapaciteit als de lekkage. Poort- en junctielekkage en kortsluitvermogen zijn verwaarloosbaar bij gebruik onder de drempel, dus de totale energie is de som van de schakel- en lekenergie, die wordt geminimaliseerd in de buurt van het punt waarop ze oversteken.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!