Transconductantieverhouding CMOS Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

CMOS-omvormers

Array Datapath-subsysteem

CMOS-ontwerpkenmerken

CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden

CMOS-tijdkenmerken

CMOS-vermogensstatistieken

Kenmerken van CMOS-circuits

Kenmerken van CMOS-vertraging

✖Transconductantie van NMOS in CMOS wordt gedefinieerd als de vermenigvuldiging van de mobiliteit van elektronen, de breedte-lengteverhouding van NMOS en de oxidecapaciteit.ⓘ Transconductantie van NMOS [K_n]			+10% -10%
✖Transconductantie van PMOS in CMOS wordt gedefinieerd als de vermenigvuldiging van de mobiliteit van elektronen, de breedte-lengteverhouding van PMOS en de oxidecapaciteit.ⓘ Transconductantie van PMOS [K_p]			+10% -10%

✖Transconductantieverhouding CMOS wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de transconductantie van NMOS en de PMOS.ⓘ Transconductantieverhouding CMOS [K_r]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Transconductantieverhouding CMOS

Formule

`"K"_{"r"} = "K"_{"n"}/"K"_{"p"}`

Voorbeeld

`"2.5"="200µA/V²"/"80µA/V²"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden CMOS-ontwerp en toepassingen Formule Pdf PDF Image

Transconductantieverhouding CMOS Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Transconductantieverhouding = Transconductantie van NMOS/Transconductantie van PMOS
K_r = K_n/K_p
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Transconductantieverhouding - Transconductantieverhouding CMOS wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de transconductantie van NMOS en de PMOS.
Transconductantie van NMOS - (Gemeten in Ampère per vierkante volt) - Transconductantie van NMOS in CMOS wordt gedefinieerd als de vermenigvuldiging van de mobiliteit van elektronen, de breedte-lengteverhouding van NMOS en de oxidecapaciteit.
Transconductantie van PMOS - (Gemeten in Ampère per vierkante volt) - Transconductantie van PMOS in CMOS wordt gedefinieerd als de vermenigvuldiging van de mobiliteit van elektronen, de breedte-lengteverhouding van PMOS en de oxidecapaciteit.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Transconductantie van NMOS: 200 Microampère per vierkante volt --> 0.0002 Ampère per vierkante volt (Bekijk de conversie hier)
Transconductantie van PMOS: 80 Microampère per vierkante volt --> 8E-05 Ampère per vierkante volt (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

K_r = K_n/K_p --> 0.0002/8E-05

Evalueren ... ...

K_r = 2.5

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

2.5 --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

2.5 <-- Transconductantieverhouding

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » CMOS-omvormers » Transconductantieverhouding CMOS

Credits

Gemaakt door Prijanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College voor techniek (LDCE), Ahmedabad

Prijanka Patel heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

< 17 CMOS-omvormers Rekenmachines

Voortplantingsvertraging voor CMOS-transitie met lage naar hoge output

Gaan Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output = (Belastingscapaciteit/(Transconductantie van PMOS*(Voedingsspanning-abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel))))*(((2*abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel))/(Voedingsspanning-abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel)))+ln((4*(Voedingsspanning-abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel))/Voedingsspanning)-1))

Voortplantingsvertraging voor CMOS-transitie met hoge naar lage output

Gaan Tijd voor overgang van hoog naar laag output = (Belastingscapaciteit/(Transconductantie van NMOS*(Voedingsspanning-Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning)))*((2*Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning/(Voedingsspanning-Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning))+ln((4*(Voedingsspanning-Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning)/Voedingsspanning)-1))

Resistieve belasting Minimale uitgangsspanning CMOS

Gaan Resistieve belasting Minimale uitgangsspanning = Voedingsspanning-Zero Bias-drempelspanning+(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))-sqrt((Voedingsspanning-Zero Bias-drempelspanning+(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand)))^2-(2*Voedingsspanning/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand)))

Maximale ingangsspanning CMOS

Gaan Maximale ingangsspanning CMOS = (2*Uitgangsspanning voor maximale invoer+(Drempelspanning van PMOS zonder lichaamsvooroordeel)-Voedingsspanning+Transconductantieverhouding*Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel)/(1+Transconductantieverhouding)

Drempelspanning CMOS

Gaan Drempelspanning = (Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel+sqrt(1/Transconductantieverhouding)*(Voedingsspanning+(Drempelspanning van PMOS zonder lichaamsvooroordeel)))/(1+sqrt(1/Transconductantieverhouding))

Resistieve belasting Minimale ingangsspanning CMOS

Gaan Resistieve belasting Minimale ingangsspanning = Zero Bias-drempelspanning+sqrt((8*Voedingsspanning)/(3*Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))-(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))

Minimale ingangsspanning CMOS

Gaan Minimale ingangsspanning = (Voedingsspanning+(Drempelspanning van PMOS zonder lichaamsvooroordeel)+Transconductantieverhouding*(2*Uitgangsspanning+Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel))/(1+Transconductantieverhouding)

Belastingscapaciteit van gecascadeerde CMOS-omvormer

Gaan Belastingscapaciteit = Gate Drain-capaciteit van PMOS+Gate Drain-capaciteit van NMOS+Tap de bulkcapaciteit van PMOS af+Bulkcapaciteit van NMOS afvoeren+Interne capaciteit+Poortcapaciteit

Energie geleverd door voeding

Gaan Energie geleverd door voeding = int(Voedingsspanning*Onmiddellijke afvoerstroom*x,x,0,Oplaadinterval van condensator)

Resistieve belasting Maximale ingangsspanning CMOS

Gaan Resistieve belasting Maximale ingangsspanning CMOS = Zero Bias-drempelspanning+(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))

Gemiddelde voortplantingsvertraging CMOS

Gaan Gemiddelde voortplantingsvertraging = (Tijd voor overgang van hoog naar laag output+Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output)/2

Gemiddelde vermogensdissipatie CMOS

Gaan Gemiddelde vermogensdissipatie = Belastingscapaciteit*(Voedingsspanning)^2*Frequentie

Maximale ingangsspanning voor symmetrische CMOS

Gaan Maximale ingangsspanning = (3*Voedingsspanning+2*Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel)/8

Minimale ingangsspanning voor symmetrische CMOS

Gaan Minimale ingangsspanning = (5*Voedingsspanning-2*Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel)/8

Oscillatieperiode Ringoscillator CMOS

Gaan Oscillatieperiode = 2*Aantal fasen Ringoscillator*Gemiddelde voortplantingsvertraging

Transconductantieverhouding CMOS

Gaan Transconductantieverhouding = Transconductantie van NMOS/Transconductantie van PMOS

Ruismarge voor CMOS met hoog signaal

Gaan Ruismarge voor hoog signaal = Maximale uitgangsspanning-Minimale ingangsspanning

Transconductantieverhouding CMOS Formule

Transconductantieverhouding = Transconductantie van NMOS/Transconductantie van PMOS
K_r = K_n/K_p

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!