Kalkulator A do Z
🔍
Pobierać PDF
Chemia
Inżynieria
Budżetowy
Zdrowie
Matematyka
Fizyka
Stężenie akceptora po pełnym skalowaniu VLSI Kalkulator
Inżynieria
Budżetowy
Chemia
Fizyka
Matematyka
Plac zabaw
Zdrowie
↳
Elektronika
Cywilny
Elektronika i oprzyrządowanie
Elektryczny
Inżynieria chemiczna
Inżynieria materiałowa
Inżynieria produkcji
Mechaniczny
⤿
Produkcja VLSI
Antena
Cyfrowe przetwarzanie obrazu
EDC
Elektronika analogowa
Elektronika mocy
Inżynieria telewizyjna
Komunikacja analogowa
Komunikacja bezprzewodowa
Komunikacja cyfrowa
Komunikacja satelitarna
Linia transmisyjna i antena
Mikroelektronika RF
Projekt światłowodu
Projektowanie i zastosowania CMOS
Sygnał i systemy
System radarowy
System sterowania
Telekomunikacyjne systemy przełączające
Teoria informacji i kodowanie
Teoria mikrofalowa
Teoria pola elektromagnetycznego
Transmisja światłowodowa
Układy scalone (IC)
Urządzenia optoelektroniczne
Urządzenia półprzewodnikowe
Wbudowany system
Wzmacniacze
⤿
Optymalizacja materiałów VLSI
Konstrukcja analogowa VLSI
✖
Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów domieszki akceptorowej w materiale półprzewodnikowym.
ⓘ
Stężenie akceptora [N
A
]
1 na centymetr sześcienny
1 na metr sześcienny
na litr
na mililitr
+10%
-10%
✖
Współczynnik skalowania definiuje się jako stosunek, o jaki zmieniają się wymiary tranzystora w procesie projektowania.
ⓘ
Współczynnik skalowania [Sf]
+10%
-10%
✖
Stężenie akceptora po pełnym skalowaniu definiuje się jako liczbę atomów akceptora domieszkowanych w materiale półprzewodnikowym po pełnym skalowaniu urządzenia półprzewodnikowego.
ⓘ
Stężenie akceptora po pełnym skalowaniu VLSI [N
A
']
1 na centymetr sześcienny
1 na metr sześcienny
na litr
na mililitr
⎘ Kopiuj
Kroki
👎
Formuła
✖
Stężenie akceptora po pełnym skalowaniu VLSI
Formuła
`("N"_{"A"}"'") = "N"_{"A"}*"Sf"`
Przykład
`"1.5E^16/cm³"="1e+16/cm³"*"1.5"`
Kalkulator
LaTeX
Resetowanie
👍
Pobierać Elektronika Formułę PDF
Stężenie akceptora po pełnym skalowaniu VLSI Rozwiązanie
KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Stężenie akceptora po pełnym skalowaniu
=
Stężenie akceptora
*
Współczynnik skalowania
N
A
'
=
N
A
*
Sf
Ta formuła używa
3
Zmienne
Używane zmienne
Stężenie akceptora po pełnym skalowaniu
-
(Mierzone w 1 na metr sześcienny)
- Stężenie akceptora po pełnym skalowaniu definiuje się jako liczbę atomów akceptora domieszkowanych w materiale półprzewodnikowym po pełnym skalowaniu urządzenia półprzewodnikowego.
Stężenie akceptora
-
(Mierzone w 1 na metr sześcienny)
- Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów domieszki akceptorowej w materiale półprzewodnikowym.
Współczynnik skalowania
- Współczynnik skalowania definiuje się jako stosunek, o jaki zmieniają się wymiary tranzystora w procesie projektowania.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Stężenie akceptora:
1E+16 1 na centymetr sześcienny --> 1E+22 1 na metr sześcienny
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
Współczynnik skalowania:
1.5 --> Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
N
A
' = N
A
*Sf -->
1E+22*1.5
Ocenianie ... ...
N
A
'
= 1.5E+22
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
1.5E+22 1 na metr sześcienny -->1.5E+16 1 na centymetr sześcienny
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
1.5E+16 1 na centymetr sześcienny
<--
Stężenie akceptora po pełnym skalowaniu
(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)
Jesteś tutaj
-
Dom
»
Inżynieria
»
Elektronika
»
Produkcja VLSI
»
Optymalizacja materiałów VLSI
»
Stężenie akceptora po pełnym skalowaniu VLSI
Kredyty
Stworzone przez
Priyanka Patel
Lalbhai Dalpatbhai College of Engineering
(LDCE)
,
Ahmadabad
Priyanka Patel utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez
Santhosh Yadav
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
<
25 Optymalizacja materiałów VLSI Kalkulatory
Gęstość ładunku w regionie wyczerpania zbiorczego VLSI
Iść
Gęstość ładunku w obszarze wyczerpania zbiorczego
= -(1-((
Boczny zasięg obszaru wyczerpania ze źródłem
+
Boczny zasięg obszaru wyczerpania z drenażem
)/(2*
Długość kanału
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Stężenie akceptora
*
abs
(2*
Potencjał powierzchni
))
Współczynnik efektu ciała
Iść
Współczynnik efektu ciała
=
modulus
((
Próg napięcia
-
Napięcie progowe DIBL
)/(
sqrt
(
Potencjał powierzchni
+(
Różnica potencjałów ciała źródłowego
))-
sqrt
(
Potencjał powierzchni
)))
Głębokość wyczerpania złącza PN ze źródłem VLSI
Iść
Głębokość wyczerpania złącza Pn ze źródłem
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Złącze wbudowane w napięcie
)/(
[Charge-e]
*
Stężenie akceptora
))
Złącze wbudowane napięcie VLSI
Iść
Złącze wbudowane w napięcie
= (
[BoltZ]
*
Temperatura
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Stężenie akceptora
*
Stężenie dawcy
/(
Wewnętrzna koncentracja
)^2)
Całkowita pojemność pasożytnicza źródła
Iść
Źródło pojemności pasożytniczej
= (
Pojemność pomiędzy złączem ciała i źródła
*
Obszar dyfuzji źródła
)+(
Pojemność pomiędzy połączeniem korpusu i ścianą boczną
*
Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji
)
Prąd nasycenia krótkiego kanału VLSI
Iść
Prąd nasycenia krótkiego kanału
=
Szerokość kanału
*
Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu
*
Pojemność tlenkowa na jednostkę powierzchni
*
Napięcie źródła drenażu nasycenia
Prąd złącza
Iść
Prąd złącza
= (
Moc statyczna
/
Podstawowe napięcie kolektora
)-(
Prąd podprogowy
+
Aktualna rywalizacja
+
Prąd bramki
)
Potencjał powierzchniowy
Iść
Potencjał powierzchni
= 2*
Różnica potencjałów ciała źródłowego
*
ln
(
Stężenie akceptora
/
Wewnętrzna koncentracja
)
Współczynnik DIBL
Iść
Współczynnik DIBL
= (
Napięcie progowe DIBL
-
Próg napięcia
)/
Drenaż do potencjału źródłowego
Napięcie progowe, gdy źródło ma potencjał ciała
Iść
Napięcie progowe DIBL
=
Współczynnik DIBL
*
Drenaż do potencjału źródłowego
+
Próg napięcia
Nachylenie podprogowe
Iść
Nachylenie podprogu
=
Różnica potencjałów ciała źródłowego
*
Współczynnik DIBL
*
ln
(10)
Długość bramki przy użyciu pojemności tlenku bramki
Iść
Długość bramy
=
Pojemność bramki
/(
Pojemność warstwy tlenku bramki
*
Szerokość bramy
)
Pojemność tlenkowa bramki
Iść
Pojemność warstwy tlenku bramki
=
Pojemność bramki
/(
Szerokość bramy
*
Długość bramy
)
Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu VLSI
Iść
Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu
=
Pojemność tlenkowa na jednostkę powierzchni
*
Współczynnik skalowania
Pojemność bramki
Iść
Pojemność bramki
=
Opłata za kanał
/(
Napięcie bramki do kanału
-
Próg napięcia
)
Opłata za kanał
Iść
Opłata za kanał
=
Pojemność bramki
*(
Napięcie bramki do kanału
-
Próg napięcia
)
Próg napięcia
Iść
Próg napięcia
=
Napięcie bramki do kanału
-(
Opłata za kanał
/
Pojemność bramki
)
Grubość tlenku bramki po pełnym skalowaniu VLSI
Iść
Grubość tlenku bramki po pełnym skalowaniu
=
Grubość tlenku bramki
/
Współczynnik skalowania
Głębokość połączenia po pełnym skalowaniu VLSI
Iść
Głębokość połączenia po pełnym skalowaniu
=
Głębokość połączenia
/
Współczynnik skalowania
Krytyczne napięcie
Iść
Napięcie krytyczne
=
Krytyczne pole elektryczne
*
Pole elektryczne na długości kanału
Szerokość kanału po pełnym skalowaniu VLSI
Iść
Szerokość kanału po pełnym skalowaniu
=
Szerokość kanału
/
Współczynnik skalowania
Wewnętrzna pojemność bramki
Iść
Pojemność nakładania się bramki MOS
=
Pojemność bramki MOS
*
Szerokość przejścia
Długość kanału po pełnym skalowaniu VLSI
Iść
Długość kanału po pełnym skalowaniu
=
Długość kanału
/
Współczynnik skalowania
Mobilność w Mosfecie
Iść
Mobilność w MOSFET-ie
=
K. Premier
/
Pojemność warstwy tlenku bramki
K-Prime
Iść
K. Premier
=
Mobilność w MOSFET-ie
*
Pojemność warstwy tlenku bramki
Stężenie akceptora po pełnym skalowaniu VLSI Formułę
Stężenie akceptora po pełnym skalowaniu
=
Stężenie akceptora
*
Współczynnik skalowania
N
A
'
=
N
A
*
Sf
Dom
BEZPŁATNY pliki PDF
🔍
Szukaj
Kategorie
Dzielić
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!