Bieżące wzmocnienie kontrolowanego tranzystora źródłowego Kalkulator

✖Transkonduktancja pierwotna MOSFET to zmiana prądu drenu podzielona przez małą zmianę napięcia bramki/źródła przy stałym napięciu dren/źródło.ⓘ Transkonduktancja pierwotna MOSFET [g_mp]			+10% -10%
✖Rezystancja pomiędzy drenem a masą to rezystancja występująca na zacisku drenu pierwszego tranzystora i masie.ⓘ Opór pomiędzy drenem a ziemią [R_dg]			+10% -10%

✖Wzmocnienie prądu to stosunek prądu wyjściowego do prądu wejściowego wzmacniacza, definiowany jako wzmocnienie prądowe.ⓘ Bieżące wzmocnienie kontrolowanego tranzystora źródłowego [A_i]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Bieżące wzmocnienie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Formuła

`"A"_{"i"} = 1/(1+1/("g"_{"mp"}*"R"_{"dg"}))`

Przykład

`"0.82593"=1/(1+1/("19.77mS"*"0.24kΩ"))`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Wzmacniacze tranzystorowe Formułę PDF PDF Image

Bieżące wzmocnienie kontrolowanego tranzystora źródłowego Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Aktualny zysk = 1/(1+1/(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Opór pomiędzy drenem a ziemią))
A_i = 1/(1+1/(g_mp*R_dg))
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Aktualny zysk - Wzmocnienie prądu to stosunek prądu wyjściowego do prądu wejściowego wzmacniacza, definiowany jako wzmocnienie prądowe.
Transkonduktancja pierwotna MOSFET - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja pierwotna MOSFET to zmiana prądu drenu podzielona przez małą zmianę napięcia bramki/źródła przy stałym napięciu dren/źródło.
Opór pomiędzy drenem a ziemią - (Mierzone w Om) - Rezystancja pomiędzy drenem a masą to rezystancja występująca na zacisku drenu pierwszego tranzystora i masie.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Transkonduktancja pierwotna MOSFET: 19.77 Millisiemens --> 0.01977 Siemens (Sprawdź konwersję tutaj)
Opór pomiędzy drenem a ziemią: 0.24 Kilohm --> 240 Om (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

A_i = 1/(1+1/(g_mp*R_dg)) --> 1/(1+1/(0.01977*240))

Ocenianie ... ...

A_i = 0.825929536276285

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.825929536276285 --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.825929536276285 ≈ 0.82593 <-- Aktualny zysk

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Wzmacniacze » Wzmacniacze tranzystorowe » Wzmacniacz ze wspólnym źródłem » Bieżące wzmocnienie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Anshika Arya

Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur

Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

< 11 Wzmacniacz ze wspólnym źródłem Kalkulatory

Ogólne wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego wzmacniacza ze wspólnym źródłem

Iść Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego = -Transkonduktancja pierwotna MOSFET*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))*(1/Odporność na drenaż+1/Odporność na obciążenie+1/Skończona rezystancja wyjściowa)^-1

Napięcie wyjściowe kontrolowanego tranzystora źródłowego

Iść Składowa DC napięcia bramki-źródła = (Wzmocnienie napięcia*Prąd elektryczny-Transkonduktancja zwarciowa*Różnicowy sygnał wyjściowy)*(1/Ostateczny opór+1/Rezystancja uzwojenia pierwotnego w wtórnym)

Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Iść Odporność na drenaż = Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym+2*Skończony opór+2*Skończony opór*Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła

Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+Opór źródła+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa*Opór źródła)

Wzmocnienie napięcia obwodu otwartego wzmacniacza CS

Iść Wzmocnienie napięcia w obwodzie otwartym = Skończona rezystancja wyjściowa/(Skończona rezystancja wyjściowa+1/Transkonduktancja pierwotna MOSFET)

Transkonduktancja we wzmacniaczu ze wspólnym źródłem

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Częstotliwość wzmocnienia jedności*(Pojemność bramy do źródła+Bramka pojemnościowa do drenażu)

Całkowite wzmocnienie napięcia wtórnika źródła

Iść Całkowite wzmocnienie napięcia = Odporność na obciążenie/(Odporność na obciążenie+1/Transkonduktancja pierwotna MOSFET)

Bieżące wzmocnienie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Iść Aktualny zysk = 1/(1+1/(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Opór pomiędzy drenem a ziemią))

Całkowite wzmocnienie napięcia wzmacniacza CS

Iść Wzmocnienie napięcia = Napięcie obciążenia/Napięcie wejściowe

Napięcie obciążenia wzmacniacza CS

Iść Napięcie obciążenia = Wzmocnienie napięcia*Napięcie wejściowe

Napięcie emitera w odniesieniu do wzmocnienia napięcia

Iść Napięcie emitera = Napięcie kolektora/Wzmocnienie napięcia

< 13 Wzmocnienie wspólnych wzmacniaczy scenicznych Kalkulatory

Ogólne wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego wzmacniacza ze wspólnym kolektorem

Iść Całkowite wzmocnienie napięcia = ((Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Odporność na obciążenie)/((Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Odporność na obciążenie+(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Rezystancja emitera+Rezystancja sygnału)

Ogólne wzmocnienie napięciowe wzmacniacza ze wspólnym emiterem

Iść Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego = -Transkonduktancja pierwotna MOSFET*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))*(1/Odporność kolekcjonerska+1/Odporność na obciążenie+1/Skończona rezystancja wyjściowa)^-1

Ogólne wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego wzmacniacza ze wspólnym źródłem

Ogólne wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego wzmacniacza ze wspólnym emiterem

Iść Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego = -Wspólne wzmocnienie prądu bazowego*Odporność kolekcjonerska/Rezystancja emitera*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))

Całkowite wzmocnienie prądu w odniesieniu do wzmocnienia napięcia

Iść Wspólne wzmocnienie prądu bazowego = Całkowite wzmocnienie napięcia/(Odporność kolekcjonerska/Rezystancja emitera*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału)))

Wzmocnienie napięcia obwodu otwartego wzmacniacza CS

Iść Wzmocnienie napięcia w obwodzie otwartym = Skończona rezystancja wyjściowa/(Skończona rezystancja wyjściowa+1/Transkonduktancja pierwotna MOSFET)

Całkowite wzmocnienie napięcia wtórnika źródła

Iść Całkowite wzmocnienie napięcia = Odporność na obciążenie/(Odporność na obciążenie+1/Transkonduktancja pierwotna MOSFET)

Ujemne wzmocnienie napięcia od bazy do kolektora

Iść Ujemne wzmocnienie napięcia = -Wspólne wzmocnienie prądu bazowego*(Odporność kolekcjonerska/Rezystancja emitera)

Wspólne wzmocnienie prądu bazowego

Iść Wspólne wzmocnienie prądu bazowego = (Wzmocnienie napięcia*Rezystancja emitera/Odporność kolekcjonerska)

Bieżące wzmocnienie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Iść Aktualny zysk = 1/(1+1/(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Opór pomiędzy drenem a ziemią))

Całkowite wzmocnienie napięcia wzmacniacza CS

Iść Wzmocnienie napięcia = Napięcie obciążenia/Napięcie wejściowe

Napięcie emitera w odniesieniu do wzmocnienia napięcia

Iść Napięcie emitera = Napięcie kolektora/Wzmocnienie napięcia

Wzmocnienie napięcia wzmacniacza wspólnej bazy

Iść Wzmocnienie napięcia = Napięcie kolektora/Napięcie emitera

Bieżące wzmocnienie kontrolowanego tranzystora źródłowego Formułę

Aktualny zysk = 1/(1+1/(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Opór pomiędzy drenem a ziemią))
A_i = 1/(1+1/(g_mp*R_dg))

Co to jest sterowane prądem źródło prądu?

Idealne zależne źródło prądu sterowanego prądem, CCCS, utrzymuje prąd wyjściowy, który jest proporcjonalny do sterującego prądu wejściowego. Wówczas prąd wyjściowy „zależy” od wartości prądu wejściowego, ponownie czyniąc go zależnym źródłem prądu.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!