Sygnał w trybie wspólnym tranzystora MOSFET przy danym napięciu wyjściowym na drenie Q2 Kalkulator

✖Rezystancja wyjściowa odnosi się do rezystancji obwodu elektronicznego na przepływ prądu, gdy do jego wyjścia podłączone jest obciążenie.ⓘ Rezystancja wyjściowa [R_out]			+10% -10%
✖Sygnał wejściowy w trybie wspólnym to rodzaj sygnału elektrycznego, który pojawia się jednakowo na obu zaciskach wejściowych wzmacniacza różnicowego.ⓘ Sygnał wejściowy trybu wspólnego [V_cin]			+10% -10%
✖Rezystancja drenu to rezystancja obserwowana patrząc na zacisk drenu FET, gdy napięcie jest przyłożone do bramki. Jest to ważny parametr wpływający na wydajność układów FET.ⓘ Odporność na drenaż [R_d]			+10% -10%

✖Napięcie drenu Q1 to napięcie pobierane na zacisku drenu na jednym tranzystorze Q1 w obwodzie różnicowym.ⓘ Sygnał w trybie wspólnym tranzystora MOSFET przy danym napięciu wyjściowym na drenie Q2 [v_o1]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Sygnał w trybie wspólnym tranzystora MOSFET przy danym napięciu wyjściowym na drenie Q2

Formuła

`"v"_{"o1"} = (2*"R"_{"out"}*"V"_{"cin"})/"R"_{"d"}`

Przykład

`"4354.839V"=(2*"4.5kΩ"*"135V")/"0.279kΩ"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Sygnał w trybie wspólnym tranzystora MOSFET przy danym napięciu wyjściowym na drenie Q2 Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Napięcie drenu Q1 = (2*Rezystancja wyjściowa*Sygnał wejściowy trybu wspólnego)/Odporność na drenaż
v_o1 = (2*R_out*V_cin)/R_d
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Napięcie drenu Q1 - (Mierzone w Wolt) - Napięcie drenu Q1 to napięcie pobierane na zacisku drenu na jednym tranzystorze Q1 w obwodzie różnicowym.
Rezystancja wyjściowa - (Mierzone w Om) - Rezystancja wyjściowa odnosi się do rezystancji obwodu elektronicznego na przepływ prądu, gdy do jego wyjścia podłączone jest obciążenie.
Sygnał wejściowy trybu wspólnego - (Mierzone w Wolt) - Sygnał wejściowy w trybie wspólnym to rodzaj sygnału elektrycznego, który pojawia się jednakowo na obu zaciskach wejściowych wzmacniacza różnicowego.
Odporność na drenaż - (Mierzone w Om) - Rezystancja drenu to rezystancja obserwowana patrząc na zacisk drenu FET, gdy napięcie jest przyłożone do bramki. Jest to ważny parametr wpływający na wydajność układów FET.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Rezystancja wyjściowa: 4.5 Kilohm --> 4500 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Sygnał wejściowy trybu wspólnego: 135 Wolt --> 135 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Odporność na drenaż: 0.279 Kilohm --> 279 Om (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

v_o1 = (2*R_out*V_cin)/R_d --> (2*4500*135)/279

Ocenianie ... ...

v_o1 = 4354.83870967742

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

4354.83870967742 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

4354.83870967742 ≈ 4354.839 Wolt <-- Napięcie drenu Q1

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Współczynnik odrzucenia sygnału wspólnego (CMRR) » Sygnał w trybie wspólnym tranzystora MOSFET przy danym napięciu wyjściowym na drenie Q2

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 10+ Współczynnik odrzucenia sygnału wspólnego (CMRR) Kalkulatory

Współczynnik tłumienia w trybie wspólnym dla MOS z aktualnym obciążeniem lustrzanym

Iść Współczynnik odrzucania trybu wspólnego = Transkonduktancja*(1/(1/Rezystancja uzwojenia pierwotnego w uzwojeniu wtórnym+1/Rezystancja uzwojenia wtórnego w uzwojeniu pierwotnym))*(2*Zmiana w transkonduktancji*Skończona rezystancja wyjściowa)

Współczynnik odrzucania w trybie wspólnym tranzystora MOSFET w przypadku niezgodności transkonduktancji

Iść Współczynnik odrzucania trybu wspólnego = (2*Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa)/(Zmiana w transkonduktancji/Transkonduktancja)

Współczynnik odrzucenia w trybie wspólnym tranzystora MOSFET przy danej rezystancji

Iść Współczynnik odrzucania trybu wspólnego = (2*Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa)/(Zmiana oporu drenażu/Odporność na drenaż)

Sygnał wejściowy w trybie wspólnym tranzystora MOSFET

Iść Sygnał wejściowy trybu wspólnego = (Całkowity prąd/Transkonduktancja)+(2*Całkowity prąd*Całkowita rezystancja obciążenia MOSFET)

Współczynnik tłumienia w trybie wspólnym tranzystora źródłowego kontrolowanego przez MOS

Iść Współczynnik odrzucenia trybu wspólnego w DB = (modulus(Wzmocnienie różnicowe DB))/(modulus(DB wzmocnienia w trybie wspólnym))

Współczynnik odrzucania w trybie wspólnym MOS z prądowym obciążeniem lustrzanym, gdy rezystancja w drenach jest równa

Iść Współczynnik odrzucania trybu wspólnego = (Transkonduktancja*Skończona rezystancja wyjściowa)*(Transkonduktancja*Opór źródła)

Współczynnik odrzucenia w trybie wspólnym tranzystora MOSFET w decybelach

Iść Współczynnik odrzucenia trybu wspólnego w DB = modulus(20*log10((Wzmocnienie napięcia)/(DB wzmocnienia w trybie wspólnym)))

Współczynnik odrzucenia w trybie wspólnym MOSFET

Iść Współczynnik odrzucania trybu wspólnego = modulus((Wzmocnienie napięcia)/(Wzmocnienie w trybie wspólnym))

Sygnał w trybie wspólnym tranzystora MOSFET z zadaną rezystancją

Iść Sygnał wejściowy trybu wspólnego = (2*Rezystancja wyjściowa*Napięcie wyjściowe)/Odporność na obciążenie

Sygnał w trybie wspólnym tranzystora MOSFET przy danym napięciu wyjściowym na drenie Q2

Iść Napięcie drenu Q1 = (2*Rezystancja wyjściowa*Sygnał wejściowy trybu wspólnego)/Odporność na drenaż

Sygnał w trybie wspólnym tranzystora MOSFET przy danym napięciu wyjściowym na drenie Q2 Formułę

Napięcie drenu Q1 = (2*Rezystancja wyjściowa*Sygnał wejściowy trybu wspólnego)/Odporność na drenaż
v_o1 = (2*R_out*V_cin)/R_d

Wyjaśnij działanie tranzystora NMOS.

Tranzystor NMOS z napięciem na źródle gazu> napięcie progowe i z niewielkim napięciem między drenem a źródłem. Urządzenie działa jako rezystancja, której wartość jest określana przez napięcie na źródle gazu. W szczególności przewodnictwo kanału jest proporcjonalne do napięcia na źródle gazu - napięcie progowe, a zatem Id jest proporcjonalne do (napięcie na źródle gazu - napięcie progowe) między drenem a źródłem

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!