Opóźnienie bramki Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Podsystem specjalnego przeznaczenia CMOS

Charakterystyka czasu CMOS

Charakterystyka obwodu CMOS

Charakterystyka opóźnienia CMOS

Charakterystyka projektu CMOS

Falowniki CMOS

Podsystem ścieżki danych tablicowych

Wskaźniki mocy CMOS

✖N-bitowa pamięć SRAM jest zdefiniowana jako n-liczba komórek znajdujących się w pamięci SRAM, która w sumie składa się na liczbę bitów znajdujących się w pamięci SRAM.ⓘ N-bitowa pamięć SRAM [N_sr]

+10%

-10%

✖Opóźnienie bramki to czas rozpoczynający się, gdy sygnał wejściowy bramki logicznej staje się stabilny i możliwy do zmiany, do czasu, gdy sygnał wyjściowy tej bramki logicznej jest stabilny i możliwy do zmiany.ⓘ Opóźnienie bramki [G_d]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Opóźnienie bramki

Formuła

`"G"_{"d"} = 2^("N"_{"sr"})`

Przykład

`"4.594793s"=2^("2.2")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Podsystem specjalnego przeznaczenia CMOS Formuły PDF PDF Image

Opóźnienie bramki Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Opóźnienie bramy = 2^(N-bitowa pamięć SRAM)
G_d = 2^(N_sr)
Ta formuła używa 2 Zmienne

Używane zmienne

Opóźnienie bramy - (Mierzone w Drugi) - Opóźnienie bramki to czas rozpoczynający się, gdy sygnał wejściowy bramki logicznej staje się stabilny i możliwy do zmiany, do czasu, gdy sygnał wyjściowy tej bramki logicznej jest stabilny i możliwy do zmiany.
N-bitowa pamięć SRAM - N-bitowa pamięć SRAM jest zdefiniowana jako n-liczba komórek znajdujących się w pamięci SRAM, która w sumie składa się na liczbę bitów znajdujących się w pamięci SRAM.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

N-bitowa pamięć SRAM: 2.2 --> Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

G_d = 2^(N_sr) --> 2^(2.2)

Ocenianie ... ...

G_d = 4.59479341998814

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

4.59479341998814 Drugi --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

4.59479341998814 ≈ 4.594793 Drugi <-- Opóźnienie bramy

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Projektowanie i zastosowania CMOS » Podsystem specjalnego przeznaczenia CMOS » Opóźnienie bramki

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 20 Podsystem specjalnego przeznaczenia CMOS Kalkulatory

Opór szeregowy od opakowania do powietrza

Iść Opór szeregowy od opakowania do powietrza = Opór cieplny pomiędzy złączem a otoczeniem-Rezystancja szeregowa od matrycy do opakowania

Odporność serii od matrycy do opakowania

Iść Rezystancja szeregowa od matrycy do opakowania = Opór cieplny pomiędzy złączem a otoczeniem-Opór szeregowy od opakowania do powietrza

Moc inwertera

Iść Moc falownika = (Opóźnienie łańcuchów-(Elektryczny wysiłek 1+Elektryczny wysiłek 2))/2

Wysiłek elektryczny inwertera 1

Iść Elektryczny wysiłek 1 = Opóźnienie łańcuchów-(Elektryczny wysiłek 2+2*Moc falownika)

Wysiłek elektryczny inwertera 2

Iść Elektryczny wysiłek 2 = Opóźnienie łańcuchów-(Elektryczny wysiłek 1+2*Moc falownika)

Opóźnienie dla dwóch falowników połączonych szeregowo

Iść Opóźnienie łańcuchów = Elektryczny wysiłek 1+Elektryczny wysiłek 2+2*Moc falownika

Odporność termiczna między złączem a otoczeniem

Iść Opór cieplny pomiędzy złączem a otoczeniem = Tranzystory różnicy temperatur/Pobór mocy chipa

Różnica temperatur między tranzystorami

Iść Tranzystory różnicy temperatur = Opór cieplny pomiędzy złączem a otoczeniem*Pobór mocy chipa

Pobór mocy chipa

Iść Pobór mocy chipa = Tranzystory różnicy temperatur/Opór cieplny pomiędzy złączem a otoczeniem

Zegar sprzężenia zwrotnego PLL

Iść Zegar sprzężenia zwrotnego PLL = Wejściowa faza zegara odniesienia-Detektor błędów PLL

Błąd detektora fazy PLL

Iść Detektor błędów PLL = Wejściowa faza zegara odniesienia-Zegar sprzężenia zwrotnego PLL

Faza zegara wyjściowego PLL

Iść Faza zegara wyjściowego PLL = Funkcja transferu PLL*Wejściowa faza zegara odniesienia

Faza zegara wejściowego PLL

Iść Wejściowa faza zegara odniesienia = Faza zegara wyjściowego PLL/Funkcja transferu PLL

Funkcja transferu PLL

Iść Funkcja transferu PLL = Faza zegara wyjściowego PLL/Wejściowa faza zegara odniesienia

Zmiana fazy zegara

Iść Zmiana fazy zegara = Faza zegara wyjściowego PLL/Częstotliwość bezwzględna

Zmiana częstotliwości zegara

Iść Zmiana częstotliwości zegara = Fanout/Częstotliwość bezwzględna

Pojemność obciążenia zewnętrznego

Iść Pojemność obciążenia zewnętrznego = Fanout*Pojemność wejściowa

Wysiłek sceniczny

Iść Wysiłek sceniczny = Fanout*Logiczny wysiłek

Fanout z Bramy

Iść Fanout = Wysiłek sceniczny/Logiczny wysiłek

Opóźnienie bramki

Iść Opóźnienie bramy = 2^(N-bitowa pamięć SRAM)

Opóźnienie bramki Formułę

Opóźnienie bramy = 2^(N-bitowa pamięć SRAM)
G_d = 2^(N_sr)

Co to jest napięcie tętnienia?

Tętnienia (w szczególności napięcie tętnienia) w elektronice to szczątkowe okresowe zmiany napięcia stałego w zasilaczu, które zostało wyprowadzone ze źródła prądu przemiennego (AC). Napięcie tętnienia pochodzi z wyjścia prostownika lub z generowania i komutacji prądu stałego.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!