Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem dla rezystancji wejściowej małosygnałowej Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/(Mały opór wejściowy sygnału+(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Rezystancja emitera))^-1
Rin = (1/Rb+1/Rb2+1/(Rsm+(β+1)*Re))^-1
Ta formuła używa 6 Zmienne
Używane zmienne
Rezystancja wejściowa - (Mierzone w Om) - Rezystancja wejściowa 2 to opór, jaki element elektryczny lub obwód stawia przepływowi prądu elektrycznego po przyłożeniu do niego napięcia.
Odporność podstawowa - (Mierzone w Om) - Rezystancja podstawowa jest miarą oporu przepływu prądu w obwodzie elektrycznym.
Podstawowa odporność 2 - (Mierzone w Om) - Rezystancja podstawowa 2 jest miarą oporu przepływu prądu w obwodzie elektrycznym.
Mały opór wejściowy sygnału - (Mierzone w Om) - Rezystancja wejściowa małego sygnału 2 pomiędzy modelami bazy i emitera, jak zmienia się impedancja wejściowa pomiędzy zaciskami bazy i emitera tranzystora, gdy przyłożony jest mały sygnał prądu przemiennego.
Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora - Wzmocnienie prądu bazowego kolektora to termin używany w obwodach elektronicznych do opisania maksymalnego prądu, jaki może tolerować złącze kolektor-emiter tranzystora bez uszkodzenia.
Rezystancja emitera - (Mierzone w Om) - Rezystancja emitera to dynamiczna rezystancja diody złącza emitera-bazy tranzystora.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Odporność podstawowa: 1.213 Kilohm --> 1213 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Podstawowa odporność 2: 0.534 Kilohm --> 534 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Mały opór wejściowy sygnału: 1.45 Kilohm --> 1450 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora: 12 --> Nie jest wymagana konwersja
Rezystancja emitera: 0.067 Kilohm --> 67 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Rin = (1/Rb+1/Rb2+1/(Rsm+(β+1)*Re))^-1 --> (1/1213+1/534+1/(1450+(12+1)*67))^-1
Ocenianie ... ...
Rin = 319.702267014196
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
319.702267014196 Om -->0.319702267014196 Kilohm (Sprawdź konwersję tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
0.319702267014196 0.319702 Kilohm <-- Rezystancja wejściowa
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

8 Wzmacniacz ze wspólnym emiterem Kalkulatory

Ogólne wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego wzmacniacza ze wspólnym kolektorem
Iść Całkowite wzmocnienie napięcia = ((Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Odporność na obciążenie)/((Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Odporność na obciążenie+(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Rezystancja emitera+Rezystancja sygnału)
Ogólne wzmocnienie napięciowe wzmacniacza ze wspólnym emiterem
Iść Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego = -Transkonduktancja pierwotna MOSFET*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))*(1/Odporność kolekcjonerska+1/Odporność na obciążenie+1/Skończona rezystancja wyjściowa)^-1
Ogólne wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego wzmacniacza ze wspólnym emiterem
Iść Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego = -Wspólne wzmocnienie prądu bazowego*Odporność kolekcjonerska/Rezystancja emitera*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))
Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem
Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa)*(1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)
Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem dla rezystancji wejściowej małosygnałowej
Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/(Mały opór wejściowy sygnału+(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Rezystancja emitera))^-1
Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem przy danej rezystancji emitera
Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/((Całkowity opór+Rezystancja emitera)*(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))^-1
Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem
Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/Mały opór wejściowy sygnału)^-1
Podstawowe napięcie we wzmacniaczu ze wspólnym emiterem
Iść Podstawowe napięcie składowe = Rezystancja wejściowa*Prąd bazowy

18 Działania CV wzmacniaczy Common Stage Kalkulatory

Rezystancja wejściowa obwodu ze wspólną bazą
Iść Rezystancja wejściowa = (Rezystancja emitera*(Skończona rezystancja wyjściowa+Odporność na obciążenie))/(Skończona rezystancja wyjściowa+(Odporność na obciążenie/(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))
Napięcie wyjściowe kontrolowanego tranzystora źródłowego
Iść Składowa DC napięcia bramki-źródła = (Wzmocnienie napięcia*Prąd elektryczny-Transkonduktancja zwarciowa*Różnicowy sygnał wyjściowy)*(1/Ostateczny opór+1/Rezystancja uzwojenia pierwotnego w wtórnym)
Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego
Iść Odporność na drenaż = Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym+2*Skończony opór+2*Skończony opór*Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym
Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem
Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa)*(1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)
Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem dla rezystancji wejściowej małosygnałowej
Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/(Mały opór wejściowy sygnału+(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Rezystancja emitera))^-1
Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem przy danej rezystancji emitera
Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/((Całkowity opór+Rezystancja emitera)*(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))^-1
Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła
Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+Opór źródła+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa*Opór źródła)
Chwilowy prąd drenu przy użyciu napięcia między drenem a źródłem
Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem
Transkonduktancja we wzmacniaczu ze wspólnym źródłem
Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Częstotliwość wzmocnienia jedności*(Pojemność bramy do źródła+Bramka pojemnościowa do drenażu)
Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem
Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/Mały opór wejściowy sygnału)^-1
Impedancja wejściowa wzmacniacza ze wspólną bazą
Iść Impedancja wejściowa = (1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)^(-1)
Prąd sygnału w emiterze podany sygnał wejściowy
Iść Prąd sygnału w emiterze = Podstawowe napięcie składowe/Rezystancja emitera
Transkonduktancja przy użyciu prądu kolektora wzmacniacza tranzystorowego
Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Prąd kolektora/Próg napięcia
Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym kolektorem
Iść Rezystancja wejściowa = Podstawowe napięcie składowe/Prąd bazowy
Podstawowe napięcie we wzmacniaczu ze wspólnym emiterem
Iść Podstawowe napięcie składowe = Rezystancja wejściowa*Prąd bazowy
Napięcie obciążenia wzmacniacza CS
Iść Napięcie obciążenia = Wzmocnienie napięcia*Napięcie wejściowe
Rezystancja emitera we wzmacniaczu ze wspólną bazą
Iść Rezystancja emitera = Napięcie wejściowe/Prąd emitera
Prąd emitera wzmacniacza ze wspólną bazą
Iść Prąd emitera = Napięcie wejściowe/Rezystancja emitera

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem dla rezystancji wejściowej małosygnałowej Formułę

Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/(Mały opór wejściowy sygnału+(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Rezystancja emitera))^-1
Rin = (1/Rb+1/Rb2+1/(Rsm+(β+1)*Re))^-1

Co robi zwykły wzmacniacz emitera?

Wspólna konfiguracja wzmacniacza emitera zapewnia wzmocnienie napięcia i jest jedną z najczęściej używanych konfiguracji tranzystorów do projektowania obwodów elektronicznych. Obwód wzmacniacza tranzystorowego wspólnego emitera jest jednym z głównych obwodów stosowanych w projektowaniu obwodów elektronicznych, oferując wiele zalet.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!