Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła Kalkulator

✖Skończona rezystancja wyjściowa jest miarą tego, jak bardzo impedancja wyjściowa tranzystora zmienia się wraz ze zmianami napięcia wyjściowego.ⓘ Skończona rezystancja wyjściowa [R_out]			+10% -10%
✖Rezystancja źródła to wartość rezystancji wewnętrznej źródła.ⓘ Opór źródła [R_so]			+10% -10%
✖Transkonduktancja pierwotna MOSFET to zmiana prądu drenu podzielona przez małą zmianę napięcia bramki/źródła przy stałym napięciu dren/źródło.ⓘ Transkonduktancja pierwotna MOSFET [g_mp]			+10% -10%

✖Rezystancja drenu to stosunek zmiany napięcia drenu do źródła do odpowiedniej zmiany prądu drenu dla stałego napięcia bramki do źródła.ⓘ Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła [R_d]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła

Formuła

`"R"_{"d"} = "R"_{"out"}+"R"_{"so"}+("g"_{"mp"}*"R"_{"out"}*"R"_{"so"})`

Przykład

`"0.358711kΩ"="0.35kΩ"+"0.0011kΩ"+("19.77mS"*"0.35kΩ"*"0.0011kΩ")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Wzmacniacze tranzystorowe Formułę PDF PDF Image

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+Opór źródła+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa*Opór źródła)
R_d = R_out+R_so+(g_mp*R_out*R_so)
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Odporność na drenaż - (Mierzone w Om) - Rezystancja drenu to stosunek zmiany napięcia drenu do źródła do odpowiedniej zmiany prądu drenu dla stałego napięcia bramki do źródła.
Skończona rezystancja wyjściowa - (Mierzone w Om) - Skończona rezystancja wyjściowa jest miarą tego, jak bardzo impedancja wyjściowa tranzystora zmienia się wraz ze zmianami napięcia wyjściowego.
Opór źródła - (Mierzone w Om) - Rezystancja źródła to wartość rezystancji wewnętrznej źródła.
Transkonduktancja pierwotna MOSFET - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja pierwotna MOSFET to zmiana prądu drenu podzielona przez małą zmianę napięcia bramki/źródła przy stałym napięciu dren/źródło.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Skończona rezystancja wyjściowa: 0.35 Kilohm --> 350 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Opór źródła: 0.0011 Kilohm --> 1.1 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Transkonduktancja pierwotna MOSFET: 19.77 Millisiemens --> 0.01977 Siemens (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

R_d = R_out+R_so+(g_mp*R_out*R_so) --> 350+1.1+(0.01977*350*1.1)

Ocenianie ... ...

R_d = 358.71145

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

358.71145 Om -->0.35871145 Kilohm (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.35871145 ≈ 0.358711 Kilohm <-- Odporność na drenaż

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Wzmacniacze » Wzmacniacze tranzystorowe » Wzmacniacz ze wspólnym źródłem » Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Anshika Arya

Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur

Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

< 11 Wzmacniacz ze wspólnym źródłem Kalkulatory

Ogólne wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego wzmacniacza ze wspólnym źródłem

Iść Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego = -Transkonduktancja pierwotna MOSFET*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))*(1/Odporność na drenaż+1/Odporność na obciążenie+1/Skończona rezystancja wyjściowa)^-1

Napięcie wyjściowe kontrolowanego tranzystora źródłowego

Iść Składowa DC napięcia bramki-źródła = (Wzmocnienie napięcia*Prąd elektryczny-Transkonduktancja zwarciowa*Różnicowy sygnał wyjściowy)*(1/Ostateczny opór+1/Rezystancja uzwojenia pierwotnego w wtórnym)

Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Iść Odporność na drenaż = Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym+2*Skończony opór+2*Skończony opór*Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła

Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+Opór źródła+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa*Opór źródła)

Wzmocnienie napięcia obwodu otwartego wzmacniacza CS

Iść Wzmocnienie napięcia w obwodzie otwartym = Skończona rezystancja wyjściowa/(Skończona rezystancja wyjściowa+1/Transkonduktancja pierwotna MOSFET)

Transkonduktancja we wzmacniaczu ze wspólnym źródłem

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Częstotliwość wzmocnienia jedności*(Pojemność bramy do źródła+Bramka pojemnościowa do drenażu)

Całkowite wzmocnienie napięcia wtórnika źródła

Iść Całkowite wzmocnienie napięcia = Odporność na obciążenie/(Odporność na obciążenie+1/Transkonduktancja pierwotna MOSFET)

Bieżące wzmocnienie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Iść Aktualny zysk = 1/(1+1/(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Opór pomiędzy drenem a ziemią))

Całkowite wzmocnienie napięcia wzmacniacza CS

Iść Wzmocnienie napięcia = Napięcie obciążenia/Napięcie wejściowe

Napięcie obciążenia wzmacniacza CS

Iść Napięcie obciążenia = Wzmocnienie napięcia*Napięcie wejściowe

Napięcie emitera w odniesieniu do wzmocnienia napięcia

Iść Napięcie emitera = Napięcie kolektora/Wzmocnienie napięcia

< 18 Działania CV wzmacniaczy Common Stage Kalkulatory

Rezystancja wejściowa obwodu ze wspólną bazą

Iść Rezystancja wejściowa = (Rezystancja emitera*(Skończona rezystancja wyjściowa+Odporność na obciążenie))/(Skończona rezystancja wyjściowa+(Odporność na obciążenie/(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))

Napięcie wyjściowe kontrolowanego tranzystora źródłowego

Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Iść Odporność na drenaż = Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym+2*Skończony opór+2*Skończony opór*Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem

Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa)*(1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem dla rezystancji wejściowej małosygnałowej

Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/(Mały opór wejściowy sygnału+(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Rezystancja emitera))^-1

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem przy danej rezystancji emitera

Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/((Całkowity opór+Rezystancja emitera)*(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))^-1

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła

Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+Opór źródła+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa*Opór źródła)

Chwilowy prąd drenu przy użyciu napięcia między drenem a źródłem

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem

Transkonduktancja we wzmacniaczu ze wspólnym źródłem

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Częstotliwość wzmocnienia jedności*(Pojemność bramy do źródła+Bramka pojemnościowa do drenażu)

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem

Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/Mały opór wejściowy sygnału)^-1

Impedancja wejściowa wzmacniacza ze wspólną bazą

Iść Impedancja wejściowa = (1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)^(-1)

Prąd sygnału w emiterze podany sygnał wejściowy

Iść Prąd sygnału w emiterze = Podstawowe napięcie składowe/Rezystancja emitera

Transkonduktancja przy użyciu prądu kolektora wzmacniacza tranzystorowego

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Prąd kolektora/Próg napięcia

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym kolektorem

Iść Rezystancja wejściowa = Podstawowe napięcie składowe/Prąd bazowy

Podstawowe napięcie we wzmacniaczu ze wspólnym emiterem

Iść Podstawowe napięcie składowe = Rezystancja wejściowa*Prąd bazowy

Napięcie obciążenia wzmacniacza CS

Iść Napięcie obciążenia = Wzmocnienie napięcia*Napięcie wejściowe

Rezystancja emitera we wzmacniaczu ze wspólną bazą

Iść Rezystancja emitera = Napięcie wejściowe/Prąd emitera

Prąd emitera wzmacniacza ze wspólną bazą

Iść Prąd emitera = Napięcie wejściowe/Rezystancja emitera

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła Formułę

Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+Opór źródła+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa*Opór źródła)
R_d = R_out+R_so+(g_mp*R_out*R_so)

Co to jest konfiguracja CS?

Konfiguracja ze wspólnym źródłem polega na tym, że wejście to napięcie między bramką a masą, a wyjście to napięcie między drenem a masą.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!