Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem Kalkulator

✖Skończona rezystancja wyjściowa jest miarą tego, jak bardzo impedancja wyjściowa tranzystora zmienia się wraz ze zmianami napięcia wyjściowego.ⓘ Skończona rezystancja wyjściowa [R_out]			+10% -10%
✖Transkonduktancja pierwotna MOSFET to zmiana prądu drenu podzielona przez małą zmianę napięcia bramki/źródła przy stałym napięciu dren/źródło.ⓘ Transkonduktancja pierwotna MOSFET [g_mp]			+10% -10%
✖Rezystancja emitera to dynamiczna rezystancja diody złącza emitera-bazy tranzystora.ⓘ Rezystancja emitera [R_e]			+10% -10%
✖Rezystancja wejściowa małego sygnału 2 pomiędzy modelami bazy i emitera, jak zmienia się impedancja wejściowa pomiędzy zaciskami bazy i emitera tranzystora, gdy przyłożony jest mały sygnał prądu przemiennego.ⓘ Mały opór wejściowy sygnału [R_sm]			+10% -10%

✖Rezystancja drenu to stosunek zmiany napięcia drenu do źródła do odpowiedniej zmiany prądu drenu dla stałego napięcia bramki do źródła.ⓘ Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem [R_d]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem

Formuła

`"R"_{"d"} = "R"_{"out"}+("g"_{"mp"}*"R"_{"out"})*(1/"R"_{"e"}+1/"R"_{"sm"})`

Przykład

`"0.350108kΩ"="0.35kΩ"+("19.77mS"*"0.35kΩ")*(1/"0.067kΩ"+1/"1.45kΩ")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Wzmacniacze tranzystorowe Formułę PDF PDF Image

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa)*(1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)
R_d = R_out+(g_mp*R_out)*(1/R_e+1/R_sm)
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Odporność na drenaż - (Mierzone w Om) - Rezystancja drenu to stosunek zmiany napięcia drenu do źródła do odpowiedniej zmiany prądu drenu dla stałego napięcia bramki do źródła.
Skończona rezystancja wyjściowa - (Mierzone w Om) - Skończona rezystancja wyjściowa jest miarą tego, jak bardzo impedancja wyjściowa tranzystora zmienia się wraz ze zmianami napięcia wyjściowego.
Transkonduktancja pierwotna MOSFET - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja pierwotna MOSFET to zmiana prądu drenu podzielona przez małą zmianę napięcia bramki/źródła przy stałym napięciu dren/źródło.
Rezystancja emitera - (Mierzone w Om) - Rezystancja emitera to dynamiczna rezystancja diody złącza emitera-bazy tranzystora.
Mały opór wejściowy sygnału - (Mierzone w Om) - Rezystancja wejściowa małego sygnału 2 pomiędzy modelami bazy i emitera, jak zmienia się impedancja wejściowa pomiędzy zaciskami bazy i emitera tranzystora, gdy przyłożony jest mały sygnał prądu przemiennego.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Skończona rezystancja wyjściowa: 0.35 Kilohm --> 350 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Transkonduktancja pierwotna MOSFET: 19.77 Millisiemens --> 0.01977 Siemens (Sprawdź konwersję tutaj)
Rezystancja emitera: 0.067 Kilohm --> 67 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Mały opór wejściowy sygnału: 1.45 Kilohm --> 1450 Om (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

R_d = R_out+(g_mp*R_out)*(1/R_e+1/R_sm) --> 350+(0.01977*350)*(1/67+1/1450)

Ocenianie ... ...

R_d = 350.108048188369

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

350.108048188369 Om -->0.350108048188368 Kilohm (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.350108048188368 ≈ 0.350108 Kilohm <-- Odporność na drenaż

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Wzmacniacze » Wzmacniacze tranzystorowe » Wzmacniacz ze wspólnym emiterem » Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Anshika Arya

Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur

Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

< 8 Wzmacniacz ze wspólnym emiterem Kalkulatory

Ogólne wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego wzmacniacza ze wspólnym kolektorem

Iść Całkowite wzmocnienie napięcia = ((Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Odporność na obciążenie)/((Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Odporność na obciążenie+(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Rezystancja emitera+Rezystancja sygnału)

Ogólne wzmocnienie napięciowe wzmacniacza ze wspólnym emiterem

Iść Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego = -Transkonduktancja pierwotna MOSFET*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))*(1/Odporność kolekcjonerska+1/Odporność na obciążenie+1/Skończona rezystancja wyjściowa)^-1

Ogólne wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego wzmacniacza ze wspólnym emiterem

Iść Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego = -Wspólne wzmocnienie prądu bazowego*Odporność kolekcjonerska/Rezystancja emitera*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem

Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa)*(1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem dla rezystancji wejściowej małosygnałowej

Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/(Mały opór wejściowy sygnału+(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Rezystancja emitera))^-1

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem przy danej rezystancji emitera

Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/((Całkowity opór+Rezystancja emitera)*(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))^-1

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem

Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/Mały opór wejściowy sygnału)^-1

Podstawowe napięcie we wzmacniaczu ze wspólnym emiterem

Iść Podstawowe napięcie składowe = Rezystancja wejściowa*Prąd bazowy

< 18 Działania CV wzmacniaczy Common Stage Kalkulatory

Rezystancja wejściowa obwodu ze wspólną bazą

Iść Rezystancja wejściowa = (Rezystancja emitera*(Skończona rezystancja wyjściowa+Odporność na obciążenie))/(Skończona rezystancja wyjściowa+(Odporność na obciążenie/(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))

Napięcie wyjściowe kontrolowanego tranzystora źródłowego

Iść Składowa DC napięcia bramki-źródła = (Wzmocnienie napięcia*Prąd elektryczny-Transkonduktancja zwarciowa*Różnicowy sygnał wyjściowy)*(1/Ostateczny opór+1/Rezystancja uzwojenia pierwotnego w wtórnym)

Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Iść Odporność na drenaż = Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym+2*Skończony opór+2*Skończony opór*Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem

Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa)*(1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem dla rezystancji wejściowej małosygnałowej

Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/(Mały opór wejściowy sygnału+(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Rezystancja emitera))^-1

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem przy danej rezystancji emitera

Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/((Całkowity opór+Rezystancja emitera)*(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))^-1

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła

Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+Opór źródła+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa*Opór źródła)

Chwilowy prąd drenu przy użyciu napięcia między drenem a źródłem

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem

Transkonduktancja we wzmacniaczu ze wspólnym źródłem

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Częstotliwość wzmocnienia jedności*(Pojemność bramy do źródła+Bramka pojemnościowa do drenażu)

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem

Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/Mały opór wejściowy sygnału)^-1

Impedancja wejściowa wzmacniacza ze wspólną bazą

Iść Impedancja wejściowa = (1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)^(-1)

Prąd sygnału w emiterze podany sygnał wejściowy

Iść Prąd sygnału w emiterze = Podstawowe napięcie składowe/Rezystancja emitera

Transkonduktancja przy użyciu prądu kolektora wzmacniacza tranzystorowego

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Prąd kolektora/Próg napięcia

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym kolektorem

Iść Rezystancja wejściowa = Podstawowe napięcie składowe/Prąd bazowy

Podstawowe napięcie we wzmacniaczu ze wspólnym emiterem

Iść Podstawowe napięcie składowe = Rezystancja wejściowa*Prąd bazowy

Napięcie obciążenia wzmacniacza CS

Iść Napięcie obciążenia = Wzmocnienie napięcia*Napięcie wejściowe

Rezystancja emitera we wzmacniaczu ze wspólną bazą

Iść Rezystancja emitera = Napięcie wejściowe/Prąd emitera

Prąd emitera wzmacniacza ze wspólną bazą

Iść Prąd emitera = Napięcie wejściowe/Rezystancja emitera

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem Formułę

Co to jest wzmacniacz CE ze zdegenerowanym emiterem?

Degradacja emitera odnosi się do dodania małego rezystora (R4) między emiterem a wspólnym źródłem sygnału. W tym obwodzie zacisk bazowy tranzystora jest wejściem, kolektor jest wyjściem, a emiter jest wspólny dla obu. To wzmacniacz napięciowy z odwróconym wyjściem.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!