Rezystancja wyjściowa tranzystora przy wzmocnieniu wewnętrznym Kalkulator

✖Wczesne napięcie jest całkowicie zależne od technologii procesu i ma wymiary woltów na mikron. Typowo V; mieści się w zakresie od 5 V/μm do 50 V/μm.ⓘ Wczesne napięcie [V_a']			+10% -10%
✖Prąd kolektora to wzmocniony prąd wyjściowy bipolarnego tranzystora złączowego.ⓘ Prąd kolektora [i_c]			+10% -10%

✖Skończona rezystancja wyjściowa jest miarą tego, jak bardzo impedancja wyjściowa tranzystora zmienia się wraz ze zmianami napięcia wyjściowego.ⓘ Rezystancja wyjściowa tranzystora przy wzmocnieniu wewnętrznym [R_out]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Rezystancja wyjściowa tranzystora przy wzmocnieniu wewnętrznym

Formuła

`"R"_{"out"} = ("V"_{"a"}"'")/"i"_{"c"}`

Przykład

`"0.350455kΩ"="13.85V/m"/"39.52mA"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Wzmacniacze tranzystorowe Formułę PDF PDF Image

Rezystancja wyjściowa tranzystora przy wzmocnieniu wewnętrznym Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Skończona rezystancja wyjściowa = Wczesne napięcie/Prąd kolektora
R_out = V_a'/i_c
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Skończona rezystancja wyjściowa - (Mierzone w Om) - Skończona rezystancja wyjściowa jest miarą tego, jak bardzo impedancja wyjściowa tranzystora zmienia się wraz ze zmianami napięcia wyjściowego.
Wczesne napięcie - (Mierzone w Wolt na metr) - Wczesne napięcie jest całkowicie zależne od technologii procesu i ma wymiary woltów na mikron. Typowo V; mieści się w zakresie od 5 V/μm do 50 V/μm.
Prąd kolektora - (Mierzone w Amper) - Prąd kolektora to wzmocniony prąd wyjściowy bipolarnego tranzystora złączowego.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Wczesne napięcie: 13.85 Wolt na metr --> 13.85 Wolt na metr Nie jest wymagana konwersja
Prąd kolektora: 39.52 Miliamper --> 0.03952 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

R_out = V_a'/i_c --> 13.85/0.03952

Ocenianie ... ...

R_out = 350.455465587045

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

350.455465587045 Om -->0.350455465587045 Kilohm (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.350455465587045 ≈ 0.350455 Kilohm <-- Skończona rezystancja wyjściowa

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Wzmacniacze » Wzmacniacze tranzystorowe » Naśladowca emitera » Rezystancja wyjściowa tranzystora przy wzmocnieniu wewnętrznym

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 10+ Naśladowca emitera Kalkulatory

Rezystancja wyjściowa wtórnika emitera

Iść Skończony opór = (1/Odporność na obciążenie+1/Małe napięcie sygnału+1/Rezystancja emitera)+(1/Impedancja podstawowa+1/Rezystancja sygnału)/(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)

Prąd kolektora w obszarze aktywnym, gdy tranzystor działa jako wzmacniacz

Iść Prąd kolektora = Prąd nasycenia*e^(Napięcie na złączu emitera bazy/Próg napięcia)

Prąd nasycenia wtórnika emitera

Iść Prąd nasycenia = Prąd kolektora/e^(Napięcie na złączu emitera bazy/Próg napięcia)

Rezystancja wejściowa wtórnika emitera

Iść Rezystancja wejściowa = 1/(1/Rezystancja sygnału w bazie+1/Odporność podstawowa)

Rezystancja podstawowa na złączu popychacza emitera

Iść Odporność podstawowa = Stała wysokiej częstotliwości*Rezystancja emitera

Całkowita rezystancja emitera wtórnika emitera

Iść Rezystancja emitera = Odporność podstawowa/Stała wysokiej częstotliwości

Rezystancja wyjściowa tranzystora przy wzmocnieniu wewnętrznym

Iść Skończona rezystancja wyjściowa = Wczesne napięcie/Prąd kolektora

Prąd kolektora tranzystora wtórnika emitera

Iść Prąd kolektora = Wczesne napięcie/Skończona rezystancja wyjściowa

Rezystancja wejściowa wzmacniacza tranzystorowego

Iść Rezystancja wejściowa = Wejście wzmacniacza/Prąd wejściowy

Napięcie wejściowe wtórnika emitera

Iść Napięcie emitera = Napięcie podstawowe-0.7

< 15 Wielostopniowe wzmacniacze tranzystorowe Kalkulatory

Wzmocnienie napięcia w bipolarnym kaskodzie w obwodzie otwartym

Iść Wzmocnienie napięcia bipolarnego Cascode = -Transkonduktancja pierwotna MOSFET*(Transkonduktancja wtórna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa)*(1/Skończona rezystancja wyjściowa tranzystora 1+1/Mały opór wejściowy sygnału)^-1

Rezystancja wyjściowa wtórnika emitera

Iść Skończony opór = (1/Odporność na obciążenie+1/Małe napięcie sygnału+1/Rezystancja emitera)+(1/Impedancja podstawowa+1/Rezystancja sygnału)/(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)

Rezystancja drenażu wzmacniacza Cascode

Iść Odporność na drenaż = (Wzmocnienie napięcia wyjściowego/(Transkonduktancja pierwotna MOSFET^2*Skończona rezystancja wyjściowa))

Wzmocnienie napięcia wyjściowego wzmacniacza kaskadowego MOS

Iść Wzmocnienie napięcia wyjściowego = -Transkonduktancja pierwotna MOSFET^2*Skończona rezystancja wyjściowa*Odporność na drenaż

Prąd kolektora w obszarze aktywnym, gdy tranzystor działa jako wzmacniacz

Iść Prąd kolektora = Prąd nasycenia*e^(Napięcie na złączu emitera bazy/Próg napięcia)

Prąd nasycenia wtórnika emitera

Iść Prąd nasycenia = Prąd kolektora/e^(Napięcie na złączu emitera bazy/Próg napięcia)

Równoważna rezystancja wzmacniacza Cascode

Iść Opór pomiędzy drenem a ziemią = (1/Skończona rezystancja wyjściowa tranzystora 1+1/Rezystancja wejściowa)^-1

Wzmocnienie ujemnego napięcia wzmacniacza Cascode

Iść Ujemne wzmocnienie napięcia = -(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Opór pomiędzy drenem a ziemią)

Rezystancja wejściowa wtórnika emitera

Iść Rezystancja wejściowa = 1/(1/Rezystancja sygnału w bazie+1/Odporność podstawowa)

Rezystancja podstawowa na złączu popychacza emitera

Iść Odporność podstawowa = Stała wysokiej częstotliwości*Rezystancja emitera

Całkowita rezystancja emitera wtórnika emitera

Iść Rezystancja emitera = Odporność podstawowa/Stała wysokiej częstotliwości

Rezystancja wyjściowa tranzystora przy wzmocnieniu wewnętrznym

Iść Skończona rezystancja wyjściowa = Wczesne napięcie/Prąd kolektora

Prąd kolektora tranzystora wtórnika emitera

Iść Prąd kolektora = Wczesne napięcie/Skończona rezystancja wyjściowa

Rezystancja wejściowa wzmacniacza tranzystorowego

Iść Rezystancja wejściowa = Wejście wzmacniacza/Prąd wejściowy

Napięcie wejściowe wtórnika emitera

Iść Napięcie emitera = Napięcie podstawowe-0.7

Rezystancja wyjściowa tranzystora przy wzmocnieniu wewnętrznym Formułę

Skończona rezystancja wyjściowa = Wczesne napięcie/Prąd kolektora
R_out = V_a'/i_c

Co to jest wewnętrzny zysk?

Wzmocnienie wewnętrzne wzoru BJT jest definiowane jako maksymalne możliwe wzmocnienie napięcia typowego tranzystora, niezależnie od punktu polaryzacji. to znaczy więcej, czyli maksymalne wzmocnienie wzmacniacza CE (Common Emitter) poprzez wyeliminowanie I.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!