Napięcie wyjściowe kanału P małego sygnału Kalkulator

✖Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.ⓘ Transkonduktancja [g_m]			+10% -10%
✖Napięcie źródła do bramki to różnica potencjałów między źródłem a bramką tranzystora.ⓘ Źródło-napięcie bramki [V_sg]			+10% -10%
✖Rezystancja wyjściowa odnosi się do rezystancji obwodu elektronicznego na przepływ prądu, gdy do jego wyjścia podłączone jest obciążenie.ⓘ Rezystancja wyjściowa [R_out]			+10% -10%
✖Rezystancja drenu jest definiowana jako rezystancja przeciwstawiająca się przepływowi prądu przez dren tranzystora.ⓘ Odporność na drenaż [R_d]			+10% -10%

✖Napięcie wyjściowe to różnica potencjałów elektrycznych, która jest dostarczana do obciążenia przez zasilacz i odgrywa kluczową rolę w określaniu wydajności i niezawodności systemów elektronicznych.ⓘ Napięcie wyjściowe kanału P małego sygnału [V_out]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Napięcie wyjściowe kanału P małego sygnału

Formuła

`"V"_{"out"} = "g"_{"m"}*"V"_{"sg"}*(("R"_{"out"}*"R"_{"d"})/("R"_{"d"}+"R"_{"out"}))`

Przykład

`"0.109732V"="0.5mS"*"20V"*(("4.5kΩ"*"11Ω")/("11Ω"+"4.5kΩ"))`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Napięcie wyjściowe kanału P małego sygnału Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Napięcie wyjściowe = Transkonduktancja*Źródło-napięcie bramki*((Rezystancja wyjściowa*Odporność na drenaż)/(Odporność na drenaż+Rezystancja wyjściowa))
V_out = g_m*V_sg*((R_out*R_d)/(R_d+R_out))
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Napięcie wyjściowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie wyjściowe to różnica potencjałów elektrycznych, która jest dostarczana do obciążenia przez zasilacz i odgrywa kluczową rolę w określaniu wydajności i niezawodności systemów elektronicznych.
Transkonduktancja - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.
Źródło-napięcie bramki - (Mierzone w Wolt) - Napięcie źródła do bramki to różnica potencjałów między źródłem a bramką tranzystora.
Rezystancja wyjściowa - (Mierzone w Om) - Rezystancja wyjściowa odnosi się do rezystancji obwodu elektronicznego na przepływ prądu, gdy do jego wyjścia podłączone jest obciążenie.
Odporność na drenaż - (Mierzone w Om) - Rezystancja drenu jest definiowana jako rezystancja przeciwstawiająca się przepływowi prądu przez dren tranzystora.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Transkonduktancja: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Sprawdź konwersję tutaj)
Źródło-napięcie bramki: 20 Wolt --> 20 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Rezystancja wyjściowa: 4.5 Kilohm --> 4500 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Odporność na drenaż: 11 Om --> 11 Om Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V_out = g_m*V_sg*((R_out*R_d)/(R_d+R_out)) --> 0.0005*20*((4500*11)/(11+4500))

Ocenianie ... ...

V_out = 0.109731766792286

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.109731766792286 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.109731766792286 ≈ 0.109732 Wolt <-- Napięcie wyjściowe

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Analiza małych sygnałów » Napięcie wyjściowe kanału P małego sygnału

Kredyty

Stworzone przez Ritwik Tripathi

Vellore Instytut Technologiczny (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi utworzył ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

< 15 Analiza małych sygnałów Kalkulatory

Wzmocnienie napięcia małego sygnału w odniesieniu do rezystancji wejściowej

Iść Wzmocnienie napięcia = (Rezystancja wzmacniacza wejściowego/(Rezystancja wzmacniacza wejściowego+Samoindukowany opór))*((Opór źródła*Rezystancja wyjściowa)/(Opór źródła+Rezystancja wyjściowa))/(1/Transkonduktancja+((Opór źródła*Rezystancja wyjściowa)/(Opór źródła+Rezystancja wyjściowa)))

Napięcie od bramki do źródła w odniesieniu do rezystancji małego sygnału

Iść Napięcie krytyczne = Napięcie wejściowe*((1/Transkonduktancja)/((1/Transkonduktancja)*((Opór źródła*Mały opór sygnału)/(Opór źródła+Mały opór sygnału))))

Napięcie wyjściowe kanału P małego sygnału

Iść Napięcie wyjściowe = Transkonduktancja*Źródło-napięcie bramki*((Rezystancja wyjściowa*Odporność na drenaż)/(Odporność na drenaż+Rezystancja wyjściowa))

Napięcie wyjściowe wspólnego drenu w małym sygnale

Iść Napięcie wyjściowe = Transkonduktancja*Napięcie krytyczne*((Opór źródła*Mały opór sygnału)/(Opór źródła+Mały opór sygnału))

Wzmocnienie napięcia dla małych sygnałów

Iść Wzmocnienie napięcia = (Transkonduktancja*(1/((1/Odporność na obciążenie)+(1/Odporność na drenaż))))/(1+(Transkonduktancja*Samoindukowany opór))

Wzmocnienie napięcia małosygnałowego w odniesieniu do rezystancji drenu

Iść Wzmocnienie napięcia = (Transkonduktancja*((Rezystancja wyjściowa*Odporność na drenaż)/(Rezystancja wyjściowa+Odporność na drenaż)))

Prąd wyjściowy małego sygnału

Iść Prąd wyjściowy = (Transkonduktancja*Napięcie krytyczne)*(Odporność na drenaż/(Odporność na obciążenie+Odporność na drenaż))

Współczynnik wzmocnienia dla modelu MOSFET małego sygnału

Iść Współczynnik wzmocnienia = 1/Średnia droga swobodna elektronu*sqrt((2*Parametr transkonduktancji procesu)/Prąd spustowy)

Prąd wejściowy małego sygnału

Iść Prąd wejściowy małego sygnału = (Napięcie krytyczne*((1+Transkonduktancja*Samoindukowany opór)/Samoindukowany opór))

Transkonduktancja przy danych parametrach małego sygnału

Iść Transkonduktancja = 2*Parametr transkonduktancji*(Składowa DC napięcia bramki-źródła-Całkowite napięcie)

Wzmocnienie napięcia za pomocą małego sygnału

Iść Wzmocnienie napięcia = Transkonduktancja*1/(1/Odporność na obciążenie+1/Skończony opór)

Napięcie wyjściowe małego sygnału

Iść Napięcie wyjściowe = Transkonduktancja*Źródło-napięcie bramki*Odporność na obciążenie

Napięcie od bramki do źródła w małym sygnale

Iść Napięcie krytyczne = Napięcie wejściowe/(1+Samoindukowany opór*Transkonduktancja)

Prąd spustowy małego sygnału MOSFET

Iść Prąd spustowy = 1/(Średnia droga swobodna elektronu*Rezystancja wyjściowa)

Współczynnik wzmocnienia w modelu małego sygnału MOSFET

Iść Współczynnik wzmocnienia = Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa

Napięcie wyjściowe kanału P małego sygnału Formułę

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!