Minimalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Minimalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego = Napięcie progowe zerowego odchylenia+sqrt((8*Napięcie zasilania)/(3*Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie))-(1/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie))
VIH(RL) = VT0+sqrt((8*Vcc)/(3*Kn*RL))-(1/(Kn*RL))
Ta formuła używa 1 Funkcje, 5 Zmienne
Używane funkcje
sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która jako dane wejściowe przyjmuje liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy z podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)
Używane zmienne
Minimalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego - (Mierzone w Wolt) - Minimalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego definiuje się jako minimalne napięcie wejściowe, które można interpretować jako logiczną „1”, gdy typem obciążenia jest rezystancja.
Napięcie progowe zerowego odchylenia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe zerowego odchylenia jest zdefiniowane jako wymagane napięcie bramki, gdy napięcie źródło-podłoże wynosi zero.
Napięcie zasilania - (Mierzone w Wolt) - Napięcie zasilania jest napięciem wejściowym.
Transkonduktancja NMOS - (Mierzone w Amper na wolt kwadratowy) - Transprzewodnictwo NMOS w CMOS definiuje się jako iloczyn ruchliwości elektronów, stosunku szerokości do długości NMOS i pojemności tlenkowej.
Odporność na obciążenie - (Mierzone w Om) - Rezystancję obciążenia definiuje się jako element elektroniczny, który ogranicza ilość prądu przepływającego przez obwód.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Napięcie progowe zerowego odchylenia: 1.4 Wolt --> 1.4 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie zasilania: 1.55 Wolt --> 1.55 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Transkonduktancja NMOS: 200 Mikroamper na wolt kwadratowy --> 0.0002 Amper na wolt kwadratowy (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Odporność na obciążenie: 2 Megaom --> 2000000 Om (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
VIH(RL) = VT0+sqrt((8*Vcc)/(3*Kn*RL))-(1/(Kn*RL)) --> 1.4+sqrt((8*1.55)/(3*0.0002*2000000))-(1/(0.0002*2000000))
Ocenianie ... ...
VIH(RL) = 1.49915300454651
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
1.49915300454651 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
1.49915300454651 1.499153 Wolt <-- Minimalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Priyanka Patel
Lalbhai Dalpatbhai College of Engineering (LDCE), Ahmadabad
Priyanka Patel utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Santhosh Yadav
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

17 Falowniki CMOS Kalkulatory

Opóźnienie propagacji dla przejścia CMOS z niskiej na wysoką moc wyjściową
​ Iść Czas przejścia z niskiego na wysoki poziom wyjściowy = (Pojemność obciążenia/(Transkonduktancja PMOS*(Napięcie zasilania-abs(Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała))))*(((2*abs(Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała))/(Napięcie zasilania-abs(Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała)))+ln((4*(Napięcie zasilania-abs(Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała))/Napięcie zasilania)-1))
Minimalne napięcie wyjściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS
​ Iść Minimalne napięcie wyjściowe obciążenia rezystancyjnego = Napięcie zasilania-Napięcie progowe zerowego odchylenia+(1/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie))-sqrt((Napięcie zasilania-Napięcie progowe zerowego odchylenia+(1/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie)))^2-(2*Napięcie zasilania/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie)))
Opóźnienie propagacji dla przejścia CMOS z wysokiego na niski poziom wyjściowy
​ Iść Czas przejścia z wysokiego na niski poziom wyjściowy = (Pojemność obciążenia/(Transkonduktancja NMOS*(Napięcie zasilania-Napięcie progowe NMOS z odchyleniem ciała)))*((2*Napięcie progowe NMOS z odchyleniem ciała/(Napięcie zasilania-Napięcie progowe NMOS z odchyleniem ciała))+ln((4*(Napięcie zasilania-Napięcie progowe NMOS z odchyleniem ciała)/Napięcie zasilania)-1))
Minimalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS
​ Iść Minimalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego = Napięcie progowe zerowego odchylenia+sqrt((8*Napięcie zasilania)/(3*Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie))-(1/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie))
Maksymalne napięcie wejściowe CMOS
​ Iść Maksymalne napięcie wejściowe CMOS = (2*Napięcie wyjściowe dla maksymalnego wejścia+(Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała)-Napięcie zasilania+Współczynnik transkonduktancji*Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała)/(1+Współczynnik transkonduktancji)
Napięcie progowe CMOS
​ Iść Próg napięcia = (Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała+sqrt(1/Współczynnik transkonduktancji)*(Napięcie zasilania+(Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała)))/(1+sqrt(1/Współczynnik transkonduktancji))
Minimalne napięcie wejściowe CMOS
​ Iść Minimalne napięcie wejściowe = (Napięcie zasilania+(Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała)+Współczynnik transkonduktancji*(2*Napięcie wyjściowe+Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała))/(1+Współczynnik transkonduktancji)
Pojemność obciążenia kaskadowego falownika CMOS
​ Iść Pojemność obciążenia = Pojemność drenu bramki PMOS+Pojemność drenu bramki NMOS+Opróżnij pojemność zbiorczą PMOS+Opróżnij pojemność zbiorczą NMOS+Pojemność wewnętrzna+Pojemność bramki
Maksymalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS
​ Iść Maksymalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS = Napięcie progowe zerowego odchylenia+(1/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie))
Energia dostarczana przez zasilacz
​ Iść Energia dostarczana przez zasilacz = int(Napięcie zasilania*Chwilowy prąd drenu*x,x,0,Interwał ładowania kondensatora)
Średnie opóźnienie propagacji CMOS
​ Iść Średnie opóźnienie propagacji = (Czas przejścia z wysokiego na niski poziom wyjściowy+Czas przejścia z niskiego na wysoki poziom wyjściowy)/2
Średnie rozproszenie mocy CMOS
​ Iść Średnie rozproszenie mocy = Pojemność obciążenia*(Napięcie zasilania)^2*Częstotliwość
Maksymalne napięcie wejściowe dla symetrycznej pamięci CMOS
​ Iść Maksymalne napięcie wejściowe = (3*Napięcie zasilania+2*Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała)/8
Minimalne napięcie wejściowe dla symetrycznej pamięci CMOS
​ Iść Minimalne napięcie wejściowe = (5*Napięcie zasilania-2*Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała)/8
Margines szumu dla sygnału CMOS o wysokim sygnale
​ Iść Margines szumu dla wysokiego sygnału = Maksymalne napięcie wyjściowe-Minimalne napięcie wejściowe
Oscylator pierścieniowy z okresem oscylacji CMOS
​ Iść Okres oscylacji = 2*Liczba stopni oscylatora pierścieniowego*Średnie opóźnienie propagacji
Współczynnik transkonduktancji CMOS
​ Iść Współczynnik transkonduktancji = Transkonduktancja NMOS/Transkonduktancja PMOS

Minimalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS Formułę

Minimalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego = Napięcie progowe zerowego odchylenia+sqrt((8*Napięcie zasilania)/(3*Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie))-(1/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie))
VIH(RL) = VT0+sqrt((8*Vcc)/(3*Kn*RL))-(1/(Kn*RL))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!