Całkowita energia w CMOS Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Wskaźniki mocy CMOS

Charakterystyka czasu CMOS

Charakterystyka obwodu CMOS

Charakterystyka opóźnienia CMOS

Charakterystyka projektu CMOS

Falowniki CMOS

Podsystem ścieżki danych tablicowych

Podsystem specjalnego przeznaczenia CMOS

✖Energia przełączania w CMOS jest zdefiniowana jako właściwość ilościowa, która musi zostać przeniesiona na obiekt, aby wykonać pracę lub ogrzać obiekt podczas przełączania obwodu.ⓘ Przełączanie energii w CMOS [E_s]			+10% -10%
✖Energię wycieku w CMOS definiuje się jako wyciek energii, który ma miejsce, gdy zużywamy energię w sposób powodujący deficyt energetyczny.ⓘ Energia wycieku w CMOS [E_leak]			+10% -10%

✖Energię całkowitą w CMOS definiuje się jako właściwość ilościową, która musi zostać przeniesiona na obiekt, aby wykonać pracę lub ogrzać obiekt w CMOS.ⓘ Całkowita energia w CMOS [E_t]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Całkowita energia w CMOS

Formuła

`"E"_{"t"} = "E"_{"s"}+"E"_{"leak"}`

Przykład

`"42pJ"="35pJ"+"7pJ"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Wskaźniki mocy CMOS Formuły PDF PDF Image

Całkowita energia w CMOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Całkowita energia w CMOS = Przełączanie energii w CMOS+Energia wycieku w CMOS
E_t = E_s+E_leak
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Całkowita energia w CMOS - (Mierzone w Dżul) - Energię całkowitą w CMOS definiuje się jako właściwość ilościową, która musi zostać przeniesiona na obiekt, aby wykonać pracę lub ogrzać obiekt w CMOS.
Przełączanie energii w CMOS - (Mierzone w Dżul) - Energia przełączania w CMOS jest zdefiniowana jako właściwość ilościowa, która musi zostać przeniesiona na obiekt, aby wykonać pracę lub ogrzać obiekt podczas przełączania obwodu.
Energia wycieku w CMOS - (Mierzone w Dżul) - Energię wycieku w CMOS definiuje się jako wyciek energii, który ma miejsce, gdy zużywamy energię w sposób powodujący deficyt energetyczny.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Przełączanie energii w CMOS: 35 Picojoule --> 3.5E-11 Dżul (Sprawdź konwersję tutaj)
Energia wycieku w CMOS: 7 Picojoule --> 7E-12 Dżul (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

E_t = E_s+E_leak --> 3.5E-11+7E-12

Ocenianie ... ...

E_t = 4.2E-11

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

4.2E-11 Dżul -->42 Picojoule (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

42 Picojoule <-- Całkowita energia w CMOS

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Projektowanie i zastosowania CMOS » Wskaźniki mocy CMOS » Całkowita energia w CMOS

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 17 Wskaźniki mocy CMOS Kalkulatory

Bramy na ścieżce krytycznej

Iść Bramy na ścieżce krytycznej = Cykl pracy*(Wyłączony prąd*(10^Podstawowe napięcie kolektora))/(Pojemność bramki do kanału*[BoltZ]*Podstawowe napięcie kolektora)

Przełączanie wyjścia przy poborze mocy obciążenia

Iść Przełączanie wyjścia = Pobór mocy obciążenia pojemnościowego/(Zewnętrzna pojemność obciążenia*Napięcie zasilania^2*Częstotliwość sygnału wyjściowego)

Pojemnościowy pobór mocy obciążenia

Iść Pobór mocy obciążenia pojemnościowego = Zewnętrzna pojemność obciążenia*Napięcie zasilania^2*Częstotliwość sygnału wyjściowego*Przełączanie wyjścia

Prąd sporny w obwodach o współczynniku

Iść Aktualna rywalizacja = (Moc statyczna CMOS/Podstawowe napięcie kolektora)-(Prąd podprogowy+Prąd bramki+Prąd złącza)

Upływ podprogowy przez tranzystory OFF

Iść Prąd podprogowy = (Moc statyczna CMOS/Podstawowe napięcie kolektora)-(Prąd bramki+Aktualna rywalizacja+Prąd złącza)

Upływ bramki przez dielektryk bramki

Iść Prąd bramki = (Moc statyczna CMOS/Podstawowe napięcie kolektora)-(Prąd podprogowy+Aktualna rywalizacja+Prąd złącza)

Przełączanie zasilania

Iść Moc przełączania = Czynnik aktywności*(Pojemność*Podstawowe napięcie kolektora^2*Częstotliwość)

Czynnik aktywności

Iść Czynnik aktywności = Moc przełączania/(Pojemność*Podstawowe napięcie kolektora^2*Częstotliwość)

Współczynnik odrzucenia zasilania

Iść Współczynnik odrzucenia zasilacza = 20*log10(Tętnienie napięcia wejściowego/Tętnienie napięcia wyjściowego)

Przełączanie zasilania w CMOS

Iść Moc przełączania = (Napięcie dodatnie^2)*Częstotliwość*Pojemność

Przełączanie energii w CMOS

Iść Przełączanie energii w CMOS = Całkowita energia w CMOS-Energia wycieku w CMOS

Całkowita energia w CMOS

Iść Całkowita energia w CMOS = Przełączanie energii w CMOS+Energia wycieku w CMOS

Energia wycieku w CMOS

Iść Energia wycieku w CMOS = Całkowita energia w CMOS-Przełączanie energii w CMOS

Moc statyczna w CMOS

Iść Moc statyczna CMOS = Całkowita moc-Moc dynamiczna

Całkowita moc w CMOS

Iść Całkowita moc = Moc statyczna CMOS+Moc dynamiczna

Zasilanie zwarciowe w CMOS

Iść Moc zwarciowa = Moc dynamiczna-Moc przełączania

Moc dynamiczna w CMOS

Iść Moc dynamiczna = Moc zwarciowa+Moc przełączania

Całkowita energia w CMOS Formułę

Całkowita energia w CMOS = Przełączanie energii w CMOS+Energia wycieku w CMOS
E_t = E_s+E_leak

Jak obliczana jest energia w CMOS?

Aby obliczyć energię, załóżmy, że obwód ma bramki N na krytycznej ścieżce, całkowitą efektywną pojemność Ceff i całkowitą efektywną szerokość Weff nieszczelnego tranzystora. Opóźnienie podprogu zadziałania bramy z obciążeniem Cg. Bardziej intuicyjne podejście polega na graficznym spojrzeniu na punkt minimalnej energii.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!