Ganho de tensão máximo no ponto de polarização Calculadora

✖A tensão de alimentação é o nível de tensão fornecido a um dispositivo eletrônico e é um parâmetro crítico que afeta o desempenho e a confiabilidade do dispositivo.ⓘ Tensão de alimentação [V_dd]			+10% -10%
✖A tensão efetiva em um MOSFET (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico) é a tensão que determina o comportamento do dispositivo. Também é conhecida como tensão porta-fonte.ⓘ Tensão Efetiva [V_eff]			+10% -10%

✖O ganho máximo de tensão é uma medida da amplificação de um sinal elétrico por um amplificador. É a relação entre a tensão de saída e a tensão de entrada do circuito, expressa em decibéis (dB).ⓘ Ganho de tensão máximo no ponto de polarização [A_vm]

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Fórmula

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Ganho de tensão máximo no ponto de polarização

Fórmula

`"A"_{"vm"} = 2*("V"_{"dd"}-"V"_{"eff"})/("V"_{"eff"})`

Exemplo

`"7.941176"=2*("8.45V"-"1.7V")/("1.7V")`

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Ganho de tensão máximo no ponto de polarização Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Ganho Máximo de Tensão = 2*(Tensão de alimentação-Tensão Efetiva)/(Tensão Efetiva)
A_vm = 2*(V_dd-V_eff)/(V_eff)
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Ganho Máximo de Tensão - O ganho máximo de tensão é uma medida da amplificação de um sinal elétrico por um amplificador. É a relação entre a tensão de saída e a tensão de entrada do circuito, expressa em decibéis (dB).
Tensão de alimentação - (Medido em Volt) - A tensão de alimentação é o nível de tensão fornecido a um dispositivo eletrônico e é um parâmetro crítico que afeta o desempenho e a confiabilidade do dispositivo.
Tensão Efetiva - (Medido em Volt) - A tensão efetiva em um MOSFET (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico) é a tensão que determina o comportamento do dispositivo. Também é conhecida como tensão porta-fonte.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Tensão de alimentação: 8.45 Volt --> 8.45 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão Efetiva: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

A_vm = 2*(V_dd-V_eff)/(V_eff) --> 2*(8.45-1.7)/(1.7)

Avaliando ... ...

A_vm = 7.94117647058823

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

7.94117647058823 --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

7.94117647058823 ≈ 7.941176 <-- Ganho Máximo de Tensão

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 6 Fator/ganho de amplificação Calculadoras

Ganho de tensão dado a resistência de carga do MOSFET

Vai Ganho de tensão = Transcondutância*(1/(1/Resistência de carga+1/Resistência de saída))/(1+Transcondutância*Resistência da fonte)

Ganho de tensão máximo no ponto de polarização

Vai Ganho Máximo de Tensão = 2*(Tensão de alimentação-Tensão Efetiva)/(Tensão Efetiva)

Ganho de tensão dada tensão de dreno

Vai Ganho de tensão = (Corrente de drenagem*Resistência de carga*2)/Tensão Efetiva

Ganho de tensão com mudança de fase usando transcondutância

Vai Ganho de tensão de mudança de fase = -(Transcondutância*Resistência de carga)

Ganho máximo de tensão considerando todas as tensões

Vai Ganho Máximo de Tensão = (Tensão de alimentação-0.3)/Tensão Térmica

Ganho de tensão usando um único componente de tensão de dreno

Vai Ganho de tensão = Tensão de Drenagem/Sinal de entrada

< 15 Características MOSFET Calculadoras

Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source

Vai Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)

Ganho de tensão dado a resistência de carga do MOSFET

Vai Ganho de tensão = Transcondutância*(1/(1/Resistência de carga+1/Resistência de saída))/(1+Transcondutância*Resistência da fonte)

Frequência de Transição do MOSFET

Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))

Largura do portão para o canal de origem do MOSFET

Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)

Ganho de tensão máximo no ponto de polarização

Vai Ganho Máximo de Tensão = 2*(Tensão de alimentação-Tensão Efetiva)/(Tensão Efetiva)

Ganho de tensão usando sinal pequeno

Vai Ganho de tensão = Transcondutância*1/(1/Resistência de carga+1/Resistência Finita)

Ganho de tensão dada tensão de dreno

Vai Ganho de tensão = (Corrente de drenagem*Resistência de carga*2)/Tensão Efetiva

Tensão de polarização do MOSFET

Vai Tensão de polarização instantânea total = Tensão de polarização CC+Voltagem de corrente contínua

Efeito Corporal na Transcondutância

Vai Transcondutância Corporal = Alteração no limite para a tensão de base*Transcondutância

Tensão de saturação do MOSFET

Vai Tensão de saturação de dreno e fonte = Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar

Ganho máximo de tensão considerando todas as tensões

Vai Ganho Máximo de Tensão = (Tensão de alimentação-0.3)/Tensão Térmica

Transcondutância em MOSFET

Vai Transcondutância = (2*Corrente de drenagem)/Tensão de ultrapassagem

Fator de amplificação no modelo MOSFET de sinal pequeno

Vai Fator de Amplificação = Transcondutância*Resistência de saída

Tensão limite do MOSFET

Vai Tensão de limiar = Tensão Gate-Fonte-Tensão Efetiva

Condutância na Resistência Linear do MOSFET

Vai Condutância do Canal = 1/Resistência Linear

Ganho de tensão máximo no ponto de polarização Fórmula

Ganho Máximo de Tensão = 2*(Tensão de alimentação-Tensão Efetiva)/(Tensão Efetiva)
A_vm = 2*(V_dd-V_eff)/(V_eff)

O que é ganho de tensão?

A diferença entre o nível de tensão do sinal de saída em decibéis e o nível de tensão do sinal de entrada em decibéis; este valor é igual a 20 vezes o logaritmo comum da razão entre a tensão de saída e a tensão de entrada.

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