Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET Calculadora

✖A resistência de saída refere-se à resistência de um circuito eletrônico ao fluxo de corrente quando uma carga está conectada à sua saída.ⓘ Resistência de saída [R_out]			+10% -10%
✖Corrente total é um termo usado em engenharia elétrica e física para se referir à soma de todas as correntes elétricas que fluem através de um ponto específico em um circuito ou condutor.ⓘ Corrente Total [I_t]			+10% -10%

✖A tensão de dreno Q1 é a tensão tomada no terminal de dreno em um transistor Q1 no circuito diferencial.ⓘ Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET [v_o1]

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Fórmula

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Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET

Fórmula

`"v"_{"o1"} = -("R"_{"out"}*"I"_{"t"})`

Exemplo

`"-34.65V"=-("4.5kΩ"*"7.7mA")`

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Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tensão de dreno Q1 = -(Resistência de saída*Corrente Total)
v_o1 = -(R_out*I_t)
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Tensão de dreno Q1 - (Medido em Volt) - A tensão de dreno Q1 é a tensão tomada no terminal de dreno em um transistor Q1 no circuito diferencial.
Resistência de saída - (Medido em Ohm) - A resistência de saída refere-se à resistência de um circuito eletrônico ao fluxo de corrente quando uma carga está conectada à sua saída.
Corrente Total - (Medido em Ampere) - Corrente total é um termo usado em engenharia elétrica e física para se referir à soma de todas as correntes elétricas que fluem através de um ponto específico em um circuito ou condutor.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Resistência de saída: 4.5 Quilohm --> 4500 Ohm (Verifique a conversão aqui)
Corrente Total: 7.7 Miliamperes --> 0.0077 Ampere (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

v_o1 = -(R_out*I_t) --> -(4500*0.0077)

Avaliando ... ...

v_o1 = -34.65

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

-34.65 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

-34.65 Volt <-- Tensão de dreno Q1

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya verificou esta calculadora e mais 2500+ calculadoras!

< 20 Tensão Calculadoras

Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source

Vai Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)

Tensão de saída da porta comum

Vai Voltagem de saída = -(Transcondutância*Tensão Crítica)*((Resistência de carga*Resistência do portão)/(Resistência do portão+Resistência de carga))

Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET dado sinal de modo comum

Vai Tensão de dreno Q1 = -Resistência de saída*(Transcondutância*Sinal de entrada de modo comum)/(1+(2*Transcondutância*Resistência de saída))

Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial

Vai Tensão Gate-Fonte = Tensão de limiar+sqrt((2*Corrente de polarização DC)/(Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela))

Tensão de entrada da fonte

Vai Tensão de entrada da fonte = Tensão de entrada*(Resistência do amplificador de entrada/(Resistência do amplificador de entrada+Resistência de Fonte Equivalente))

Tensão de entrada porta-fonte

Vai Tensão Crítica = (Resistência do amplificador de entrada/(Resistência do amplificador de entrada+Resistência de Fonte Equivalente))*Tensão de entrada

Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET dado sinal de modo comum

Vai Tensão de dreno Q2 = -(Resistência de saída/((1/Transcondutância)+2*Resistência de saída))*Sinal de entrada de modo comum

Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada

Vai Tensão Gate-Fonte = Corrente de entrada/(Frequência angular*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))

Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET

Vai Corrente de entrada = Tensão Gate-Fonte*(Frequência angular*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))

Tensão de overdrive quando o MOSFET atua como amplificador com resistência de carga

Vai Transcondutância = Corrente Total/(Sinal de entrada de modo comum-(2*Corrente Total*Resistência de saída))

Sinal de Tensão Incremental do Amplificador Diferencial

Vai Sinal de entrada de modo comum = (Corrente Total/Transcondutância)+(2*Corrente Total*Resistência de saída)

Tensão no dreno Q1 do MOSFET

Vai Voltagem de saída = -(Resistência de Carga Total do MOSFET/(2*Resistência de saída))*Sinal de entrada de modo comum

Tensão no Dreno Q2 no MOSFET

Vai Voltagem de saída = -(Resistência de Carga Total do MOSFET/(2*Resistência de saída))*Sinal de entrada de modo comum

Tensão de saturação do MOSFET

Vai Tensão de saturação de dreno e fonte = Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar

Tensão Overdrive

Vai Tensão de ultrapassagem = (2*Corrente de drenagem)/Transcondutância

Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET

Vai Tensão de dreno Q1 = -(Resistência de saída*Corrente Total)

Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET

Vai Tensão de dreno Q2 = -(Resistência de saída*Corrente Total)

Tensão através do Gate para a Fonte do MOSFET na Tensão de Entrada Diferencial dada a Tensão Overdrive

Vai Tensão Gate-Fonte = Tensão de limiar+1.4*Tensão Efetiva

Tensão limite quando o MOSFET atua como amplificador

Vai Tensão de limiar = Tensão Gate-Fonte-Tensão Efetiva

Tensão limite do MOSFET

Vai Tensão de limiar = Tensão Gate-Fonte-Tensão Efetiva

Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET Fórmula

Tensão de dreno Q1 = -(Resistência de saída*Corrente Total)
v_o1 = -(R_out*I_t)

O que a rejeição de modo comum faz?

A rejeição de modo comum é a capacidade do amplificador diferencial (que fica entre o osciloscópio e as pontas de prova como um pré-amplificador de condicionamento de sinal) de eliminar a tensão de modo comum da saída. Mas à medida que as frequências de sinal aumentam, o CMRR se deteriora.

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