Corrente de curto-circuito do MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Corrente de saída = Transcondutância*Tensão Gate-Fonte
Iout = gm*Vgs
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Corrente de saída - (Medido em Ampere) - A corrente de saída é a corrente elétrica que flui de um terminal de saída do dispositivo. É a quantidade de carga elétrica que passa pela saída por unidade de tempo.
Transcondutância - (Medido em Siemens) - A transcondutância é definida como a razão entre a mudança na corrente de saída e a mudança na tensão de entrada, com a tensão porta-fonte mantida constante.
Tensão Gate-Fonte - (Medido em Volt) - A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Transcondutância: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Verifique a conversão ​aqui)
Tensão Gate-Fonte: 4 Volt --> 4 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Iout = gm*Vgs --> 0.0005*4
Avaliando ... ...
Iout = 0.002
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.002 Ampere --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.002 Ampere <-- Corrente de saída
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Anshika Arya
Instituto Nacional de Tecnologia (NIT), Hamirpur
Anshika Arya verificou esta calculadora e mais 2500+ calculadoras!

12 Atual Calculadoras

Corrente de segundo dreno do MOSFET na operação de sinal grande
​ Vai Drenar Corrente 2 = Corrente de polarização DC/2-Corrente de polarização DC/Tensão Overdrive*Sinal de entrada diferencial/2*sqrt(1-(Sinal de entrada diferencial)^2/(4*Tensão Overdrive^2))
Primeira corrente de dreno do MOSFET na operação de sinal grande
​ Vai Drenar corrente 1 = Corrente de polarização DC/2+Corrente de polarização DC/Tensão Overdrive*Sinal de entrada diferencial/2*sqrt(1-Sinal de entrada diferencial^2/(4*Tensão Overdrive^2))
Drenar corrente de saturação do MOSFET
​ Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Processo de Transcondutância em PMOS*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Efetiva)^2
Corrente de drenagem instantânea
​ Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância*(Componente DC da tensão de porta para fonte-Tensão total+Tensão Crítica)^2
Primeira corrente de dreno do MOSFET na operação de sinal grande dada a tensão de overdrive
​ Vai Drenar corrente 1 = Corrente de polarização DC/2+Corrente de polarização DC/Tensão Overdrive*Sinal de entrada diferencial/2
Corrente de segundo dreno do MOSFET na operação de sinal grande, dada a tensão de overdrive
​ Vai Drenar Corrente 2 = Corrente de polarização DC/2-Corrente de polarização DC/Tensão Overdrive*Sinal de entrada diferencial/2
Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal de MOSFET
​ Vai Corrente de drenagem = 1/2*Processo de Transcondutância em PMOS*Proporção da tela*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)^2
Corrente de dreno do MOSFET na operação de sinal grande, dada a tensão de overdrive
​ Vai Corrente de drenagem = (Corrente de polarização DC/Tensão Overdrive)*(Sinal de entrada diferencial/2)
Drenar a corrente na linha de carga
​ Vai Corrente de drenagem = (Tensão de alimentação-Tensão da Fonte de Dreno)/Resistência de carga
Corrente de drenagem instantânea em relação ao componente DC de Vgs
​ Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância*((Tensão Crítica-Tensão total)^2)
Corrente na rejeição de modo comum do MOSFET
​ Vai Corrente Total = Sinal Incremental/((1/Transcondutância)+(2*Resistência de saída))
Corrente de curto-circuito do MOSFET
​ Vai Corrente de saída = Transcondutância*Tensão Gate-Fonte

Corrente de curto-circuito do MOSFET Fórmula

Corrente de saída = Transcondutância*Tensão Gate-Fonte
Iout = gm*Vgs

Como você protege um MOSFET de um curto-circuito?

A tensão através da resistência interna pode ser detectada usando um comparador simples ou até mesmo um transistor, que liga a uma tensão de cerca de 0,5V. Assim, você pode evitar o uso de um resistor de detecção (shunt), que geralmente produz uma queda de tensão extra indesejável. O comparador pode ser monitorado por um microcontrolador.

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