Ganho de tensão dado a resistência de carga do MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Ganho de tensão = Transcondutância*(1/(1/Resistência de carga+1/Resistência de saída))/(1+Transcondutância*Resistência da fonte)
Av = gm*(1/(1/RL+1/Rout))/(1+gm*Rs)
Esta fórmula usa 5 Variáveis
Variáveis Usadas
Ganho de tensão - O ganho de tensão é uma medida da amplificação de um sinal elétrico por um amplificador. É a relação entre a tensão de saída e a tensão de entrada do circuito, expressa em decibéis (dB).
Transcondutância - (Medido em Siemens) - A transcondutância é definida como a razão entre a mudança na corrente de saída e a mudança na tensão de entrada, com a tensão porta-fonte mantida constante.
Resistência de carga - (Medido em Ohm) - A resistência de carga é a resistência externa conectada entre o terminal de drenagem do MOSFET e a tensão da fonte de alimentação.
Resistência de saída - (Medido em Ohm) - A resistência de saída refere-se à resistência de um circuito eletrônico ao fluxo de corrente quando uma carga está conectada à sua saída.
Resistência da fonte - (Medido em Ohm) - A resistência da fonte é um resistor limitador de corrente conectado em série com a tensão de entrada. É usado para limitar a corrente máxima que flui em um circuito.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Transcondutância: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Verifique a conversão aqui)
Resistência de carga: 0.28 Quilohm --> 280 Ohm (Verifique a conversão aqui)
Resistência de saída: 4.5 Quilohm --> 4500 Ohm (Verifique a conversão aqui)
Resistência da fonte: 8.1 Quilohm --> 8100 Ohm (Verifique a conversão aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Av = gm*(1/(1/RL+1/Rout))/(1+gm*Rs) --> 0.0005*(1/(1/280+1/4500))/(1+0.0005*8100)
Avaliando ... ...
Av = 0.0260988441940428
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.0260988441940428 --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.0260988441940428 0.026099 <-- Ganho de tensão
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

6 Fator/ganho de amplificação Calculadoras

Ganho de tensão dado a resistência de carga do MOSFET
Vai Ganho de tensão = Transcondutância*(1/(1/Resistência de carga+1/Resistência de saída))/(1+Transcondutância*Resistência da fonte)
Ganho de tensão máximo no ponto de polarização
Vai Ganho Máximo de Tensão = 2*(Tensão de alimentação-Tensão Efetiva)/(Tensão Efetiva)
Ganho de tensão dada tensão de dreno
Vai Ganho de tensão = (Corrente de drenagem*Resistência de carga*2)/Tensão Efetiva
Ganho de tensão com mudança de fase usando transcondutância
Vai Ganho de tensão de mudança de fase = -(Transcondutância*Resistência de carga)
Ganho máximo de tensão considerando todas as tensões
Vai Ganho Máximo de Tensão = (Tensão de alimentação-0.3)/Tensão Térmica
Ganho de tensão usando um único componente de tensão de dreno
Vai Ganho de tensão = Tensão de Drenagem/Sinal de entrada

15 Características MOSFET Calculadoras

Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source
Vai Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)
Ganho de tensão dado a resistência de carga do MOSFET
Vai Ganho de tensão = Transcondutância*(1/(1/Resistência de carga+1/Resistência de saída))/(1+Transcondutância*Resistência da fonte)
Frequência de Transição do MOSFET
Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))
Largura do portão para o canal de origem do MOSFET
Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)
Ganho de tensão máximo no ponto de polarização
Vai Ganho Máximo de Tensão = 2*(Tensão de alimentação-Tensão Efetiva)/(Tensão Efetiva)
Ganho de tensão usando sinal pequeno
Vai Ganho de tensão = Transcondutância*1/(1/Resistência de carga+1/Resistência Finita)
Ganho de tensão dada tensão de dreno
Vai Ganho de tensão = (Corrente de drenagem*Resistência de carga*2)/Tensão Efetiva
Tensão de polarização do MOSFET
Vai Tensão de polarização instantânea total = Tensão de polarização CC+Voltagem de corrente contínua
Efeito Corporal na Transcondutância
Vai Transcondutância Corporal = Alteração no limite para a tensão de base*Transcondutância
Tensão de saturação do MOSFET
Vai Tensão de saturação de dreno e fonte = Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar
Ganho máximo de tensão considerando todas as tensões
Vai Ganho Máximo de Tensão = (Tensão de alimentação-0.3)/Tensão Térmica
Transcondutância em MOSFET
Vai Transcondutância = (2*Corrente de drenagem)/Tensão de ultrapassagem
Fator de amplificação no modelo MOSFET de sinal pequeno
Vai Fator de Amplificação = Transcondutância*Resistência de saída
Tensão limite do MOSFET
Vai Tensão de limiar = Tensão Gate-Fonte-Tensão Efetiva
Condutância na Resistência Linear do MOSFET
Vai Condutância do Canal = 1/Resistência Linear

Ganho de tensão dado a resistência de carga do MOSFET Fórmula

Ganho de tensão = Transcondutância*(1/(1/Resistência de carga+1/Resistência de saída))/(1+Transcondutância*Resistência da fonte)
Av = gm*(1/(1/RL+1/Rout))/(1+gm*Rs)

O que é ganho de tensão?

A diferença entre o nível de tensão do sinal de saída em decibéis e o nível de tensão do sinal de entrada em decibéis; este valor é igual a 20 vezes o logaritmo comum da razão entre a tensão de saída e a tensão de entrada.

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